关于半导体物理的mis结构问题

MOS为Metal-Oxide-Semiconductor 对应的为 金属-氧化物-半导体，MOS管又有P型MOS管和N型MOS管之分，MOS管构成的集成电路叫MOS集成电路，PMOS管和NMOS管互补共同构成的MOS集成电路叫CMOS集成电路 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体。BIOS 为Basic Input Output System，基本的输入输出系统，它是为计算机提供最底层，最基本的硬件设置和控制。在计算机中CMOS的作用主要作为RAM存放BIOS的相关设置，你可以发现每块主板上都有一块纽扣电池，就是给CMOS供电的，如果将电池卸下，BIOS设置被重置，CMOS中的信息丢失。

三极管的工作原理

三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。

一、电流放大

下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射 极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。三极管是电流控制型器件。

真正要弄明白三极管的工作原理要学量子力学，固体物理学，半导体物理学，晶体管原理4门课

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。

或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

当MOS电容的栅极(Gate)相对于衬底(BACKGATE)正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做沟道(channel)。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。所以MOS是电压控制型器件。

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