也许这就是天意，在晶体管发明十年后的1958年，34岁的基尔比加入德州仪器公司。说起当初为何选择德州仪器，基尔比轻描淡写道：“因为它是惟一允许我差不多把全部时间用于研究电子器件微型化的公司，给我提供了大量的时间和不错的实验条件。”也正是德州仪器这一温室，孕育了基尔比无与伦比的成就。
虽然那个时代的工程师们因为晶体管发明而备受鼓舞，开始尝试设计高速计算机，但是问题还没有完全解决：由晶体管组装的电子设备还是太笨重了，工程师们设计的电路需要几英里长的线路还有上百万个的焊点组成，建造它的难度可想而知。至于个人拥有计算机，更是一个遥不可及的梦想。针对这一情况，基尔比提出了一个大胆的设想： “能不能将电阻、电容、晶体管等电子元器件都安置在一个半导体单片上？”这样整个电路的体积将会大大缩小，于是这个新来的工程师开始尝试一个叫做相位转换振荡器的简易集成电路。
1958年9月12日，基尔比研制出世界上第一块集成电路，成功地实现了把电子器件集成在一块半导体材料上的构想，并通过了德州仪器公司高层管理人员的检查。请记住这一天，集成电路取代了晶体管，为开发电子产品的各种功能铺平了道路，并且大幅度降低了成本，使微处理器的出现成为了可能，开创了电子技术历史的新纪元，让我们现在习以为常一切电子产品的出现成为可能。
伟大的发明与人物总会被历史验证与牢记，2000年基尔比因为发明集成电路而获得当年的诺贝尔物理学奖。这份殊荣，经过四十二年的检验显得愈发珍贵，更是整个人类对基尔比伟大发明的充分认可。诺贝尔奖评审委员会的评价很简单：“为现代信息技术奠定了基础”。
“我认为，有几个人的工作改变了整个世界，以及我们的生活方式——亨利·福特、托马斯·爱迪生、莱特兄弟，还有杰克·基尔比。如果说有一项发明不仅革新了我们的工业，并且改变了我们生活的世界，那就是杰克发明的集成电路。”或许德州仪器公司董事会主席汤姆·恩吉布斯的评价是对基尔比贡献最简洁有力的注解，现在基尔比的照片和爱迪生的照片一起悬挂在国家发明家荣誉厅内。
罗伯特�6�1诺伊斯，是一位科学界和商业界的奇才。他在基尔比的基础上发明了可商业生产的集成电路，使半导体产业由“发明时代”进入了“商用时代”。同时，还共同创办了两家硅谷最伟大的公司：一个是曾经有半导体行业“黄埔军校”之称的-仙童(Fairchild)公司，一个是当今世界上最大设计和生产半导体的科技巨擎英特尔公司。
生活在美国大萧条时代的罗伯特�6�1诺伊斯向来奉行“自己动手”，12岁的时候，他与二哥自造了一架悬挂式滑翔机。13岁的时候，他们用家里洗衣机淘汰的旧汽油发动机造出了一辆汽车。甚至还同朋友一起造出了一台粗糙的无线电收发两用机，互相发信息。当然诺伊斯这一生最大的发明，还属可商业生产的集成电路。
1959年7月，诺伊斯研究出一种二氧化硅的扩散技术和PN结的隔离技术，并创造性地在氧化膜上制作出铝条连线，使元件和导线合成一体，从而为半导体集成电路的平面制作工艺、为工业大批量生产奠定了坚实的基础。与基尔比在锗晶片上研制集成电路不同，诺伊斯把眼光直接盯住硅－地球上含量最丰富之一的元素，商业化价值更大，成本更低。自此大量的半导体器件被制造并商用，风险投资开始出现，半导体初创公司涌现，更多功能更强、结构更复杂的集成电路被发明，半导体产业由“发明时代”进入了“商用时代”。
当然在这个“商用时代”还诞生了诺伊斯最大的成就：1968年诺伊斯离开了曾经有半导体行业“黄埔军校”之称的-仙童(Fairchild)公司（孕育出包括英特尔、AMD、美国国家半导体等当今半导体行业著名公司）与戈登-摩尔、安迪-格罗夫同创建了英特尔（Intel）。1929年1月3日，戈登·摩尔出生在距离旧金山南部的一个小镇，1954年获物理化学博士学位，1956年同诺伊斯一起创办了传奇般的仙童(Fairchild)公司，主要负责技术研发。1968年在诺伊斯辞职后，戈登·摩尔跟随而去一起创办了Intel, 1975年成为公司总裁兼CEO。
1965年，有一天摩尔离开硅晶体车间坐下来，拿了一把尺子和一张纸，画了个草图。纵轴代表不断发展的芯片，横轴为时间，结果是很有规律的几何增长。这一发现发表在当年第35期《电子》杂志上。这篇不经意之作也是迄今为止半导体历史上最具意义的论文。摩尔指出：微处理器芯片的电路密度，以及它潜在的计算能力，每隔一年翻番。这也就是后来闻名于IT界的“摩尔定律”的雏形。为了使这个描述更精确，1975年，摩尔做了一些修正，将翻番的时间从一年调整为两年。实际上，后来更准确的时间是两者的平均：18个月。"摩尔定律"不是一条简明的自然科学定律，尊它为发展方针的英特尔公司，更是取得了巨大的商业成功，而微处理器也成了摩尔定律的最佳体现，也带着摩尔本人的名望和财富每隔18个月翻一番。
当时，集成电路问世才6年。摩尔的实验室也只能将50只晶体管和电阻集成在一个芯片上。摩尔当时的预测听起来好像是科幻小说；此后也不断有技术专家认为芯片集成“已经到顶”。但事实证明，摩尔的预言是准确的，遵循着摩尔定律目前最先进的集成电路已含有超过17亿个晶体管。
摩尔定律的伟大不仅仅是促成了英特尔巨大的商业成功，半导体行业的工程师们遵循着这一定律，不仅每１８个月将晶体管的数量翻一翻，更是意味着同样性能的芯片每18个月体积就可以缩小一半，成本减少一半。也可以说是因为摩尔定律让我们生活中的电子产品性能越来越强大，体积越来越轻薄小巧，价格越来越低廉。
1900年已经退休的摩尔从美国前总统布什的手中接过了美国技术奖。今天，他的名字就像他提出的“摩尔定律”一样，响彻在半导体行业每个人的心中。摩尔定律就像一股不可抗拒的自然力量，统治了硅谷乃至全球计算机业整整三十多年。[3]
集成电路的封装方式介绍
由于电视、音响、录像集成电路的用途，使用环境，生产历史等原因，使其不但在型号规格上繁杂，而且封装形式也多样。
常见的封装材料有：塑料。陶瓷。玻璃。金属等，现在基本采用塑料封装。
按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。
按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装。双列扁平。四列扁平为最校
两引脚之间的间距分：普通标准型塑料封装，双列。单列直插式一般多为2.54±0.25mm,其次有2mm(多见于单列直插式).1.778±0.25mm(多见于缩型双列直插式).1.5±0.25mm,或1.27±0.25mm(多见于单列附散热片或单列V型).1.27±0.25mm(多见于双列扁平封装).1±0.15mm(多见于双列或四列扁平封装).0.8±0.05～0.15mm(多见于四列扁平封装).0.65±0.03mm(多见于四列扁平封装)。
双列直插式两列引脚之间的宽度分：一般有7.4～7.62mm.10.16mm.12.7mm.15.24mm等数种。
双列扁平封装两列之间的宽度分(包括引线长度：一般有6～6.5±mm.7.6mm.10.5～10.65mm等。
四列扁平封装40引脚以上的长×宽一般有：10×10mm(不计引线长度).13.6×13.6±0.4mm(包括引线长度).20.6×20.6±0.4mm(包括引线长度).8.45×8.45±0.5mm(不计引线长度).14×14±0.15mm(不计引线长度)等。
1、
1美元逼出来的华人“半导体教父”
1953年，一位麻省理工的年轻硕士同时拿到了福特 汽车 和希尼凡亚公司的offer，当时的福特 汽车 ，是全球 汽车 行业的霸主，不论是实力还是前景都不是后者能够比拟的，后者希尼凡亚公司，从事的是半导体产业，当时全球的半导体发展也不过几年，属于一个新兴行业，前途未知。
本来这个选择题很容易做，换做是谁都会选择去福特工作， 但是因为在谈薪资的时候，福特公司的薪资比希凡尼亚少了1美元，使得这位年轻硕士改变了注意，选择了薪资多1美元的希凡尼亚，进入到了半导体行业。
人生的际遇有时就是这样，因为年轻时的“短视”和“意气用事”，却造就了一代风云人物的崛起。 这位年轻硕士，便是后来的华人“半导体”教父，一手创建了全球最大的半导体制造商台积电的张忠谋。
这位1美元逼出来的“半导体教父”，或许在中国大陆地区，并不是那么知名，除了半导体相关行业的人士，知道并了解他的并不多。但是，在中国的香港、台湾地区，在美国，他就是“华人之光”，最成功的“华人企业家”的代名词。
他所创建的台积电有多厉害呢？业内流传着这么一句话足以说明：“全球高 科技 ，没有他就做不出来”。
我们都知道半导体、芯片这些高 科技 的产品，是许多顶尖产品的“心脏”和基础，经过了这两年的一些事件，我想中国人也对芯片这种东西的重要性有着切身体会了。
这里简单说一下全球芯片行业的模式，能够很好的说明台积电的厉害。
目前全球国际芯片厂商分为两大模式：
一种是IBM、英特尔这样的，通过自主研发出专利技术，然后授权给厂商们进行生产，拥有专利技术的赚大头，组装生产的赚小头。
还有一种是台积电模式，不管是专利技术还是组装生产，全部都自己来，而且全部都能做到世界顶尖水平，尤其是在代工市场份额上， 尽管一大堆代工企业崛起，依然无法撼动他的地位，至今仍然占有全球55%左右的份额，可谓“独孤求败”。
而这一切，都是张忠谋凭借着一己之力打下的江山，看到这里，你是不是对他开始有了敬佩之情呢？
2、
经过了“乱时代”，
我们要引领“大时代”
1931年，张忠谋出生在浙江宁波。父亲是县里的财政处长，家境颇为殷实，也为他创造了良好的教育环境。
可在那个战乱四起的年代，张忠谋还是免不了随着家国命运一起颠沛流离。 1932年张家迁居南京，1937年抗日战争爆发，一家人又匆匆南下广州，而不久后广州又遭到日军轰炸，辗转到了香港，可到了香港没几年，香港沦陷，一家人还是在q林d雨中日夜担忧，苟且偷生。
张忠谋至今还记得日军攻打香港时一个星期戒严，全城断水断粮的场景： “旅馆里的食物渐渐吃尽，后来吃的都是罐头，到最后罐头也吃尽了，幸而那时戒严已经结束了，等父母回到家中，财物已被歹徒抢劫……”
此后，一家人又南上重庆，一路要穿越战区，也是提心吊胆，九死一生。1945年日军投降，经历了短暂的狂喜之后，内战开打，国民党强制推出“货币改革”，其实就是用一文不值的“金圆券”换老百姓手里的黄金、美金，洗劫人民的财产供他们逃跑之用。
张忠谋在上海亲眼见到，由于对金圆券没有信心，民众把所有的钱都争抢着去买不动产保值，导致上海房价一天上涨数倍。 这就是一个政权末日时的疯狂。
江山鼎革之际，张家人再度搬到了香港，张忠谋也在当地的培英中学读书，毕业后留学美国，入读哈佛大学。
从乘飞机前往美国的那一刻起，张忠谋知道，自己经历了十几年的“乱时代”算是过去了。多年之后，当张忠谋深入了解到半导体行业的前景之后，他做出了一个判断： “这个世界由野心家引领的乱时代过去了，未来是和平的时代、拼经济的年代，而企业家就是引领这个大时代的人物”。
正是因为有着类似中国古代知识分子“登车揽辔，澄清天下”的情怀，1987年，56岁的张忠谋接受了“台湾工业技术研究院”的邀请担任院长，但他并不满足于在实验室里的工作，他想要创办一家中国人自己的芯片公司，于是开始了人生第一次创业。
在那个个人电脑鲜有人接触，智能手机更是没有出现的年代，从事半导体芯片行业想要做大市场，谈何容易？
在张忠谋的前面，还有IBM、英特尔这样的行业航母霸占了巨大的市场份额，他一个技术出身的人，不懂得资本运作，想要迎头赶上更是难上加难。 正是这样的现实，让许多人嘲笑这位56岁还要出来“折腾”的半导体老兵，有人劝他，在大企业里再干几年就退休了，领着高额的退休金，当个“院长”名利双收那日子不香吗？
要做事的人，总是会经历这些嘲笑和不解，如果他们也和普通人一样，安于现状，混吃等死，只想着把自己的小日子过好，那么奇迹要谁来创造呢？
3、
“老兵不死，只是凋零”
面对着重重困难，张忠谋秉承着一颗要引领大时代的心，一个一个的迎头解决。
首先，做芯片需要庞大的资金，张忠某没有，但是他想到了办法，台积电先提供芯片代工，让小规模的制造商专注于开发与半导体相关的知识产权，而无需先付出巨大的固定成本，大幅降低了半导体公司进入的门槛。
在台积电创办的第二年，迎来了第一位大客户——英特尔。 英特尔的创始人之一Andrew Grove亲自来到台湾参观，在看过张忠谋的产品之后，竟然给出了266个缺陷的意见。 台积电的工程师们夜以继日的优化工艺，最终通过了英特尔的认证，赢得了第一张大合同。
这次订单非常关键，不仅给台积电带来了利润，还因为有了英特尔的背书，台积电在业内的名气开始慢慢打响。
接下来的30多年，张忠谋带领着台积电一步一个脚印，不断攀上了新的高峰。
1997年，台积电在美国纽约证券交易所上市。
2002年，台积电成为第一家进入半导体产业前十名的晶圆代工公司。
2010年，台积电为全球四百多个客户提供服务，生产超过七千多种的芯片。同年全年营收为新台币4,195.4亿元，不断刷新纪录。
2017年3月20日， 台积电的市值首富超越了英特尔，成为全球市值最高的芯片公司。同年台积电净利润达到800亿元，是同年华为公司的两倍。
2019年，台积电在美国《财富》杂志评选为 "全球最大500家公司" 排行榜中，营收规模名列全球第363名，获利规模名列全球第39名。同年，2019年8月，在"全球顶尖100家公司" 排行榜中，公司市场价值名列第37名。
今年已经89岁的张忠谋，在2018年的时候宣告了从台积电退休，将公司业务全部交予后辈打理。但是，他的另一份事业又重新开始了，那就是写作。用张忠谋自己的话来形容退休状态，就是“老兵不死，只是凋零”。
少年时的张忠谋，曾经也是一位文学爱好者，有着一个作家梦。 但是父亲在看了他写的文章后，说了一句：“如果你选择当作家，恐怕要饿肚子了”。这句话点醒了张忠谋，他很认真的读了自己的文章后，也意识到和专业的作家水准还有很大的差距。于是放弃报考文科，选择了攻读商科。
“世事洞明皆学问，人情练达即文章”，年少不经事的张忠谋，写的都是“为赋新词强说愁”的东西， 如今经历了80余年的沧桑，不仅读了万卷书，行了万里路，还引领了一个时代的崛起，再加上退休后有着大把闲暇，他终于又拿起了笔，准备为自己写一部传记。
我相信，这一定是一部非常精彩的传记，有让我们更深入的了解张忠谋和他所经历的“乱时代”和“大时代”。
自然界中有 10 万种材料，其中约 5000 种是层状材料。如果将它两两组合或者三三组合，那么可能性远远大于 100 万种，其物理性质也大有不同。
“纳米积木”（原子层范德华纳米材料及其异质结构），就是把不同的层状材料的单层或少层分离出来，像搭积木一样，通过堆叠、旋转等方式，设计特定的形状或结构，形成一个自然界中不存在的 “人造晶体”。
山西大学光电研究所韩拯就是玩转 “纳米积木” 的一位年轻教授，他通过设计特殊的结构，借用传统半导体器件的范例，在微纳米尺度新型半导体结构，展示了二维层状材料垂直组装电子器件的诸多新奇物理现象。
韩拯和合作者首次利用二维原子晶体替代硅基场效应鳍式晶体管的道沟材料，在实验室规模演示了目前世界上沟道宽度最小的鳍式场效应晶体管，将沟道材料宽度减小至 0.6 纳米。同时，获得了最小间距为 50 纳米的单原子层沟道鳍片阵列。
此外，他带领的研究团队首次报道的二维本征铁磁半导体自旋场效应器件，为继续寻找室温本征二维铁磁半导体提供了指导意义。
图 | 《麻省理工 科技 评论》“35 岁以下 科技 创新 35 人” 2020 年中国区榜单入选者韩拯
凭借上述研究成果，韩拯成功入选 “35 岁以下 科技 创新 35 人”（Innovators Under 35）2020 年中国区榜单，获奖理由为用二维功能材料制造新型的纳米电子器件，以新型的原子层次制造路线突破半导体工艺，为后摩尔时代晶体管工艺寻找新方案。
铅笔芯的主要成分是石墨，是典型的范德华材料。由于石墨中碳原子层与层之间的范德华结合力较弱，在纸上写字过程当中笔尖上“蹭”下来的二维碳纳米片，就成为了宏观下人们看到的字迹。直到 2000 年左右，英国曼彻斯特科学家安德烈・海姆（Andre Geim，AG）和康斯坦丁・诺沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）首次把石墨的单原子层（约 0.3nm 厚）分离了出来，并因此获得了 2010 年诺贝尔物理学奖。
韩拯以此为灵感，对物理、材料工程、微观世界等科学领域愈发好奇，这也跟他的成长经历息息相关。
韩拯是江苏人，本科考入吉林大学物理学院，开始核物理专业学习。之后考入中国科学院金属研究所材料学硕士专业。2010 年，他在法国国家科学中心 CNRS 下属的 NEEL 研究所攻读纳米电子学与纳米 科技 博士学位。其导师对于他的评价是：“年轻躁动、充满创新活力。”
之后他作为博士后，在美国哥伦比亚大学物理系，从事范德华人工异质结构的维纳器件量子霍尔效应和电子光学等物理性能研究。
“随着对自身行业的不断深入了解和研究，渐渐地进入了角色，也爱上了科研。” 韩拯告诉 DeepTech。
期间，他作为共同第一作者，完成了二维d道输运电子在 pn 结界面的负折射工作，为实现新的电子开关创造了基础，被 Physics World 杂志评为 2016 年度十大物理学突破之一。
在 2015 年 9 月，而立之年的韩拯决定回国，之后一直在中国科学院金属研究所开展新型人工纳米器件的量子输运调控研究。
对于他而言，在研究当中最享受和最开心的事莫过于，本来一个不太明白的事，不断地通过数据积累与同行讨论之后把它弄明白。
之后，韩拯团队以少数层二硫化钼为研究体系，利用超薄（少数原子层）的六方氮化硼（h-BN）作为范德华异质结的隧穿层，系统开展了隧穿晶体管器件研究。
图 | 硫化钼隧穿晶体管光学照片（比例尺 5 微米）、多工作组态整流效应、以及垂直方面切面图
通过在金属和半导体 MoS2 界面之间引入隧穿层 h-BN，可有效降低界面处的肖特基势垒，从而实现通过局域栅电极对通道 MoS2 费米能级的精确静电调控。所获得的 MoS2 隧穿晶体管仅通过门电压调控，即可实现具有不同功能的整流器件，包括 pn 二极管、全关、np 二极管、全开器件。
这项工作首次将双向可调的二极管和场效应管集成到单个纳米器件中，为未来超薄轻量化、柔性多工作组态的纳米器件提供了研究思路。
之所以选择纳米新材料这个方向，除了自身专业背景之外，更重要的是韩拯对科学一直抱有好奇心。
对此，韩拯表示：“硬盘的读写速率速度越来越跟不上 CPU 的运行速度，如果能把它俩合到一起去做存算一体，可以提高计算机的性能。最直接的方法就是把硅半导体与磁复合到一起，变成一个磁性半导体。”
韩拯团队采用惰性气氛下原子层厚度的垂直组装，发现 3.5nm 厚的 Cr2Ge2Te6 材料在铁磁居里温度以下能够保持优秀的载流子导通性，并且能够实现电子与空穴的双极场效应。该型纳米器件在门电压调控下，磁性亦能得到有效调控，并且与电输运相仿，存在双极门电压可调特性。
“磁性的来源是电子自旋和自旋之间的相互作用。目前，人们发现的室温铁磁性基本上要么在金属当中，要么在绝缘体当中，半导体的磁性很难维持到室温。科学家们一直在积极研究寻找室温下堪用的磁性半导体。” 韩拯告诉 DeepTech。
少数层 Cr2Ge2Te6 是目前已知的首个拥有内禀自旋和电荷态密度双重双极可调特性的二维纳米电子材料，这为继续寻找室温本征二维铁磁半导体提供了一定的指导意义。
例如，来自新加坡国立大学的研究团队在该研究基础上，进一步加强了离子掺杂胶的载流子浓度，将少数层 Cr2Ge2Te6 的铁磁居里温度增强了 4 倍，达到 250K（零下 25 摄氏度）温度。
除此之外，韩拯与合作者首次针对具有巨大面内电导率各向异性的二维材料碲化镓，通过垂直电场实现了对该各向异性电阻率比值的调控，从 10 倍调控至高达 5000 倍，该数值为目前已知二维材料领域里报道的最高记录。
这意味着发现了电子世界的 “交通新规”：在晶格传输过程中，受外电场的影响，电子的导电特性沿着不同方向表现出了一定的差异。
也就是说，如果将电子传输通道比喻成两条垂直的繁华街道。当没有电场时，一条是另一条通过率的 10 倍左右。一旦施加一定强度的外电场，这两条 “车道” 上的电子通过率差别可高达 5000 倍。
站在科幻角度来描述，这种材料可以制作成为一种新型各向异性存储器，当该存储器中一次性写入的数据，沿其中一个方向读取出来的是一本小说，而沿另一个方向读取出来的，则是一部电影。
发现的二维极限 GaTe 纳米电子器件展示出了门电压可调的、面内巨各向异性电阻效应（Giant Anisotropic Resistance），为实现新型各向异性逻辑运算、存储单元、以及神经元模拟器件等提供了可能。
之后，韩拯与合作者湖南大学刘松教授、金属研究所孙东明教授等人，首次提出了利用二维原子晶体替代硅基场效应晶体管 FinFET 的 fin 的沟道材料，通过模板生长结合多步刻蚀的方法，制备出了目前世界上沟道宽度最小的（0.6nm）鳍式场效应晶体管（FinFET），也是目前世界上最薄的鳍式晶体管。
FinFET 是一种为了解决由于进一步集成化需求，硅基平面场效应晶体管的尺寸被进一步缩小所引起的短沟道效应等问题，采用将沟道和栅极制备成 3D 竖直形态的鳍（fin）式晶体管。然而，受限于目前微纳加工的精度，报道的硅基 FinFET 沟道宽度最小约为 5nm。
该团队采用自下而上 Bottom-up 的湿法化学沉积，在高度数百纳米台阶状的模板牺牲层上连续保形生长单层二维原子晶体半导体，最终将 FinFET 的沟道材料宽度缩小至单原子层极限的亚纳米尺度（0.6 nm），几乎达到物理极限。
同时，采用多重刻蚀等微纳加工工艺，基于此制备演示了最小间距为 50 nm 的单原子层沟道鳍片阵列，为后摩尔时代的场效应晶体管器件的发展提供了新方案。
在工业界，尤其在半导体工业，大家都希望芯片的尺度越来越小，性能越来越高。FinFET可以把平面通道变成站立通道，这样就节约了大量的空间，如此一次就能在更小的面积里，储存更多的芯片或运算单元。
简单来讲，韩拯其主要研究的是功能材料在尺寸非常非常小的时候，有哪些有趣的物理性质和新奇的物理行为，并进一步利用这些有趣的物理现象，来组装制造成纳米尺度下的低功耗、多功能、智能化的小型电子器件。
事实上，一些范德华材料已经在例如透明柔性电子、能源催化等诸多性能方面超越了传统材料，具有诱人的发展前景。
“团队目前虽然以基础研究为主，但也正在逐渐努力从实验室走向应用，我们需要进一步在原始创新以及与应用研究交叉结合等方面多下功夫”。如何实现从零到一的创造发明，并不断加强研究的深度，将是韩拯团队后续工作中的首要目标。
“我们知道这很难，但是仍然要努力学习做一名孤独的研究者，一方面，是静下心来钻研的孤独，另一方面，则是在创新创造上独树一帜。” 韩拯告诉 DeepTech。
在下一阶段，韩拯表示将继续深耕纳米积木领域，专注在新原理、新结构、新制造方式等科学目标。用自下而上、原子层次制造的路线，与目前主流的自上而下半导体工艺相结合，从而展现更多的可能性。
相信在摩尔定律行将失效不久的将来，小尺寸的突破口，一定出现在纳米制造领域，例如自组装、生物模版、原子层次 3D 打印等等。
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