半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
液体可以是半导体
功函数的差别是基本因素。不同材料(甚至液体-固体,液体-液体)之间的接触势垒都可以根据其功函数差来确定。半导体的功函数是Fermi能级与真空自由电子能级的差,同一种半导体的p型材料与n型材料接触时,因为n型半导体的功函数小于p型半导体,所以电子将向p型一边转移....形成pn结势垒。
对于同一种材料(譬如n型Si和p型Si),也可以由载流子浓度的差别来考虑,但是最基本的还是功函数差。
但是,对于不同种类半导体的接触,不管它们之间的载流子浓度差别有多大,也必须由功函数差来确定其势垒;这时就有可能电子从浓度低的一边转移到浓度高的一边。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)