温度对半导体导电特性的影响，我要具体详尽的说明，谢谢！！！注释：强调的是温度

拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

不同的半导体制冷片，性能不一样所能承受的温差也不一样。热端的最高温度也不一样。

一般在60℃以内是没问题的。  可以加大散热片，和风扇

.学校里小制作的比赛要用的。一直知道这个东西发热的效率很高可以大于100%。想用来做个烧开水的东西。不知道能不能将水烧开。

会不会和温差、冷端温度有关系？我的制冷片一片能制造40度温差。室温大概是20度，那么是不是就不能把水烧至100度？网上看到有人说叠在一起可以增大温差

然后我去实验过后结果却是叠在一起后的温差反而更小了只有30度了，这是怎么回事？（我实验时的散热是水冷的绝对不是散热上有问题。

两片制冷片之间也是涂了硅脂而且贴合紧密导热很好的。测出的实验结果的温度也都是很准确的）

我很看重这次比赛。希望懂这方面的前辈能不吝赐教。我理解能力也很差。如果可以的话希望尽量能答的详细一点。我分数还很多，真的答得好的我还会再追加。

半导体制冷片的发热面能把水烧开吗？两片叠在一起使用温差会更大吗？

可以将水加热至100度。你使用半导体制冷片当热水器时，注意冷端的散热问题，冷端的温度不能降低，这样才会热端的温度才会继续上升，如果冷端的温度下降到一定值，热端的温度就上不去了。

√ 楼主您好，根据您提出的问题，下面为您做详细解答：

半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分，在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs，同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物，分离和处理难度比较大。

半导体酸废气处理方法

半导体酸废气处理通常采用碱液体喷淋法，又称化学洗涤法。因液体自身具有的溶解特性，可以更好地捕捉沉降，溶解去除污染物，而达到大气排放标准，故喷淋法是半导体行业酸碱废气治理普遍采用的主要处理方法。

新材料行业半导体废气处理的方法

RTO蓄热式焚烧炉设备，简称“RTO设备”，是采用高温破坏焚烧的废气治理技术。采用的升温能源一般是电和天然气，虽然采用高温700℃的温度进行废气处理，但其实消耗的能源并不多，这是因为设备能够将热能回收利用，大大降低能量消耗的同时提高了废气分子的燃烧反应速率。设备的主体由燃烧室、陶瓷填料床和转换阀等构成。设备的净化效率也维持稳定在99%以上。

半导体行业废气处理方法以及对比

半导体行业有机废气处理方法，通常先用沸石转轮对VOCs进行吸附浓缩之后，再用直接燃烧法进行销毁，废气净化率达到97%以上。

直接燃烧又称为直接火焰燃烧，它是把VOCs可燃组分直接烧掉，因此该方法适用于净化可燃有害组分浓度较高的废气，或者净化有害组分燃烧时热值较高的废气；多种可燃气体或多种溶剂蒸气混合在废气中，只要浓度值适宜，也可以直接燃烧。如果可燃组分的浓度高于燃烧上限，可以混入空气后燃烧；如果可燃组分的浓度低于燃烧下限，则可以加入一定数量的辅助燃料如天然气等，维持燃烧。

希望此次回答对您有所帮助！

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