协同通信ECP集通信录、短信群发、电话会议、视频会议、网络传真、智能电话、即时消息等诸多功能于一体。可以有效提升工作效率，降低企业综合运营成本。
长电 科技 是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。
通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电 科技 的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电 科技 在全球拥有23000多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾22个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
随着市场对便携式移动数据访问设备的需求快速增长，市场对功能融合和封装复杂性的要求也在提升。同时对更高集成度，更好电气性能、更低时延，以及更短垂直互连的要求，正在迫使封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中。
长电 科技 积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔(TSV)等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。
3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。
• 封装级集成
利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括：
堆叠芯片 (SD) 封装 ，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。
层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。
封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。
3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括：
嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电 科技 的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。
包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。
WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。
在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电 科技 的硅级集成产品组合包括：
2.5D / 扩展 eWLB - 长电 科技 基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。
MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电 科技 在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电 科技 还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
长电 科技 为以下封装选项提供晶圆级技术：
• eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列）
• eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装）
• WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
• IPD（集成无源器件）
• ECP（包封芯片封装）
• RFID（射频识别）
当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电 科技 在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。
突破性的 FlexLineTM 制造方法
我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。
系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。
什么是系统级封装？
系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。
先进 SiP 的优势
为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案：
• 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸
• 提高了性能和功能集成度
• 设计灵活性
• 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离
• 减少系统占用的PCB面积和复杂度
• 改善电源管理，为电池提供更多空间
• 简化 SMT 组装过程
• 经济高效的“即插即用”解决方案
• 更快的上市时间 (TTM)
• 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块
应用
当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、 汽车 、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。
以下是高级 SiP 应用的一些示例：
根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。
在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。
长电 科技 提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电 科技 的丰富倒装芯片产品组合包括：
FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。
颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE
长电 科技 还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电 科技 投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。
fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电 科技 提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。
长电 科技 的多种封装方法都采用焊线互连：
铜焊线
作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电 科技 可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。
层压封装
基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电 科技 提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。
除了标准层压封装之外，长电 科技 还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。
引线框架封装
引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电 科技 提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。
存储器器件
除了增值封装组装和测试服务之外，长电 科技 还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电 科技 的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。
全方位服务封装设计
我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电 科技 的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
MEMS and Sensors
随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和 汽车 市场的众多系统中。
传感器
传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等
微机电系统 (MEMS)
MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、 汽车 和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。
集成一站式解决方案
凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电 科技 能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电 科技 能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。
1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置
2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片
3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置
4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电 科技 提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
全方位一站式解决方案的优势
• 缩短产品上市时间
• 提升整体流程效率
• 提高质量
• 降低成本
• 简化产品管理
长电 科技 位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。
晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。
长电 科技 在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
长电 科技 的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。
封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长： 公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益 于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务 结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡 星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面 扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、 厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。
公司可为客户提 供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成 为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配 套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一 步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖 了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封 装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、 汽车 电子、高容量 存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方 案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。
用户资源和 高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公 司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同 时，韩国厂的 汽车 电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率 和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线 资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。
不要把概念混淆了。不是你理解的这样的。BIOS
在使用计算机的过程中，免不了要和主板上的BIOS、CMOS打交道，下面介绍一下这方面的常识。
BIOS
BIOS，即微机的基本输入输出系统(Basic Input－Output System)，是集成在主板上的一个ROM芯片，其中保存有微机系统最重要的基本输入／输出程序、系统信息设置、开机上电自检程序和系统启动自举程序。在主板上可以看到BIOS ROM芯片。一块主板性能优越与否，在一定程度上取决于板上的BIOS管理功能是否先进。在BIOS中主要有：
1.BIOS中断例程
即BIOS中断服务程序。它是微机系统软、硬件之间的一个可编程接口，是计算机中最底层的软件，用于程序软件功能与微机硬件实现的衍接，对于同一计算机安装的各种不同的 *** 作系统，其BIOS都是相同的。可以认为，BIOS是各种 *** 作系统的共同部分。DOS／Windows／ Unix *** 作系统对软、硬盘、光驱与键盘、显示器等外围设备的管理都建立在系统BIOS的基础上。程序员也可以通过对INT 5、INT 13等中断直接调用BIOS中断例程。
2.BIOS系统设置程序
微机部件配置情况是放在一块可读写的CMOS RAM芯片中的，它保存着系统CPU、软硬盘驱动器、显示器、键盘等部件的信息。关机后，系统通过一块后备电池向CMOS供电以保持其中的信息。如果CMOS中关于微机的配置信息不正确，会导致系统性能降低、零部件不能识别，并由此引发系统的软硬件故障。在BIOS ROM芯片中装有一个程序称为“系统设置程序”，就是用来设置CMOS RAM中的参数的。这个程序一般在开机时按下一个或一组键即可进入，它提供了良好的界面供用户使用。这个设置CMOS参数的过程，习惯上也称为“BIOS设置”，也有称“CMOS设置”的。新购的微机或新增了部件的系统，一般都需进行BIOS设置。
3.POST上电自检
微机接通电源后，系统将有一个对内部各个设备进行检查的过程，这是由一个通常称之为POST(Power On Self Test，上电自检)的程序来完成的。这也是BIOS的一个功能。完整的POST自检将包括CPU、640K基本内存、1M以上的扩展内存、ROM、主板、CMOS存储器、串并口、显示卡、软硬盘子系统及键盘测试。自检中若发现问题，系统将给出提示信息或鸣笛警告。
4.BIOS系统启动自举程序
在完成POST自检后，ROM BIOS将按照系统CMOS设置中的启动顺序搜寻软、硬盘驱动器及CDROM、网络服务器等有效的启动驱动器，读入 *** 作系统引导记录，然后将系统控制权交给引导记录，由引导记录完成系统的启动。
CMOS
CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体，一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定值。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过上面谈到的设置程序完成的。早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的(如IBM的PC／AT机型)，使用很不方便。现在CMOS设置程序固化在BIOS芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入CMOS设置程序方便地对系统进行设置。
现在的CMOS RAM一般都有128字节及至256字节的容量。为保持兼容性，各BIOS厂商都将自己的BIOS中关于CMOS RAM的前64字节内容的设置统一与MC146818A的CMOS RAM格式一致，而在扩展出来的部分加入自己的特殊设置，所以不同厂家的BIOS芯片一般不能互换，即使是能互换的，互换后也要对CMOS信息重新设置以确保系统正常运行。
BIOS升级
现在奔腾级以上的主板上的BIOS大都采用电可擦新的Flsah Memory只读存储器为载体，这就为BIOS的升级带来极大的方便。
Flash Memory是一种新型非挥发性存储器，中文译名为快擦型存储器(有的也译为闪速存储器),是日本东芝公司于1980年申请专利，并在1984年的国际半导体学术会议上首先发表的,具备高速性，可以整块芯片电擦除、耗电低、集成度高、体积小、可靠性高、无需后备电池支持、可重新改写、重复使用性好（至少可反复使用10万次以上）等优点。
因此，利用Flash Memory存储主板的BIOS程序，则使BIOS升级非常容易。现在的Pentium、Pentium Ⅱ主板普遍使用Flash Memory制作BIOS芯片。
1.Flash Memory BIOS升级
目前名牌主板生产厂家如华硕、海洋等，为了用户升级BIOS的需要，一般都采取了以下措施：
(1)在主板上设置一个跳线，用来选择FLASH ROM状态，平时置于保护状态，使BIOS坚不可摧，要升级时跳至可改写状态，就可像写RAM一样更新BIOS。
(2)在随板附送的驱动程序盘中带有改写FLASH ROM的程序，可以方便地升级和备份
BIOS。
(3)经常编制出新的BIOS程序在市面上流通或放在因特网上供其主板用户下载。
?一般Flash Memory BIOS升级的过程
一般主板上有关于Flash ROM的跳线开关用于设置BIOS的只读／可读写状态。
(1)制作一张无CONFIG.SYS和AUTOEXEC.BAT文件的系统盘，并拷贝Flash ROM升级的工具程序。该工具程序一般由主板附带的驱动程序盘提供。Flash BIOS升级工具程序主要功能是：
◇保存原有BIOS数据(Save Current BIOS To File)
◇更新BIOS数据(Update BIOS Block From File)
◇其它功能(Advanced Features)
(2)准备好新版BIOS的程序数据。一般需要到Internet或BBS上下载。升级前检查BIOS数据的编号及日期，确认它比你使用的BIOS新，同时也应检查它与你所用的BIOS是否是同一产品系列，如：TX芯片组的BIOS不宜用于VX的主板，避免出现兼容性问题。
(3)关机后，在主板上找到主板上有关Flash ROM的读写状态跳线开关，将其设置为可写(Enable或Write)状态。
(4)用准备好的系统盘重新启动，并运行升级工具程序。
(5)首先选择保存功能将原BIOS数据保存到软盘上，存为一个文件，用于升级失败时恢复原有BIOS。然后装入新BIOS数据盘，选择更新BIOS数据，输入新BIOS的文件名，完成BIOS的升级。
注：有的BIOS升级工具只升级主要的模块，如果它发现新的BIOS与原BIOS有很大不同，会给予提示并建议使用相应选项对整个BIOS升级(包括BIOS启动模块和PnP ESCD参数区)。
(6)升级结束后，记着将主板上关于Flash EEPROM的跳线改回只读状态。
(7)重新启动，并进入BIOS设置状态，完成BIOS参数设置。
?不具升级条件的Flash ROM的升级
杂牌的主板往往就不具备上述三个升级条件，虽然用的也是流行的Flash ROM，却没有能置其为改写状态的跳线，于是Flash ROM跟老的ROM、EPROM没什么两样。没有驱动程序盘，没有改写工具，当然就更不会有新的BIOS程序供升级了。
一般可以借用其它主板的工具程序，如Award公司的小工具Awdflash.exe，全称是Flash Memory Writer V5.3.0,程序运行后，就显示出主板BIOS的内部代号和日期，然后询问升级文件的名称，键入名称后，程序会问是否要对现有的BIOS做备份，键入Y或N后（选Y则要求输入备份文件名），程序会再一次要求确认，确认后，程序就会先对现有BIOS做备份（如果刚才选的是Y），再开始写入新的BIOS。屏幕上会出现一个写入进度指示器，如果Flash ROM 处于不可改写状态或新的BIOS文件与主板不匹配，就会出现错误信息“Erase Chip Fail!”。
BIOS升级文件可以由同型号的新主板上备份得到，即用上述工具对新主板的BIOS做一个备份，拿来做为旧BIOS的升级文件。
最困难的就是这第三个问题。如何将Flash ROM置为可写入状态？一般主板的Flash ROM 有三种选择，5V、12V和可编程EPROM，按理说是不可以随便调整Flash ROM的类型的，此时可将跳线跳至EPROM档，开机后，即可运行升级工具程序。进度指示器走完之后，关机，跳线跳回5V，重启动电脑，BIOS更新完成。
注：关于升级BIOS需要注意：第一，要有匹配的升级工具和升级文件，不可乱用；第二，由于Flash ROM读出快而写入速度慢，故升级时需要十几秒时间，而在这段时间里决不可重新启动或关机；第三，BIOS升级后应该马上关机，把Flash ROM置回保护状态，以免BIOS被破坏。另外，Awdflash.exe运行时不能有Emm386及类似程序驻留内存。
2.BIOS升级失败后的处理
(1)有BIOS备份的处理方法
Flash BIOS升级失败往往导致系统瘫痪，无法启动。遇到这种情况，只能依靠BIOS中固化的BOOT BLOCK来恢复BIOS内容。
将BIOS升级用软盘插入启动软驱，开启计算机，然后运行BIOS升级工具程序，借助软盘上的BIOS备份，重写整个BIOS即可。
一些主板的BIOS BOOT BLOCK只固化了ISA显示卡驱动程序。如果你使用的是PCI显卡并且升级失败后开机无显示，应该考虑更换ISA显示卡试一下。
(2)无BIOS备份的处理方法
如果升级前没有BIOS的备份，BIOS升级失败，此时想用软方法恢复机器已经是没有下手的可能了，因为机器已经是彻彻底底的无法启动。碰到这种情况时该怎么办呢？
首先要找到同一主板型号的BIOS ROM，保证其中的BIOS信息与你的相同（因为采用别的 BIOS ROM一般都难以更新成功）。关掉电源，拔出主板上原有的BIOS ROM芯片，一定要非常小心，不要弄断了引脚；轻轻插入好的BIOS ROM芯片，不要插得太深，只要保证机器能启动就行；将主板上控制更新BIOS信息的跳线设置为有效（默认为无效，即保护状态）；启动机器，让系统运行在实模式下，即内存不要驻留象HIMEM.SYS或EMM386.EXE这样的程序；拔出好的BIOS ROM芯片，插入“坏”的BIOS ROM芯片，此时不能关机，因为要利用驻留在内存中的BIOS信息（热拔插虽是维修的一大忌，但此时唯有出此下策了，不过只要细心，一般不会出问题）；运行BIOS升级程序，然后按主板说明书规定的步骤进行 *** 作，直到提示更新成功为止。这时你还得注意看提示的更新字节数是否与你的BIOS ROM块容量大小相等（主板说明书都有此大小，如华硕的为128KB，即1FFF字节），若相等，一般更新都成功了；最后退出程序，关机再启动（不是热启动），只要启动成功，就宣布大功告成了。
CMOS设置
CMOS中存放着计算机硬件配置和设定的大量数据，是计算机正常启动和工作的先决条件。如果这些数据丢失或设置不当，轻则工作不正常，重则不能启动和工作。因此正确设置和保护好COMS中的数据，对安全使用计算机是至关重要的。
由于一种CMOS设置程序往往只适用于一类或几类主板，甚至同一型号的主板也可能会有不同的配置，所以读者还须活学活用、因地制宜。一般的主板说明书上都有较详细的CMOS（BIOS）设置说明，只要细心阅读，逐条消化，逐条完成设置，就可以最终完成全部设置，使系统正常高效地运行。下面就一些带共性的难以设置的参数作一些介绍。
1.主板上集成外设端口的设置方法
当前的微机主板上，集成了部分外设端口，下以AWARD BIOS设置程序为例作简单介绍。
旧主板上集成端口的设置一般分散在“STANDRD COMS SETUP”、“BIOS FATURES SETUP(或ADVNCED CMOS SETUP）”和“CHIPSET FEATURES SETUP（或ADVANCED CHIPSET SETUP）”中，在奔腾级以上的主板中的BIOS中新增了“INTGRATED PERIPHERALS”选项专门对板上集成端口进行设置。常见的选项如下：
◇ONBOARD FDD CONTROLLER 软盘驱动器接口
◇ONBARD PCI IDE ENABLE PCI IDE接口
以上两项分别用于设置主板上软驱控制器和IDE控制器的使用状态，其设置值可以选择Enable或Disabled。当软驱接在主板上的软驱接口或者硬盘、光驱接在主板上的IDE接口时，应该设置为Enabled；如果不使用主板上的软盘驱动器接口，要另外使用多功能卡上的接口，则该项应该设为Disabled。如果机器发生故障，怀疑主板上的接口电路有问题，可以把该项设置为Disabled，再加装一块多功能卡试一试。
◇IDE HDD BLOCK MODE 硬盘（数据）块传输模式
本项是指在每次中断时，一次传送设定的扇区数的数据，以提高访问硬盘的速度。只有当配置的硬盘支持块模式时，才能设置为块模式工作方式，否则应禁止按此模式工作，以避免硬盘访问出错。本参数的设定值在不同的BIOS版本中不完全相同，一般为AUTO／Optimal／Disabled。选择AUTO时，将按照硬盘自动检测功能的报告值作为数据传送的扇区数；若选Optimal则以最佳缺省设置值为该扇区数；若选Disabled则禁止本模式工作。有的BIOS版本中的选择值中给出了每次传送的扇区数，例如华硕P2L97AGP主板BIOS中的设定值有：HDD MAX、Disabled、2、4、8、16、32，其中的数字就表示可设置的扇区数。究竟设置什么值合适，应根据机器的配置而定，如果硬盘没有给出具体说明，不妨多试几次，就能找出合适的设置值。对于某些硬盘产品，设置为块传输模式时虽然工作速度较快，但有可能在与某些软件或硬件配合时出现问题，这时只能设置为Disabled。
◇IDE PIO MODE IDE硬盘接口的并行输入输出方式
PIO（Programmed Input／Output??可编程输入输出）是SFFC（Small Form Factor Committee——小形状系数协会）制定的一个宿主传输标准系列，分别为PIO MODE 1、PIO MODE 2、PIO MODE 3、PIO MODE 4、PIO MODE 5，每个标准的数据传输速率是不同的。在设置时要注意硬盘本身所支持的PIO MODE方式，才能正常工作。例如一个硬盘，其本身只支持PIO MODE 3（数据传输率为11.1MBps），但是在CMOS参数中被设置为PIO MODE 4（数据传输率为16.6MBps），结果频繁出现错误并且常常死机。重新设置为PIO MODE 3之后恢复正常工作。
在BIOS设置程序中，本项一般可设为0、1、2、3、4、AUTO，如果不了解硬盘的性能参数，可以先设为AUTO，然后再根据实际情况作进一步的调整。
◇ONBOARD SERIAL PORT或ONBOARD UART 主板上串行通信口设置
本项用来设置串口（即COM口）的I／O端口地址和中断通道号。目前奔腾级以上的计算机一般都有两个串口，需要分别设置。本项有自动设置，因为本项属于系统资源分配而且与设备性能关系不大，所以最好由系统自动设置，以免发生冲突。
手工设置时Port 1建议设为3F8／IRQ4（前者为I／O端口地址，后者为中断号）即COM1口，Port 2建议设为2F8／IRQ3即COM2口。如果要配置内置式调制解调器（MODE卡），则要将主板上相应的串口设为Disabled，将资源留给MODE卡。
◇ONBOARD PARALEL PORT 主板上并行打印口的设置
设置为378／IRQ7时为第一并行口，这是最常用的设置。应注意本项设置改变时可能会与声卡产生冲突，例如设置为278／IRQ5时会与一些常用的声卡发生冲突。
◇ONBOARD PARALLEL MODE或PARALEL PORT MODE 主板上并行口的工作模式
并行口的工作模式可以设置为标准模式（即Noraml或SPP模式）、EPP模式、ECP模式、EPP＋ECP模式。
EPP（Enhanced Parallel Port——增强并行口）是由Intel、Xircom、Zenith和其它一些公司开发的一种并行接口标准，目的是在外部设备间进行双向通信。自1991年以来生产的许多笔记本电脑都配有EPP口。
ECP（Extended Capabilities Port——扩展并行口）是由Microsoft和Hewlett－Packard开发的一种并行接口标准。它具有和EPP一样高的速率和双向通信能力，在多任务环境下，它能使用DMA（直接存储器访问），所需缓冲区也不大，因此能提供更加稳定的性能。
ECP／EPP口可以支持300KB／sec的速率。1993年，EPP和ECP规格都纳入IEEE 1284标准。如果计算机配有ECP或EPP并行口，那么当用DCC（直接电缆连接）方式联网时，它大约可以达到10兆以太网速率的三分之一。
本项的具体设置值要视所连接的具体外设而定，只有主板和连接的外设都支持EPP或ECP时才能设置为EPP或ECP方式，否则会出现错误。例如一台喷墨打印机与主板上的并口连接，设置为EPP或者ECP方式时都经常出错，后改为Normal方式后，工作正常。原因是该打印机不支持EPP和ECP方式。
◇USB CONTROLLER
USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）是由Compaq、DEC、IBM、Intel、Microsoft、NEC和NT（北方电讯）七大公司共同推出的新一代接口标准。采用Intel 82430VX和HX 及其以后的芯片组的主板可以支持USB规范，但目前，大多数用户尚没有使用USB设备，因此本项应该设置为Disabled。
2.PNP／PCI参数设置方法
各种主板由于使用的芯片组不同，因此有关PCI参数的设置有很大差别，下面介绍常用的参数设置。
◇PCI SLOT IRQ 设置PCI插槽中断请求号
本项可自动设置（Auto），也可人工设置。人工设置时可按主板手册中给出的值进行选择，但要注意避免冲突。一般可选自动设置。
◇设置PCI IDE接口中断请求号
设定与PCI相连的IDE中断请求号。例如PCI Primary IDE（主IDE中断号），PCI Second ary IDE（辅IDE中断号）。允许自动设置和人工设置。一般可选自动设置。
◇ PCI IDE TRIGGER TYPE或PCI IRQ ACTIVED BY 设置PCI IDE触发方式
这一项设置是对PCI总线中断控制信号取样方式的设置，一般有两种选择：Edge（脉冲沿触发）和Level（电平触发）。具体使用哪种方式可以根据PCI插卡有无特殊要求来决定。一般情况下如果PCI插卡无特殊要求，本项可设置为Level，即电平控制方式。
◇RESOURCES CONTOLLED BY 设置资源控制方式
本项用于设置系统资源的分配方式。可以选择自动方式（Auto）或者人工方式（Manual）。选择为自动方式时，IRQ和DMA通道均由BIOS自动检测和分配。选择为人工方式时，IRQ和DMA通道则由用户自行设置。一般说来，本项可以设置为自动（Auto）方式。
本项实际上要解决的是一个如何“分享”资源的问题。在PCI主板的设计中，往往让PCI 卡专门享用机内的某些中断资源。但实际上，使用ISA总线的插卡仍然不少，为了让原来的ISA总线插槽能使用中断资源，BIOS设置中对PCI总线可用中断就加入了像Legacy ISA这样的设置值，使中断资源可以完好地留给ISA总线使用。如果在机内安装某种ISA声卡或解压卡时，出现中断冲突，可以将总线可用中断设置为Legacy ISA或NA状态再试。有一些BIOS程序（如华硕T2P4）则直观地使用“Slot x IRQ”表示设定与第x号PCI槽相联系的中断通道，设置为某个中断号时表示该中断为该PCI插槽所用，设置为NA时则表示该PCI插槽闲置不用，当然也就不会占用中断通道。设置为Auto时则表示由BIOS自动分配中断通道号。在具体设置时，对于没有使用的PCI插槽应该设为NA，对于要使用的插槽可设置为Auto。
◇PCI IDE IRQ MAP TO
本项一般应设置为PCI－ATUO。在主板上插有非PCI总线的IDE（硬盘）卡时则有重要意义，因为如果设置得不对，可能造成插卡或系统不能正常工作。在主板上插有非PCI总线的IDE多功能卡时，可将本项设置为ISA或Map to ISA。
◇PRIMARY IDE INT＃：A
◇SECONDARY IDE INT＃：B
这两项用于设置两个IDE接口的中断优先权，A的优先权高于B。一般情况下Primary IDE （IDE 1口）选择A，Secondary IDE（IDE2口）选择B。
◇IRQ xx USED BY ISA（IRQ－X ASSIGNED TO）
本项用来设置某个IRQ通道是否只分配给ISA总线使用，xx为3至15。可选值为NO／ICU和YES。本项实质上是人工分配PCI与ISA总线占用的IRQ资源。除非确认某个ISA插卡使用IRQ x x，否则都应选为NO／ICU使IRQ资源自动分配给PCI和ISA总线上的插卡。
◇DMA x USED BY ISA (DMA－X ASSIGNED TO )
本项用来设置某个DMA是否只分配给ISA总线使用，x为1、3、5等。可选值为NO／ICU和YES。本项实质上是人工分配PCI与ISA总线占用的DMA资源。除非确认某个ISA插卡使用DMA x，否则都应选为NO／ICU，使DMA资源自动分配给PCI和ISA总线上的插卡。
◇PCI LATENCY TIMER
指PCI总线的响应延时，与主板的性能有关。各种主板的取值不同，可选择的设置值一般为32、64、128等，单位是PCI Clock。取值越小，响应速度越快。用户手册一般都给出一个适合于本机的缺省值，比缺省值大时会影响速度，比该值小时有可能造成PCI总线响应不及。
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