1.在P型
半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在
电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的,这就是内建电场的形成原理. 2.N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失. 因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区. P 型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这就是P-N结的两边产生内建电场. 这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡. 希望能对您有所帮助.计算机基本上都是由半导体器件构成的,而半导体对
静电特别敏感,其中又以MOS器件、运算放大器等尤为突出。在计算机内,几乎所有设备中的关键电路,诸如CPU、ROM、RAM及大规模集成电路都是MOS器件。静电对计算机具有毁灭性的破坏力,只需眨眼的时间,就会导致大量数据、程序和计算机硬件损坏。静电对计算机系统的危害主要有以下几方面。
1、瞬时静电电流会引起信号线和电源线的感应躁声。这会影响CPU的性能,使用处理能力变慢,出现数据不精确,甚至出现逻辑错误。
2、静电放电所产生的瞬时干扰脉冲以及接触部分产生的电磁波会以辐射噪声形式干扰信号线。即使一次微弱的静电放电也会引起误码,甚至使存储器的信息丢失。造成整机功能暂时不正常,但硬件损坏不明显,重新输入程序和信息仍能启动并正常工作。
3、静电是MOS等半导体器件的主要破坏者。电子器件受静电损伤一般有两种结果:当即失效,或者延迟失效。MOS等半导体器件受静电冲击后,当即失效只有10%,延迟失效达90%,这对计算机来说是非常巨大的潜在威胁。
4、当静电放电离终端或CPU在3米以内距离时,其所产生的电磁场通过空气以及电缆、终端电源线等物体,传送到计算机上,就会引起计算机损坏。
5、静电易吸附灰尘,尤其当灰尘吸附在磁盘时,轻者发生数据错误,重者损坏磁头。
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