我国应该如何做才能实现半导体的自主发展？

我国应该从以下几个方面着手，推动半导体的自主发展：

加强人才培养。半导体产业需要高水平的人才支持，包括芯片设计、工艺制造、封装测试等领域。政府可以加大对半导体领域的人才培养投入，建立完善的人才培养体系，吸引更多的高水平人才投身半导体领域。

加大技术研发投入。半导体产业的核心是技术创新，只有大力投入研发，不断提升技术水平，才能实现自主创新。政府可以加大对半导体技术研发的资金投入，支持企业开展科技创新。

推动产业协同。半导体产业是一个集成化的产业链，各个环节之间需要紧密协作。政府可以加强对半导体产业的整体规划和协调，建立协同机制，促进产业链上下游的合作和共同发展。

支持企业发展。政府可以加大对半导体产业的扶持力度，为企业提供优惠政策和金融支持，帮助企业提升核心竞争力。同时，政府还可以通过国内市场保护等手段，支持国内半导体企业的发展，增强其竞争力。

加强国际合作。半导体产业是一个全球性产业，我国应该积极参与国际合作，借鉴国外先进技术和管理经验，促进国内半导体产业的国际化发展。

综上所述，我国应该从人才培养、技术研发、产业协同、企业发展和国际合作等方面着手，推动半导体的自主发展。

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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