可控硅控两端的电流是多少

可控硅控制两端的电流取决于硅的类型，其工作原理，硅的型号以及外部电路的构造。

根据可控硅的型号，它可以控制一至几千安培的电流。例如，一个可控硅为IRF540可以控制0-33A的电流，而一个可控硅为IRF9540可以控制0-215A的电流。

此外，可控硅的工作原理可以在改变硅的电流限制和反向偏置电压的情况下调整两端的电流。外部电路的结构也会影响可控硅控制两端的电流，例如硅芯片的驱动电路，负载电路，源极电路等。

可控的功率半导体器件有：

功率MOSFET: 包括VDMOST和LDMOST

IGBT: 也包括纵向IGBT和横向IGBT，双极器件

普通的可控硅或者称为晶闸管难以实现关断，但是也有门极可关断晶闸管GTO

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS）,双极晶体管（BJT）,结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理：由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场，当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场，因而其电流会很小，当外加电压由p型指向n型时，内建电场降低，电流可顺利通过pn结，形成单向导电的特性。MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。基本原理：通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大，截至等效应。结型场效应晶体管：与MOS构成类似，不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理：上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。

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