杂质半导体分为哪两种

1、杂质半导体按导体电流类型分为百电子型半导体和空穴型半导体

2、N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。

n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为度施主能级，该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，内掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。

P型半导体，也称为空穴型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（容如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强

单纯只有一个元素组成的半导体原材料叫纯净半导体，例如：锗，硅，高温精炼成形后可以是柱状或棒状，因为纯净所以没有任何半导体功能。

杂质性半导体是在锗，硅等纯净化的原材料上加上少量微量五价或三价元素，叫做杂质性半导体，就是具有“电子价能量”的半导体。一般来说分为正价P和负价N两种。

纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素.

而杂质半导体是指在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体.

两者有本质的区别.

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