MOS的源极和漏极有什么区别？

1、电流流向不同。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

2、作用不同。

电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

3、对应电位不同。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。

扩展资料

MOS管的定义：

场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P＋表示，形成两个P＋N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。

通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是ntype，那么通道也会是ntype对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。

PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。