半导体设备有哪些种类

一、分立器件

1、 二极管

A、一般整流用

B、高速整流用：

①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）

C、定压二极管（齐纳二极管）

D、高频二极管

①变容二极管

②PIN二极管

③穿透二极管

④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管

2、 晶体管

①双极晶体管

②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)

3、 晶闸管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）

二、光电半导体

1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）

2、激光半导体

3、受光器件

①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）

②光电晶体管（Photo Transistor）

③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）

④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）

4、光耦(photo Relay)

①光继电器（photo Relay)

②光断路器（photo Interrupter）

5、光通讯用器件

三、逻辑IC

1、通用逻辑IC

2、微处理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)

②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)

3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①栅陈列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:标准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）

6、系统LSI（System LSI）

四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）

1、电源用IC

2、运算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA转换器（AD DA Converter）

4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)

五、存储器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)

3、快闪式存储器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

3C固晶法则分别指的是3个英文单词的首字母：Correction校正、Control控制、Continuity连续。分别对应的在固晶工艺中解决角度、速度、良率和固晶范围等问题需要用到的工艺方法。下面我详细介绍下这三个方法：

一是角度校正（Correction），包含两个部分：1、晶圆环校正，保证固晶机摆臂抓取晶圆时位置更准，抓取成功率更高；2、是晶圆校正，当晶圆被抓取之后通过动态角度调整，保证晶圆贴合姿态更正，位置误差更小。

二是压力控制（Control），贴合模组内置高精度直线和旋转运动，在芯片贴合的同时进行压力检测和控制，以保证每一个芯片都能以完美的力度贴合到基板对应位置，固晶良率达到99.99%以上。

三是连续固晶（Continuity）,卓兴半导体创新双臂同步固晶模式，单位时间内比传统固晶机效率提高一倍。此外，卓兴半导体还有双臂6晶圆环混打设计，一次装夹完成RGB三色固晶，效率更高，单位时间内固晶更多。目前卓兴半导体固晶效率可以达到40K/H，高于市场平均水平。

---