解决方法有三个: 1. 加严材料入检 2. 加强监控设备状态 3.严格要求制程数位指导和 *** 作训练。
首先澄清一个容易混淆的概念,在半导体物理中的“电子”一般理解为“电子载流子”,即位于导带上的电子。所以这里的”正离子填隙“不是提供了电子,而是提供了位于导带的电子。
两个角度去理解:
设问题中的半导体为本征半导体。首先考虑电中性条件,设正离子填隙密度为N,电子载流子密度为n,空穴载流子密度为p。有p+N=n再考虑热平衡条件,np==ni^2联立即可解得n>ni, 即掺杂后电子密度大于原电子密度。注意这里电中性条件适用范围是整个半导体,热平衡条件成立等价于Fermi-Dirac分布适用。
物理直观上,正离子填隙提供了正电中心。这些正电中心破坏了周围价电子形成的共价键(这里假设讨论的半导体是硅),使得他们更容易被激发到导带变成电子载流子,起到了施主杂质的作用。
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