电子技术半导体集成电路有指plc吗

电子技术半导体集成电路有指plc吗,第1张

通常说“集成电路”是指集成电路的芯片(IC),如 TTL 的74系列、51系列的单片机,不包括 PLC。

可编程逻辑控制器是电子整机,是一种工控计算机,内部电路采用各种集成电路芯片。

plc主要由电源、中央处理单元、存储器、输入/输出单元四部分组成。存储器是具有记忆功能的半导体电路,它的作用是存放系统程序、用户程序、逻辑变量和其他一些信息。其中系统程序是控制PLC实现各种功能的程序,由PLC生产厂家编写,并固化到只读存储器(ROM)中,用户不能访问。可编程逻辑控制器是种专门为在工业环境下应用而设计的数字运算 *** 作电子系统。它采用一种可编程的存储器,在其内部存储执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数和算术运算等 *** 作的指令,通过数字式或模拟式的输入输出来控制各种类型的机械设备或生产过程。电源用于将交流电转换成PLC内部所需的直流电j目前大部分PLC采用开关式稳压电源供电。中央处理器是PLC的控制中枢,也是PLC的核心部件,其性能决定了PLC的性能。中央处理器由控制器、运算器和寄存器组成,这些电路都集中在一块芯片上,通过地址总线、控制总线与存储器的输入/输出接口电路相连。中央处理器的作用是处理和运行用户程序,进行逻辑和数学运算,控制整个系统使之协调。

1、NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。

NPN:是由两个N型半导体和一个P型半导体组成。

PNP:是由两个P型半导体和一个N型半导体组成。

2、电流方向

NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC >VB >VE

PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC <VB <VE

3、电压区别

NPN基极高电压,集电极与发射极短路。低电压,集电极与发射极开路。也就是不工作。

PNP基极高电压。集电极与发射极开路,也就是不工作。如果基极加低电位,集电极与发射极短路。

扩展资料

工作原理:

晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)基极区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散。

但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:

Ie=Ib+Ic

这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:

β1=Ic/Ib

式中:β1--称为直流放大倍数,

集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:

β= △Ic/△Ib

式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

同理,PNP三极管则主要是形成空穴电流,其余原理基本相近。

三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。

参考资料来源:百度百科:PNP型三极管


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