研究人员发现通过半导体材料中预先存在的缺陷产生光的新方法

研究人员发现通过半导体材料中预先存在的缺陷产生光的新方法,第1张

麻省理工学院在新加坡的研究企业新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)的低能电子系统(LEES)跨学科研究小组(IRG)的研究人员与麻省理工学院(MIT)、新加坡国立大学(NUS)和南洋理工大学(NTU)的合作者一起发现了一种 通过使用半导体材料的内在缺陷产生长波长(红色、橙色和黄色)光的新方法,有可能被用作商业光源和显示设备的直接发光器。

这项技术将是对目前方法的一种改进,例如,使用荧光粉将一种颜色的光转换为另一种颜色。

氮化镓(InGaN)LED是一种基于氮化物的第三类元素的发光二极管(LED),在20多年前的90年代首次制造出来,此后不断发展,变得越来越小,同时也越来越强大、高效和耐用。今天,InGaN LED可以在无数的工业和消费者使用案例中找到,包括信号和光通信以及数据存储,并且在高需求的消费者应用中至关重要,如固态照明、电视机、笔记本电脑、移动设备、增强型(AR)和虚拟现实(VR)解决方案。

对此类电子设备不断增长的需求,推动了二十多年来对半导体实现更高的光输出、可靠性、寿命和多功能性的研究--这导致了对可以发出不同颜色光的LED的需求。传统上,InGaN材料在现代LED中被用来产生紫色和蓝色的光,而磷化镓铝(AlGaInP)--一种不同类型的半导体--被用来产生红色、橙色和黄色的光。这是由于InGaN在红色和琥珀色光谱中的性能不佳,这是因为所需的铟含量较高而导致效率下降。

此外,这种具有相当高的铟浓度的InGaN LED仍然难以用传统的半导体结构制造。因此,实现全固态白光发光器件--需要所有三种原色光--仍然是一个无法实现的目标。

为了应对这些挑战,SMART的研究人员在一篇题为"发光的V-Pit:实现发光富铟铟镓量子点的替代方法"的论文。在他们的论文中,研究人员描述了一种实用的方法,通过利用InGaN材料中预先存在的缺陷,制造出铟浓度高得多的InGaN量子点。

在这个过程中,由材料中自然存在的位错导致的所谓V型坑的凝聚,直接形成了富铟量子点,即能够发射较长波长的光的材料岛。通过在传统的硅衬底上生长这些结构,进一步消除了对图案或非常规衬底的需要。研究人员还对InGaN量子点进行了高空间分辨率的成分测绘,首次提供了对其形态的视觉确认。

除了量子点的形成,堆积断层的成核--另一种内在的晶体缺陷--进一步促进了更长波长的发射。

SMART研究生和该论文的主要作者Jing-Yang Chung说:"多年来,该领域的研究人员一直试图解决InGaN量子阱结构中固有缺陷带来的各种挑战。在一个新颖的方法中,我们转而设计了一个纳米坑洞缺陷,以实现InGaN量子点直接生长的平台。因此,我们的工作z明了使用硅衬底进行新的富铟结构的可行性,在解决目前长波长InGaN光发射器效率低下的挑战的同时,也缓解了昂贵衬底的问题。"

这样一来,SMART的发现代表着在克服InGaN在产生红、橙和黄光时效率降低的问题上迈出了重要一步。反过来,这项工作可能对未来开发由单一材料组成的微型LED阵列有帮助。

LEES的共同作者和首席研究员Silvija Gradečak博士补充说:"我们的发现对环境也有影响。例如,这一突破可能会带来更迅速地淘汰非固态照明源--如白炽灯--甚至是目前的磷酸盐涂层蓝色InGaN LED,采用全固态混色解决方案,进而导致全球能源消耗的显著减少。"

SMART首席执行官兼LEES首席研究员Eugene Fitzgerald说:"我们的工作还可能对半导体和电子行业产生更广泛的影响,因为这里描述的新方法遵循标准的行业制造程序,可以被广泛采用并大规模实施。在更宏观的层面上,除了InGaN驱动的能源节约可能带来的生态效益外,我们的发现也将有助于该领域继续研究和开发新的高效InGaN结构。"

我们的世界在不断的发展之中,现在新材料的研究和开发是一个热门的话题,因为一种新材料的问世,无疑会带来巨大的好处。新材料的发现能够让科学技术得到进步,同时新材料能够成为一个国家的战略物资,所以现在各个国家都在加紧研究新材料。

二零一八年期间新材料越来越多,让人有一种目不暇接的感觉,但是这些新材料的出现,确实给我们的生活带来巨大的改变,所以我们学习科学的时候,一点要注意新材料的事情,这样才能够跟上社会的发展,跟上科学技术的脚部,二零一八比较吸引人的一种新材料美女小倩给大家介绍一下。

有一种新材料未来很可能会给我们带来新的产品,这种材料是一种特殊的材质,能够取代硅。我们知道硅是一种地球上比较多的材料,所以我们制作半导体薄膜的时候会使用这种材料,可是这种材料制作的产品比较厚重,所以使用起来并不是很方便,而这种新材料则改变了这个模式。

美国麻省理工学院【MIT】的科学家们研制出一种超薄的半导体薄膜,这种新的材料,无疑会给未来的电子器材地带来一场重大的改革,这项技术很可能将会使用在很多城市建设方面,对于建设一个未来的智能城市,提供了一个新的办法和一个新的方案。

这种新技术使用一种【远程外延】的新方法,能够将一些特殊的材料进行一系列的改变,从而能够制造出更加轻薄的材料,这样一来就能够改变传感器和太阳能电池的体积,以及我们使用的计算机和智能手机,这样的材料一旦开始使用将会改变我们现在的生活。

美国的这些?研究人员已经开始着手制造出一些由砷化镓以及氮化镓的材料,同时也利用氟化锂材料制造柔性薄膜,这些产品确实在超薄方面做得十分出色,那么怎么样出色呢?美女小倩给大家举个例子,一旦这个技术出现,那么将会让手机能够给纸张一样,贴在皮肤上即可。

不过这些技术依旧没有成熟起来,目前制造的这些材料造价十分的昂贵,所以根本没有办法让老百姓使用。所以科学家现在开始在节约成本方面进行努力,当然这条路还很长,所以我们还要等待很久。不过随着科学技术的不断进步,总有一天我们会看这些产品。


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