半导体器件内的等效电源一般表现为什么

半导体器件内的等效电源一般表现为势垒电容CB。根据查询相关资料公开信息显示，半导体器件内的PN结内缺少导电的载流子，势垒电容CB其电导率很低，表现相当于介质，而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体，从这一结构来看，PN结等效于一个电容器，事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容“放电”，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容“充电”综上所述，所以半导体器件内的等效电源一般表现为势垒电容CB。

防止led发光芯片。led芯片中常说的cb是为了防止led发光芯片的自p电极注入的电流集中在p电极的正下方而造成电流拥挤的效应，因此，相对于三道结构的led发光芯片来说，五道结构的led发光芯片常被应用于大功率芯片、照明用芯片等。

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