若尔斯-阿尔费罗夫简介_阿尔费来德·施内德尔特_阿尔费德森

若尔斯-阿尔费罗夫，来自俄罗斯圣彼得堡约飞物理技术学院，1930年3月15日出生于白俄罗斯的维捷布斯克，1952年毕业于列宁格勒的乌里扬诺夫电子技术学院电子系。自1953年起，他一直担任约飞物理技术学院科学委员会委员。他曾经获得物理学和数学博士学位，并于1970-1971年间成为美国伊利诺伊大学访问学者。从1962年起，他一直致力于半导体异质结构的研究，任约飞学院院长若尔斯-阿尔费罗夫简介，俄罗斯科学院副院长。

他获得了两个科学学位：1961年技术科学候选人以及1970年物理数学博士学位-两个学位都是Ioffe研究所授予的。在1970-1971年度，他作为访问学者在美国伊利诺斯大学学习进修。自1962年开始若尔斯-阿尔费罗夫简介，他致力于III-V半导体异质结构领域的研究。他对物理学和III-V半导体异质结构技术，特别是在喷射特性、激光器的开发、太阳能电池、发光二极管、取向方法等方面作出了杰出贡献。现代异质结构物理学和电子学因此而创立。由于他在这方面所取得的成就，阿尔费罗夫教授获得苏联、俄罗斯与国际许多奖项和荣誉会员称号以及2000年的诺贝尔奖。

1990年，阿尔费罗夫教授被选为苏联科学院(后改名为俄罗斯科学院)的副院长，仍担任此职。

阿尔费罗夫著有4本专著，发表了500多篇科学论文，在半导体技术方面有着50多项发明。

有一颗小行星是以若尔斯?阿尔费罗夫的名字命名的(2001年)。

瑞典皇家科学院宣布，俄罗斯科学家泽罗斯·阿尔费罗夫、美国科学家赫伯特·克勒默和杰克·基尔比，因在“信息技术方面的基础性工作”而获本年度诺贝尔物理学奖。

瑞典皇家科学院发布的新闻公报说，三位科学家“通过发明快速晶体管、激光二极管和集成电路”，为现代信息技术奠定了坚实基础。其中，阿尔费罗夫和克勒默将分享今年一半的诺贝尔物理学奖奖金，以表彰他们在半导体异质结构研究方面的开创性工作。基尔比则因在发明集成电路中所作的贡献，而获得了总额为900万瑞典克朗（约合100万美元）的奖金的另一半。

现代信息技术近几十年深刻改变了人类社会，它的发展必须具备两个简单但又是基本的先决条件：一是快速，即短时间里传输大量信息；二是体积小，携带起来方便，在任何场合都能使用。三位科学家的成果满足了这两个要求。

阿尔费罗夫与克勒默为满足上述第一个先决条件作出了重要贡献。他们发明的半导体异质结构技术，已广泛应用于制造高速光电子和微电子元件。所谓异质结构半导体，主要由很多不同带隙的薄层组成。通信卫星和移动电话基站等都采用了异质结构技术制造的快速晶体管。利用异质结构技术制造的激光二极管，也使光纤电缆传输因特网信息得以实现。半导体异质结构技术还可用于制造发光二极管，汽车刹车灯和交通灯等都用到发光二极管，常用的电灯在未来也有可能被发光二极管取而代之。

富兰克林学会Ballantyne奖章(美国，1971年)；

列宁奖(苏联，1972年)；Hewlett-Paccard欧洲物理学奖(1978年)；

国家奖(苏联，1984年)；GaAs及相关化合物国际研究会奖及Heinrich Welker奖章(1987年)；

A. P. Karpinskii奖(德意志联邦共和国，1989年)；

A. F. Ioffe 奖(俄罗斯科学院，1996年)；Demidov奖(俄罗斯联邦，1999年)；

A. S. Popov 奖章(俄罗斯科学院，2000年)；

Nick Holonyak Jr. 奖(美国光学学会，2000年)；

诺贝尔奖(瑞典，2000年)；Kyoto奖(Inamori基金会，日本，2001年)；

国家奖(俄罗斯联邦，2001年)；

V.I. Vernadskiy奖(乌克兰国家科学院，2001年)；

金盘奖(美国成就学院，2002年)；

国际光学工程学会金质奖章(国际光学工程学会，2002年)；

全球能源奖(俄罗斯联邦，2005年)

阿尔费罗夫和克勒默发明了用于快速光电和微电子元件的半导体异质结构技术。异质结构是由具有不同禁带宽度的半导体材料薄层构成（如砷化镓、铝镓砷化合物、磷化铝、铝镓砷磷化合物、硅、锗硅合金等）。这些薄层，可薄至单原子层，也可厚至几个微米。通常人们用晶体结构互相匹配的材料构成异质结构。

异质结构技术非常重要。通信卫星和移动电话基站等采用了异质结构技术制造的快速晶体管。利用异质结构技术制造的激光二极管，可应用于光纤通讯网络和光数据存储（CD和DVD）。半导体异质结构技术还可用于制造发光二极管，汽车刹车灯和交通灯等都用到发光二极管。异质结构对科学研究也具有非常重要的意义，在半导体接触层中形成的二维电子气所具有的特性是研究量子霍尔效应的出发点。

基尔比是集成电路的发明者之一，第一块集成电路就由他研制成功。由于集成电路的发明，微电子已成为所有现代技术发展的基础。由于微电子技术的广泛应用，电子设备的体积大大缩小，功能和速度大大加强，对环境的污染也得到减轻。

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

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