mosfet是什么电子元件

mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。

MOSFET，全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，还可以称作MOS、MOS管，中文是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种通过场效应控制电流的半导体器件，用金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应去控制半导体(S)的场效应晶体管，是最基础的电子器件。

特点是导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好，非常适用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS电源等电源控制领域。

根据工作电压的不同，功率MOSFET可分为工作电压小于100V中低压MOSFET和大于500V的高压MOSFET，其中中低压MOSFET多用于手机、数码相机和电动自行车等产品，而高压领域则包括风力发电、电焊机、高压变频器和发电设备等。

沟槽型功率MOSFET(Trench MOSFET)：电压范围12V到250V，适用领域MID、移动电源、手机数据线、LED电源、HID灯、金牌PC电源、TV电源板、电脑显卡、UPS电源等，优势是易于驱动，工作频率高，热稳定性好，损耗低，但耐压低，由于要开沟槽，工艺复杂，单元的一致性，跨导的特性和雪崩能量比相对较差。

mosfet和igbt的区别如下：

1、结构以及应用区别

从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题。

从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右。

2、工作原理的区别

对于MOSFET来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，所以很容易实现极端的开关时间。PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀，所以可以用在高频场和，在低电压工作状态下，开关管动作损耗远低于其他组件，但是缺点是在高压状态下，压降高，并且随着电压等级的增大，导通电阻也变大。

因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合。IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w,IGBT开关频率在40-50k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。

3、驱动电路区别

IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ,而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。

简介

MOS管即MOSFET，中文全称是金属－氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。