辐射的计量单位是多少

辐射就是指高能粒子流（射线）。每单位物质质量所接受的辐射能量称为剂量，常用拉德（rad）或者戈瑞（Gray）作为计量单位，它们与其它常用能量单位之间的关系为：1rad = 100erg/g = 6.24×1013eV/g，1Gray = 1J/kg = 100rad。 显然，在辐射强度一定的情况下，所接受到的辐射剂量与材料本身的原子密度有关；密度大者，接受的剂量大，密度小者，接受的剂量小。例如，对于常见的几种微电子材料，其剂量之间的关系为：1rad（Si）= 0.58rad（SiO2）= 0.94rad（GaAs）。 整个材料或者器件所接受到的辐射剂量的总和，即称为总剂量（TID）。 此外，在半导体器件和IC的抗辐射技术中，有时还会用到所谓辐射的通量和积分通量的概念。通量就是指单位时间、照射到单位面积上的高能粒子的数目，单位是[粒子数/(cm2-s)]；积分通量就是指在整个作用时间内、照射到单位面积上的高能粒子的数目，单位是[粒子数/cm2]。 国家不允许的 更不会设定标准的

如何计算辐照设备所产生的辐照剂量？答：要看辐照装置型号、钴源保有量、辐照时间、产品密度等信息。不能单纯从辐照设备来讲辐照剂量。一般辐照剂量可以通过跟随产品的剂量计来反映产品的吸收剂量。也可以通过产品剂量分布试验时得出的剂量率及辐照时间计算产品吸收剂量，但是需要考虑钴源衰减系数，且推算法误差会不较大。

每种食品和医疗器械所对应的辐照灭菌剂量是多少？答：各个产品的剂量必须分别考虑，因为各个工厂、品种产品的初始污染菌数各不相同，甚至灭菌后的要求也不一样，所以需要区别考虑。食品可以用公式法计算辐照剂量，医疗产品可以通过剂量设定确认辐照剂量。

空间辐射环境下，高能电子容易在航天器外围介质材料内部或穿过航天器屏蔽层在其内部的介质材料上沉积。

当这些介质材料表面与周围其他部件的电位差或者材料内部沉积电荷产生的电场超过一定阈值时会发生放电现象，即

深层充放电效应

。介质的深层充放电效应可以影响材料的绝缘性能，产生的放电脉冲会干扰航天器上电子仪器的正常工作，严重时会使航天器发生故障。

空间辐射对电子学系统的辐射破坏主要有电离效应和位移损伤。电离效应又包括总剂量电离损伤和单粒子效应。总剂量电离损伤可使半导体电导率发生变化,

漏电流的增加和时间响应的变坏等,

表面器件以总剂量电离损伤为主。

单粒子效应

see

(single

even

t

effect)

是粒子辐射的另一类电离效应。当高能重离子穿过半导体存储器的灵敏体积时,

它在单位距离上产生很高的电离密度,

有可能产生足够的电荷使存储态翻转,

导致存储信息的错误,

这就是所谓的单粒子扰动seu

(single

even

t

up

set)

,

有时也称之为软错误,

这类错误可以通过程序重写等方法进行改正,

但无疑对计算机系统性能降低或失灵存在潜在威胁。还有另一类称之为硬错误的单粒子效应,

硬错误包括单粒子烧毁seb

(single

even

tbu

rnou

t)

和单粒子锁闭sel

(single

even

tlatchup

)

等,

除非电路电源电流有限,

这类错误的发生将导致半导体器件物理上的永久性破坏。

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