这位蹲了6年监狱的老太太，一生只发表11篇论文，却是公认的大师

年少时，你是至高无上的荣耀 ，那时的你站在高处，凝视着众人的眼睛；

命运的不公铺天盖地向你袭来的时候， 你从未妥协， 凭借自己小小的身躯去抵挡无尽的灾祸；

当面对未来的选择时，你几乎未曾有过一刻的犹豫， 毅然奔赴祖国，为中国的建设做出不可磨灭的贡献；

后来的无妄之灾几乎压得你喘不过气，你也未曾有过一刻的抱怨，因为你的心中有信仰，所以，你从来没有迷茫。

你是中国的居里夫人，你是中国科学的奠基石，你是我们共同的回忆与敬仰 。

秦城监狱里，你遭受了 6年的牢狱之灾 ，可是灾祸从来都不能击垮你，灾祸，只会让你更加坚强。尽管在你的一生中，仅仅有11篇论文属于你，可是，你在中国的物理学史上拥有无法撼动的地位，你是公认的大师。

你是王明贞，你是一代传奇。

说起王明贞，其实她的身上有一个最高的荣誉：中国的居里夫人 。

其实这个称号十分崇高，在中国的 历史 中 仅仅有三个人 曾经被这样称呼。

第一个是 核物理女王吴健雄 ，她为中国的核物理事业做出了重大的贡献；

第二位是 钱三强的夫人何慧泽 ，她对中国 科技 领域起到的巨大作用不言而喻；

第三位，便是 王明贞 了。王明贞作为获得如此崇高的荣誉的女子，从一出生 ，便决定了她命运的走向。

王明贞出生于一个 科技 世家。1906年，王明贞出生于苏州， 祖上曾经世代为官 。她的远祖是明朝大学士王鳌，王鳌在当时被称为海内文章第一。

王明贞的祖父王颂蔚是晚清军机官员，他曾经是蔡元培的老师。王明贞的祖母是一个著名的女权运动的领袖，思想十分开放， 她创办了著名的苏州振华女校 ，杨绛、费孝通都曾经在那里就读。

王明贞的父亲 王季同 ，是著名的数学家和电机学家，他曾经在数学刊物上发表论文。至于王明贞的伯父王季烈，则是近代物理翻译第一人。

王明贞的同辈也都拥有显著的成就。王明贞的 哥哥王守竞 ，获得了哥伦比亚大学的博士学位，他开启了中国理论物理学家享誉世界的先河。王淑贞是王明贞的姐姐， 是一个著名的上海妇产医院的创始人 。王明贞的两个弟弟王守武与王守觉，都是 著名的半导体专家 ，在半导体领域，他的两个弟弟都是顶级人才。

与王明贞一同长大的，还有两个表妹何泽慧和何怡贞，姐妹三人都是留洋的物理学女博士。而何泽慧的丈夫，正是大名鼎鼎的钱三强。 王明贞强大的家族 科技 基因给王明贞提供了极大的帮助，也正因如此，王明贞在物理学领域一直遥遥领先。

虽然王家的 科技 基因十分强大，但王明贞的求学之路却十分坎坷艰难。家中的父母并不同意王明贞求学，所以一直到10岁，王明贞还呆在家中照顾弟弟的起居。后来，祖母了解到了事情的真相，她十分生气， 于是将王明贞带到自己创办的学校读书 。至此，王明贞开始了自己的求学生涯。

尽管王明贞10岁才刚刚入学，但她天资聪颖，因此学习东西很快，进入学校的她连连跳级。转学到上海之后，王明贞的成绩还是全A。中学毕业之后，王明贞的继母不想让她继续学习，想让她尽快结婚。王明贞拗不过，差点答应。正在这时， 王明贞的姐姐回国，答应帮妹妹上大学。

王明贞20岁的时候， 进入金陵女子大学学习 ，她学习很快，甚至能解答高年级的难题，于是她成功跳级。教授因为她是个低年级的学生故意压低她的分数，王明贞十分生气，转学去了燕京大学（现北大）。

王明贞终于完成了大学学业，正当她想要出国深造的时候，父亲出来阻拦。父亲说作为一个女生，完成学业已经对她十分宽容，万不可让她继续求学。最终，废了九牛二虎之力，姐姐说服了父亲，王明贞才能继续求学。经过金陵女子大学校长的帮助， 王明贞拿到全额奖学金来到密歇根大学学习 。四年的课程，她三年就已经修习完成。

太平洋战争爆发，已经完成学业的王明贞无法回国，便留在了麻省理工学院的雷达工作室工作。 她是那里唯一的女性研究员 。1945年，王明贞和导师合作发表了一篇题为《布朗运动的理论》的论文，推导出自由粒子和简单谐振子的布朗运动。 论文一出，引起了极大的轰动。

从发表以来， 王明贞的论文已经被引用了上千次，平均每年20次以上 。即使在多年之后的今天，王明贞的论文依旧被广泛引用，是论文界的常青树。

王明贞的一生仅仅发表了11篇论文，相比于其他物理学家，11篇的产量确实不高，但王明贞的每一篇论文都引起极大的轰动， 在质量上更是很少有人能够超越 。

11篇论文，字字珠玑， 每一个字都是整个物理界的最大的财富 。王明贞凭借着质量极高的11篇论文和极大的物理界的影响力而被成为公认的大师。

抗美援朝爆发之后，中美处于对立面，为了报效祖国， 王明贞历经千难万险回到国内 。回国之后，王明贞被分配到 清华大学教授物理 。尽管这意味着王明贞与物理研究永远告别了， 但她认为，只要报效国家，在哪里都能做出属于自己的贡献。

1968年。王明贞遭受了无妄的牢狱之灾。62岁的她和丈夫双双被关进监狱，没有罪名，只有一句你犯错误了这样的话语。这段牢狱生活中， 每天就是不停地审讯，不停地写书面检查。 1970年，王明贞被转到秦城监狱。在监狱中的时光十分难熬，王明贞几乎是生不如死，但她从未向苦难低头，一直保持着乐观的态度。

1973年末，王明贞终于出狱，直到出狱的那一刻， 王明贞依旧无法获得自己的准确罪名 。因为在那段特殊的时期，因为四人帮的迫害，仅仅是因为一句 事出有因，查无实据 ，耗费了王明贞将近6年的时光，当她从监狱中出来时， 已经接近古稀之年。

2010年，王明贞离开了人世，享年104岁。去世之时，她的家中甚至没有一件像样的家具，100多年的人生，王明贞都献给了自己热爱的物理学事业。

王明贞之所以伟大，是因为 即使在逆境之中，她依旧看得到黑暗中的希望 ，即使生活再困难，她也从未放弃。

有中国的居里夫人这样的头衔，有著名物理学家这样的身份 ，王明贞本来可以拥有更好的生活。可在王明贞眼里，这些 金钱、荣誉、地位 都只是身外之物，她也从来都不在乎。她就是这样，拒绝诱惑，也拒绝名利。在她的世界里。 永远都只有她热爱的物理学这一件事情。

她，因为专注而伟大。

文/枕猫

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力，迫切需要别开蹊径延续工艺进步。而通过先进封装集成技术，可以更轻松地实现高密度集成、体积微型化和更低的成本。封装行业将在集成电路整体系统整合中扮演更重要的角色，也将对产业的格局形成更多影响。随着先进封装的推进，集成电路产业将展现出一些新的发展趋势，有先进封装的集成电路产业样貎将会有所不同。

先进封装增速远超传统封装

当前 社会 正处于新技术与新应用全面爆发的背景下，移动设备、大数据、人工智能、5G通信、高性能计算、物联网、智能 汽车 、智能工业等快速发展。这些技术与应用必将对底层芯片技术产生新的需求。据麦姆斯咨询的介绍，支持这些新兴大趋势的电子硬件需要高计算能力、高速度、更多带宽、低延迟、低功耗、更多功能、更多内存、系统级集成、更精密的传感器，以及最重要的低成本。这些新兴趋势将为各种封装平台创造商机，而先进封装技术是满足各种性能要求和复杂异构集成需求的理想选择。

系统级封装可以将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个模块中，从而实现具有完整功能的电路集成，它也可以降低成本，缩短上市时间，同时克服了SoC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难题。

3D封装通过晶圆级互连技术实现芯片间的高密度封装，可以有效满足高功能芯片超轻、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求，被大多半导体厂商认为是最具有潜力的封装方法。

总之，在市场需求的带动下，越来越多先进封装技术被开发出来，先进封装的市场占比将会进一步扩大。统计数据显示，从2017年到2023年，整个半导体封装市场的营收将以5.2%的年复合增长率增长，而先进封装市场将以7%的年复合增长率增长，市场规模到2023年将增长至390亿美元，传统封装市场的复合年增长率则低于3.3%。

展现三大发展趋势

随着先进封装技术的发展以及市场规模的扩大，其对于整个集成电路产业结构将产生越来越大的影响。首先是中段工艺的出现并逐渐形成规模。随着传统封装技术向先进封装过渡，有别于传统封装技术的凸块(Bumping)、再布线(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工艺被开发出来，并且开始发挥重要作用。中芯长电半导体首席执行官崔东表示，仅靠缩小线宽的办法已经无法同时满足性能、功耗、面积，以及信号传输速度等多方面的要求，因此半导体企业开始把注意力放在系统集成层面来寻找解决方案，也就是通过先进的硅片级封装技术，把不同工艺技术代的裸芯封装在一个硅片级的系统里，兼顾性能、功耗和传输速度的要求。这就产生了在硅片级进行芯片之间互联的需要，进而产生了凸块、再布线、硅通孔等中段工艺。而中段硅片加工的出现，也打破了前后段芯片加工的传统分工方式。

其次，制造与封装将形成新的竞合关系。由于先进封装带来的中段工艺，封测业和晶圆制造业有了更紧密的联系，在带来发展机遇的同时，也面临着新的挑战。中段封装的崛起必然挤压晶圆制造或者封装测试业的份额。有迹象表明，部分晶圆厂已加大在中段封装工艺上的布局。晶圆厂有着技术和资本的领先优势，将对封测厂形成较大的竞争压力。传统封测厂较晶圆制造业相比属于轻资产，引入中段工艺后，设备资产比重较传统封装大大增加，封测业的先进技术研发和扩产将面临较大的资金压力。

最后，推动集成电路整体实力的提升。后摩尔时代的集成电路产业更强调产业链的紧密合作，强化产业链上下游之间的内在联系，要求各个环节不再是割裂地单独进行生产加工，而是要求从系统设计、产品设计、前段工艺技术和封测各个环节开展更加紧密的合作。企业对于先进封装业务的竞争，最终还需表现为产业链之间综合实力的竞争。

中国应加快虚拟IDM生态链建设

近几年中国集成电路封测产业实现了高速发展，有了长足的进步，然而国内集成电路封测产业链整体技术水平不高也是不争的事实。半导体专家莫大康认为，中国现在非常重视集成电路产业，推动先进封装业的发展就是非常必要的了。中国的封装测试是集成电路三业(设计、制造、封测)中起步最早的，与国际水平差距也比较小，因此完全有能力发展起来。

华进半导体总经理曹立强在近日的演讲中再次提出，推动国内“EDA软件—芯片设计—芯片制造—芯片封测—整机应用”集成电路产业链虚拟IDM生态链的建设，以市场需求牵引我国集成电路封测产业快速发展。集成电路的竞争最终会表现为产业链之间综合实力的竞争，先进封装的发展需要从工艺、设备和材料等方面的协同。

在新的技术趋势和竞争环境下，集成电路产业越来越表现为产业链整体实力的竞争。过去几年，国际半导体制造公司纷纷加大力度向先进工艺挺进，在持续大规模资本投入扩建产能的带动下，一些半导体制造大厂同样具备了完整的先进封装制造能力。

应对这样的产业形势，曹立强指出，重点在于突破一些关键性技术，如高密度封装关键工艺、三维封装关键技术、多功能芯片叠层集成关键技术、系统级封装关键技术等。建设立足应用、重在转化、多功能、高起点的虚拟IDM产业链，解决集成电路产业领域的关键技术，突破技术瓶颈。

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