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RF即射频(Radio Frequency)的意思,通常缩写为RF。表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300KHz~30GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流,它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。有线电视系统就是采用射频传输方式。RF在半导体中的应用主要包括RF功率放大器、RF滤波器、RF控制器、RF收发器、RF识别器等。RF功率放大器利用半导体技术来放大射频信号,以满足更高的功率要求。RF滤波器利用半导体技术来过滤射频信号,以满足特定频率要求。RF控制器利用半导体技术来控制射频信号,实现对射频信号的有效控制。RF收发器利用半导体技术来接收和发射射频信号,以实现无线通信。RF识别器也利用半导体技术来识别特定射频信号,以实现智能物联网的功能。使用13.56MHz的原因: (1)根据国际通讯协会的规定,13.56MHz(及谐频27.12Mhz、 40.68Mhz) 915Mhz(微波)、2450Mhz(微波),非通讯频段,工业、及无线电爱好者可以使用,由此该频率的电源技术逐渐成熟,生产厂家也多,价格也相应低,选用该频率的用户也多。但在产生等离子体或偏压特性上衡量,13.56MHz并不是最佳选择。 (2)从产生自偏压而言,在13.56MHz范围,同样功率产生的自偏压(仅仅直流自偏压)大, 在芯片的等离子体刻蚀中绝大多数使用电负性气体等离子体,等离子体中有正、负离子。使用400Kz电源产生自偏压时,直流自偏压小,电压的正负半周期几乎对称,正、负离子在平偏压的负、正半周期内通过鞘层加速轰击待刻蚀的Si、SiO2槽、孔,不但提高刻蚀速率,还可以降被刻蚀低绝缘材料的电荷积累,有利于刻蚀深、宽比大的槽、孔,刻蚀后的侧壁形状陡直。 采用13.56MHz偏压源,存在负的自偏压,仅有正离子可以进入刻蚀槽孔、底部,负离子不能穿过鞘层进入刻蚀表面,电子可以在很小的时间段(瞬时偏压为正期间)进入槽、孔,但仅能达到上部,由此造成刻蚀绝缘材料的差分带电,导致刻蚀性能恶化。
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