半导体制冷片如何用万用表来测试判断好坏？

半导体制冷片的好坏可以采用万用表测量其电阻，电流或者电压来进行判断，半导体制冷片电阻正常范围为0－0.05欧，半导体制冷片电流正常范围为0－0.09安，半导体制冷片电压正常范围为0－0.1伏。

1、首先需要将万用用笔两只表笔接在半导体制冷片和地线上，分红线和黑线，红线是连接半导体制冷片的正极，黑线是连接半导体制冷片的负极。

2、接下来确定是通过测半导体制冷片交流电流还是半导体制冷片直流电流来验证好坏，是直流电压，则要把档位调到如图直流区，接在测量的线路上。

3、线路是220v的话是选用黑线，如果是测半导体制冷片交流电流，则把档位调至交流电流档区，直流电流和交流电流对应两种不同的档位。

4、将红黑表笔插入排差，万用表读出数值00.4A。有数字显示即为正常的半导体制冷片线路的电流数字，则证明半导体制冷片良好。

扩展资料：

使用注意

1、在使用万用表之前，应先进行“机械调零”，即在没有被测电量时 ，使万用表指针指在零电压或零电流的位置上。

2、在使用万用表过程中，不能用手去接触表笔的金属部分 ，这样一方面可以保证测量的准确，另一方面也可以保证人身安全。

3、在测量某一电量时，不能在测量的同时换档，尤其是在测量高电压或大电流时 ，更应注意。否则，会使万用表毁坏。如需换档，应先断开表笔，换档后再去测量。

参考资料来源：百度百科－万用表

一种。霍尔效应。

确定半导体导电类型的实验方法就是霍尔效应测量了。再就是理论推导，根据元素类型，进行计算。

在磁场中，通电导体会出现横向电压的现象，多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

扩展资料：

在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

参考资料来源：百度百科-霍尔效应

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。