俄罗斯欲投资超3万亿卢布国产化芯片，为什么不与中国合作？

这几天，据报道，俄罗斯制定半导体的国产化战略，预计到2030年总拨款3.19万亿卢布（约2500亿人民币，或393亿美元）用于半导体制造、芯片研发、数据中心基础设施以及人才培养等。

四月初，俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)获得了俄罗斯贸工部一个6.7亿卢布（约5100万人民币）用于研发新一代EUV光刻机的合同，行业都觉得用这么少的钱想要研发光刻机不可能，因此引起业界热议，详情请看笔者撰写的《重磅！俄罗斯投资6.7亿研发EUV光刻机！成功率有多大？》。

本文首先介绍俄罗斯半导体国产化的背景、俄罗斯半导体国产化战略，最后简要分析为什么不与中国等进行合作。

2014年3月克里米亚公投入俄后，欧美国家对俄相继出台了多项制裁措施，禁止俄金融机构进入欧盟资本市场、对俄实施武器禁运、禁止对俄出口用于军事目的的军民两用产品以及禁止对俄能源行业出口高技术设备以及高 科技 产品等。

同时，俄罗斯上述领域对国外先进技术产品和国际资本市场融资的依赖程度极高。梅德韦杰夫在2015年4月的俄政府工作会议上指出：俄罗斯机床设备的进口达到90%，民用飞机进口超过80％，重型机械进口达到70％，石油开采设备进口达到60％，农机设备的进口在50％ ~90％之间，受制裁影响，2014年俄罗斯进口国外(包括独联体国家)机器设备的支出减少了12％，为1362亿美元。到2015 年，该数额大幅减少为818亿美元，仅为2014年的40％。

从2014年到2022年的八年间，俄罗斯一直被制裁。2014年俄罗斯央行称GDP约合1.03万亿美元，增长率只有0.6%，到2021年俄罗斯GDP 1.7万亿美元。

不过，普京上任后的俄罗斯非常重视 科技 领域的研发投入。

主要投入在基础研究领域，发明专利，先进生产技术开发和应用方面以及国家 科技 创新优先发展方向的成果方面。

据笔者Challey查询资料，从《2014 ~ 2020 年俄罗斯 科技 综合体优先发展研发方向联邦专项计划》实施的效果来看，基本达到预期目标。在此期间，该专项计划共投入资金1 723亿卢布，其中联邦预算内资金投入1 395亿卢布，预算外资金投入为328亿卢布。

在联邦预算内投入资金中，资本性投入占比为20.4％，应用研发投入占比为61.2％。

在联邦预算外投入的资金中，则大多用于应用研发，比例高达96％，实施该专项计划的成果包括: 2014 ~2019年间共签署了2 812 个合同和协议，合同和协议金额达到1 306亿卢布，其中资本性支出类占比17.6％，科学应用研发类占比64.3％，其它类占比18.1％。

收录在Scopus和Web of Science引文数据库的核心论文7 701 篇，专利申请数量为5038件，参与该专项的科研人员平均年龄为40 岁，而40 岁以下参研人员的比例为61.5％。吸引到预算外资金达605亿卢布，额外的研发经费支出(其中包括预算外资金来源) 金额达1403亿卢布。

但是，到今年3月，俄乌冲突以来，“ 科技 无国界”的神话就彻底破灭了。

3月以来，从开源红帽子RedHat，Docker、SUSE、GitHub到微软、苹果、谷歌等，从AMD、Intel等芯片供应商到台积电等半导体制造商，无论是硬件还是软件，无论是开源还是闭源，全部撤出俄罗斯，并对其进行了限制或者制裁。甚至有报道称俄罗斯国内数据存储可用云存储仅够维持两个月。

因此，尽管经济方面依然困难，但俄罗斯还是拿出可观的经费投入半导体的国产化。从3月30日贸工部的6.7亿卢布光刻机研发到现在的3.19万亿卢布完全国产化战略，可见俄罗斯的决心非常大。

俄罗斯政府的国产化战略主要是制定全新微电子开发计划，到2030年投资3.19万亿卢布（取整约2500亿人民币，或393亿美元，2022.4.19日换算，汇率会有所波动），主要用于开发本地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、本土人才的培养以及自制芯片和解决方案的市场推广。

这项计划将于2022年4月22日敲定并提交俄罗斯总理梅德韦杰夫正式批复。

计划投资 4200 亿卢布（约 51.77亿美元）用于开发新的制造工艺和后续改进。短期目标之一是在今年年底前使用90nm制造工艺提高本地芯片产量。长期目标是到 2030 年实现 28nm的芯片工艺制造。

不过，台积电于2011年就做到了这点。

俄罗斯现有数据中心大约70个。该计划预计投资4600亿卢布（约56.5亿美元），到2030年预计全国数据中心增加到300个。

预计投资3090亿卢布（约38亿美元），用于开发至少400个新型电子产品原型，并开展 2000多个研究项目。

计划制定者还希望将国内高校毕业生的 “人才转换”比例从当前的 5% 提升到35%。

此外，计划还包括在现有和新成立的高校设计培养中心基础上创建至少1000个设计团队。

在四月初笔者Challey撰写的 《俄罗斯投资6.7亿卢布研发EUV光刻机！成功率有多大？》中提到，俄罗斯贸工部投资6.7亿卢布（现约5300万人民币，或830万美元）委托莫斯科电子技术学院 (MIET)开发新一代X射线EUV光刻机。

在文中提到，其实MIET研发X射线光刻机已经有15年了。

“我们谈论的是长期的研发工作，从好的方面来说，这应该在 15 年前就开始了，” Stimulus 杂志作者 Alexander Mechanik说。”

尽管这笔不到1000万美金的投资很少，但是俄罗斯拥有全球顶尖的数学人才，而且还有后续的投资。现在，后续人才和芯片制造方面的追加投资也即将正式批复。那么这个计划的成功概率要大很多了。

只是，俄罗斯缺乏足够的市场，如果不能联合其他国家/市场实现标准化，那么即使研发出光刻机，也很难推广开来。因此，与中国、印度等国家合作才可能在资金、市场、技术等方面进行互补，从而提高研发的成功率，并取得更快的进度。

那么，为什么俄罗斯要独立进行国产化而不与中国等国家的 科技 力量合作呢？

这个问题可能要从多方面来分析。

首先是技术体系 ，从上面的新制式EUV光刻机来说，俄罗斯研发的是X射线光刻机，尽管中国也进行了试验，但是被证明效率太低，没法大规模使用；另一方面，俄罗斯在半导体的某些应用方面的方式与世界主流有所不同。

其次是市场目标 ，俄罗斯的目标，无论是未来数年还是以往数年，首先是满足国内有限的民用市场和重要的军用市场。从以往来看，俄罗斯还没有完全融入全球半导体市场，所以其目标市场决定了其战略不同。

而 在外部合作方面 ，俄罗斯深知，假如邀请中国企业合作，中国等国家的企业肯定会要求深度参与，而且俄罗斯对自有研发的技术非常保密。这个谈判过程很难又漫长。

同时，中国企业也会考虑要不要与俄罗斯合作，因为这会导致欧美对中国企业的制裁。

因此双方都在考虑。

合作模式方面 ，可能合作时机还未到。譬如俄罗斯的格洛纳斯卫星系统与中国的北斗卫星系统只有在双方技术都成熟的时候才开始进行合作。

未来，可能中俄的 科技 合作也大都会是这种方式。

这或许也是俄罗斯完全国产化的真正含义吧。

作者：Challey

国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中，第三代半导体被列为国家面向2030年重大项目之一。厦门市也把第三代半导体产业列入着力培育的具有发展潜力的十大未来产业。近年来在中央和各地政府出台政策的大力支持下，以及伴随新能源、智能制造、人工智能、5G通信等现代产业兴起所带来的庞大市场需求的推动下，一大批行业龙头企业近年来纷纷展开大规模投资，以期赢得发展先机。目前国内厂商在第三代半导体有全产业链的布局，产业已呈现快速发展势头。

夯实第三代半导体产业基础

虽然第三代半导体有着诸多优异的性能，但它也不是“万用神丹”。例如，智能手机中的处理器、电脑中的CPU等，从目前看不太有可能换为第三代半导体材料，至少在相当长的时间里第三代半导体还不可能完全取代前两代。

第三代半导体是以宽禁带为标志，决定了它的制造难度不可能比前两代低，暂且不说它能否制成各种功能的替代芯片，就是生产同样功能的器件，第三代半导体对制造工艺和设备的要求也不可能更低，成本也难以更低。

第三代半导体无论是单晶生长、外延层生长还是器件制造，目前处于领先地位仍是美国、欧洲、日本。况且许多基础的半导体工艺技术是相通的，无论哪一代半导体都需要，而在这些基础方面人家比我们强，想跳过或绕过这些薄弱点弯道超车或换道超车，是不太现实且有风险的。

产业的发展有其自然规律，我们可以通过政策、资金等推动加快发展，而不应是光想着跳过、绕过或其他取巧的方式。要改变我们在半导体芯片方面的被动局面，光靠第三代半导体是不够的，更不是一朝一夕就能实现的，需要上游的材料和设备，中游的芯片设计、制造和封测，下游的应用等全产业链较长时期的共同努力，补上我们在半导体基础技术、工艺、设备等方面的短板，夯实基础，才有可能实现在第三代半导体突破性发展。

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