pl谱峰强代表什么

PL光谱指的是光致发光光谱，可以通过荧光光谱仪的发射光谱或者拉曼的PL测量功能获得，对于半导体来说峰位对应着带隙宽度，此外还有强度等信号。

当电子从高能级跃迁到低能级放出的能量以光子的形式发出，也就是释放出光子，而光子分为可见光和不可见光，当从n≥2向基态跃迁时发射的是紫外线、当从n≥4向n=3跃迁时发射的是红外线是不可见的，只有从n≥3向n=2跃迁时发射的是可见光。

从能带结构来看，导体能带是从0，即导体能带是从乳沟最低处向上发展，比如超导因为没有电压降，能带处于乳沟最低的0带上。随着导体阻值，向半导体迈进，会使阻值与电源内阻看齐，即此时能带达到乳沟最高端。而半导体阻值不断变大，就会与导体向半导体迈进的能带方向相反，不得不逐渐滑落到乳沟另一端的最低0能带上，比如理想的绝缘体。如果把理想导体与理想绝缘体之间不同阻值的能带连接起来，就类似一个乳房的外型，其中最高峰就是半导体的能带。

半导体激光器的调制带宽是指可以输出的或者加载的最高信号速率（对数字信号而言），或者是输出（或加载的）模拟信号的最大带宽。

提高激光器的调制带宽，可以采取以下措施：

①有源区采用应变(抵偿)多量子阱结构-量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到双轴压应变和垂直于阱面方向的拉伸应变，其价带顶的重空穴能级上升，而且这种价带发生退简并，使电子从自旋轨道分裂带向重孔穴带的跃迁几率近似等于零，使室温下的俄歇复合几率减小，从而导致这种量子阱激光器的阈值电流下降，线宽增强因子减小以及弛豫振荡频率、调制带宽、微分增益系数显著提高。

②有源区p型掺杂 p型掺杂可减小穿过SCH区域时的空穴输运，这对高速量子阱器件是主要的限制p型掺杂可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中载流子的分布更加均匀。 若有源区Zn掺杂浓度接近1018cm-3时，其3dB带宽可达25GHz而且掺杂还可使器件的振荡频率增加到30GHz腔长为300μm此外，重掺杂还有利于降低线宽增强因子和进一步提高微分增益，这些都有利于提高器件的调制特性。

③降低电学寄生参数-为了降低高速激光器的电学寄生参数，尤其是寄生电容，可采用半绝缘Fe-InP再生长掩埋技术，同时还需减小电极面积采用自对准窄台面结构(SA -CM以减小器件的寄生电容。人们还常利用填充聚酰亚胺的方法来减小寄生电容。

④提高激光器内部光子浓度和微分增益-增加激光器腔内的光子浓度，可增加本征谐振频率。利用DFB结构使激射波长与增益峰波长为负失谐(-10nm可以提高微分增益，这些都可以增加-3dB调制带宽。 以上分析了限制半导体激光器高速调制特性的因素以及提高激光器调制带宽的途径，这些因素之间与其静态特性之间是相互影响的所以在设计高速激光器时，还需考虑其他特性，如阈值、温度特性等。

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