无锡无尽半导体有限公司是2011-06-02在江苏省无锡市滨湖区注册成立的有限责任公司(外国法人独资),注册地址位于无锡新吴区新达路33-1-901-01#(IC设计大厦B901)。
无锡无尽半导体有限公司的统一社会信用代码/注册号是91320214572637218M,企业法人OHKYUNGBAE,目前企业处于开业状态。
无锡无尽半导体有限公司的经营范围是:研发半导体、液晶、光伏设备,并提供技术服务;自动化仪器仪表、环保设备、电子产品的技术开发、技术转让、技术服务;通用设备、管道工程的设计、安装;气体侦测器、气体监控系统及安防监控系统的安装、调试;机械设备安装(除特种设备);半导体设备及配件的维修服务;从事上述产品及建筑材料、五金交电的批发、佣金代理(拍卖除外)和进出口业务(以上商品进出口不涉及国营贸易管理商品,涉及配额、许可证管理商品的,按国家有关规定办理申请)(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)。在江苏省,相近经营范围的公司总注册资本为3700万元,主要资本集中在100-1000万规模的企业中,共9家。本省范围内,当前企业的注册资本属于一般。
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海力士半导体(无锡)有限公司联系电话号码为0510-85208888,联系传真为0510-85208298。该公司的具体地址位于江苏省无锡高新区综合保税区K7地块即无锡新区新达路32号(海力士意法路)。
该公司是由由韩国SK海力士株式会社于2005年4月在江苏省无锡市投资设立的半导体制造工厂。主要产品包括用于个人电脑、笔记本电脑的PC-DRAM、数据中心大容量服务器的服务器DRAM、用于手机等移动设备的移动DRAM等。
扩展资料:
海力士半导体(中国)有限公司在中国的发展历程:
1、2004年与无锡市签订合作协议。
2、2005年一期项目投资,厂房建设开工。
3、2006年开始8英寸和12英寸量产。
4、2007年二期项目投资。
5、2008年三期项目投资。
6、2010年4xnm DRAM量产。
7、2011年四期项目投资。
8、2012年公司更名为SK海力士半导体(中国)有限公司。
9、2013年五期项目投资。
10、2xnm DRAM量产。
11、2017年六期项目投资,C2F开工。
12、2018年设立无锡销售总部。
13、2019年C2F竣工仪式。
参考资料来源:SK海力士半导体(中国)有限公司-联络我们
参考资料来源:SK海力士半导体(中国)有限公司-公司历程
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