2、ASTM 国际标准:ASTM E2527-17 - Standard Guide for Characterizing Multi-Junction Solar Cells
3、IEC 国际电工委员会标准:IEC 61730-2-1:2014 - Photovoltaic (PV) module safety qualification - Part 2-1: Requirements for multi-junction solar cells
4、ISO 国际标准化组织标准:ISO/IEC 61215:2016 - Photovoltaic (PV) modules - Safety qualifications - Part 2-1: Requirements for multi-junction solar cells
5、JEDEC 国际半导体工程师委员会标准:JEDEC JC-63.6 - Standard Test Method for Characterization of Multi-Junction Solar Cells
6、UL 联合国国际电气委员会标准:UL 1703 - Outline of Investigation for Multi-Junction Solar Cells
7、CEC 联邦能源委员会标准:CEC-500-2012/F - Standard for Multi-Junction Solar Cells
8、SEMI 国际半导体工业协会标准:SEMI PV63 - Standard for Characterization of Multi-Junction Solar Cells
9、TÜV Rheinland 德国莱茵检测标准:TÜV Rheinland PV-001 - Standard for Characterization of Multi-Junction Solar Cells
10、NECES 北美能源技术标准:NECES-PV-001 - Standard for Characterization of Multi-Junction Solar Cells
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
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