在集成电路领域,特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中,特征尺寸典型代表为“栅”的宽度,也即MOS器件的沟道长度。一般来说,特征尺寸越小,芯片的集成度越高,性能越好,功耗越低。
特征尺寸(沟道长度)的缩小虽然有明显的好处,但是也会带来一系列负面效应,统称为“短沟道效应”。例如,场效应管强调的是栅极电压的控制作用,但是在沟道短到一定程度时,源与漏之间会存在漏电流,即使撤掉了栅极电压,也可能关不断MOS管。
扩展资料
半导体器件(semiconductor device)通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
三端器件一 般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。
根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外。
还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。
此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。
随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战等系统中已得到广泛的应用。
参考资料来源:百度百科-特征尺寸
合晶半导体的纳米尺寸是指晶体管的物理尺寸,它是指晶体管的物理尺寸,也就是晶体管的物理尺寸,它是指晶体管的物理尺寸,也就是晶体管的物理尺寸,它是指晶体管的物理尺寸,也就是晶体管的物理尺寸,它是指晶体管的物理尺寸,也就是晶体管的物理尺寸,它是指晶体管的物理尺寸,也就是晶体管的物理尺寸,它是指晶体管的物理尺寸,也就是晶体管的物理尺寸,它的尺寸一般在几纳米到几十纳米之间,有的甚至可以达到几百纳米,这取决于晶体管的类型和结构。因此,合晶半导体的纳米尺寸可以从几纳米到几十纳米,甚至可以达到几百纳米。10纳米到20纳米之间。福顺半导体芯片的尺寸一般在10纳米到20纳米之间,具体尺寸取决于芯片的功能和性能要求。
福建福顺晶圆科技有限公司于2012年9月成立,是由台湾友顺科技控股的福建福顺微电子有限公司。
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