IGBT是什么

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文缩写。可以翻译做绝缘栅双极晶体管。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。

IGBT是一种功率晶体，运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能，使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。

作为半导体行业关注者来说一下自己的见解。科达半导体的设计研发能力，目前在国内都是行业领先的。就拿硬件设施来说吧，科达半导体拥有国内领先的功率器件设计中心，性能测试实验室和可靠性实验室，还拥有省级设计中心，省级功率半导体工程中心；除此以外，还曾多次获得科技部、国家发改委等部门的专项支持；而实施的节能汽车与新能源汽车专用IGBT芯片研发与产业化项目等项目，均被列入山东省自主创新成果重大转化项目。目前2019年度山东省重点研发计划重大科技创新工程(第一批)拟立项项目名单中，科达半导体也在其内，实力可见一斑。

---