半导体应变片工作原理是什么？

半导体应变片 在受到应力作用时，其电阻会发生相应的变化，因此可制做测力传感器，广泛应用于自动衡器及力、速度等的测量。

半导体应变片有以下几种类型：

1）体型半导体应变片

这是一种将半导体材料硅或锗晶体按一定方向切割成的片状小条，经腐蚀压焊粘贴在基片上而成的应变片。

2）薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上而制成。

3）扩散型半导体应变片

将P型杂质扩散到N型硅单晶基底上，形成一层极薄的P型导电层，再通过超声波和热压焊法接上引出线就形成了扩散型半导体应变片。图2.1.4为扩散型半导体应变片示意图。这是一种应用很广的半导体应变片

简单说明如下，

半导体的压敏性，当外加电压变化达到某一特定阈值时，导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如，压敏电阻。 压敏电阻，是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

半导体的光敏性，在特定频率的光照下，可导致其电阻率发生变化的性质。例如，光敏电阻。

半导体的热敏性，由于温度变化，可导致其电阻率发生变化的性质。例如，热敏电阻。

一、熔断器是根据其功能来划分其工作等级的。此时,第 1 字母表示功能等级,而第 2 字母是表示被保护的对象。

1、第 1 字母

a 局部范围保护 (后备保护熔断器)

g 全范围保护 (一般用途熔断器)

2、第 2 字母

G 电缆和导线保护 (一般应用)

M 开关电器保护(电动机回路的保护)

R 半导体保护 (用作整流器保护)

L 电缆和导线保护(根据 DIN VDE 规定)

二、1、熔断器aR (DIN VDE/IEC) 局部范围的半导体保护

2、熔断器gR (DIN VDE/IEC) 全范围的半导体保护

三、此外,在 DIAZED- 熔断器上还标识"慢动作"与"快动作",IEC/CEE/DIN VDE 中都对此作了规定(DIN 是德国国家标准的代码,类似于中国国家标准号码前会有"GB"字样一样；VDE 是世界权威认证机构,("德国电气工程师协会"的简 称)他们能自己发布安规标准,且他们发布的标准常被采纳为德国国家标准。"VDE DIN"放在德国标准前就是表示此标准是VDE 出版的德国国家标准。 IEC 是国际电工委员会(International Electrotechnical Commission))。

1、"快动作"特性是指熔断器在短路条件下的断开速度要快于工作等级 gL/gG。用于直流-铁道供电系统中的 DIAZED-熔断体为"慢动作"特性,它特别适用于分断具有较大电感的直流电流。

2、熔断器的快动作和慢动作特性也适用于保护电缆和导线,全范围-熔断器(gL/gG、gR、快动作、慢动作),它既能安全可靠地断开过载电流,也能安全地断开短路电流。局部范围熔断器只能用作短路保护 (aM、aR)。

3、字母简介：

gL (DIN VDE)/gG (IEC) 全范围的电缆和导线保护

aM (DIN VDE/IEC) 局部范围的电动机回路保护

aR (DIN VDE/IEC) 局部范围的半导体保护

gR (DIN VDE/IEC) 全范围的半导体保护

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