球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
9、DFP(dual flat package)
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(dual in-line)
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI 电路。LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为
0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。
33、MSP(mini square package)
QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见
BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PGA。
另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装
型PGA)。
40、piggy back
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认 *** 作。例如，将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，
是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。
J 形引脚不易变形，比QFP 容易 *** 作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P－LCC 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出J 形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(quad flat high package)
四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字。
也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度比QFP低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外，还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。另外，有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱。QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。在逻辑LSI 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqad)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的名称(见TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的别称(见QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
55、SDIP (shrink dual in-line package)
收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
56、SH－DIP(shrink dual in-line package)
同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
57、SIL(single in-line)
SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
58、SIMM(single in-line memory module)
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM 都装配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
60、SK－DIP(skinny dual in-line package)
DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见
DIP)。
61、SL－DIP(slim dual in-line package)
DIP 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。
62、SMD(surface mount devices)
表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
63、SO(small out-line)
SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引脚数26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM)。
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
69、SOF(small Out-Line package)
小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8～44。另外，引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP；装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。
70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称.
以上是引用别人的。
三极管封装：TO-92、TO-92S、TO-92NL、TO-126、TO-251、TO-251A、TO-252、TO-263（3线）、TO-220、T0-3、SOT-23、SOT-143、SOT-143R、SOT-25、SOT-26、TO-50。
电源芯片封装：SOT-23、T0-220、TO-263、SOT-223。
以TO-92,T0-3,TO-220,TO-263,SOT-23最常用
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林力早
如果芯片持续断供，华为还能撑多久？
近来，针对此问题，一些媒体人处于急功近利的状态，开始了自我安慰，提出了华为芯片取得了4项重大突破！
自从2018年M国对国内 科技 公司发起ZHI裁以来，特别是以华为、中兴、海康、大疆等为代表的 科技 型企业，尤为感到了zhi裁大棒之下的压力。针对华为发起的大棒，一个比一个狠，从来没有一次放松过。举一国之力，动用国家Wu Qi，针对一个公司进行zhi裁，华为承受着特别“优厚”的待遇。
由于没有芯片可以供应使用，6月12日，数据研究机构Counter Point Research公布，2021年第一季度，全球智能手机和功能手机出货量情况，数据显示华为手机市场份额仅为4%，同比下降88%，全球排名从全球第二位降至第六位。
华为主要业务处于ICT领域，若没有芯片支持，大部分业务都不能开展，好在国内芯片设计、制造、封测水平有一定底子，中低端芯片大部分可以在国内找到替代产品，实现自给自足。但对于华为的手机业务，特别是手机cpu采用的是7nm工艺，甚至是5nm、3nm工艺，国内目前无法实现国产替代量产，所以说手机缺芯是华为面临的最棘手的问题。
据有关报道，截止目前，华为芯片解决方案传来4项重大突破：
第一项，来自国产芯片的好消息：今年量产28nm，明年量产14nm。环球网在6月22日发表《温晓君谈14nm芯片量产：曙光就在眼前》一文，文章指出专家温晓君预测，国产14nm芯片明年底可以实现量产。这个结论且不说是不是温晓君说的，还是环球网根据温专家的聊天内容自己推测的。
随后，环球网就对《温晓君谈14nm芯片量产：曙光就在眼前》一文，进行了修改，删除了“明年年底可实现国产14纳米芯片量产”的消息。
第一时间看到这则新闻报道时，我就更加怀疑，这个速度出乎所有人的意料。半导体行业和其他领域不一样，涉及的领域众多，而且关系紧密的精密装备、材料、化学等领域，国内技术积累并不领先，也不深厚。而且涉及到的先进制程半导体工艺、工艺整合等技术，国内并没有技术积累、经验积累，即使能实现先进制程工艺，也不一定能有很高的成品率或合格率，这样会导致芯片成本增高。
所以说， 国产芯片年内量产28nm，明年量产14nm的说法，是国人的急功近利，是自媒体人的自我安慰。退一步讲，即使能等到明年量产14nm，华为手机麒麟芯片采用的7nm工艺，以及正在设计的5nm、3nm制程一样还是不能国产替代。
第二项，华为爆出芯片叠加专利，利用两个低制程工艺芯片叠加可以实现1+1>2的效果。
具体地说，两个代表不同性能的14nm芯片，被组合以形成与7nm芯片性能相当的处理器。简要概括为：华为海思利用多个芯片，形成主从芯片，主芯片通过电信号触发从芯片同时工作（利用电信号上升沿或下降沿触发），使主从芯片在同一时间调度处理同一任务。
对该专利的解读，就是通过特殊设计，华为可以将两块14nm芯片叠加在一起，直接将性能提升到之前的两倍水平，与7nm技术相当。
然而，专利毕竟只是一份技术性文档，也可能是超前预判性专利，技术是否已经实现仍需考证。更何况， 两个芯片叠加在一起，不仅封装体积变得更加庞大，能耗增倍，而且散热问题也随之而来。 况且，如今国内没有哪个公司可以量产14nm芯片，华为的该项专利难以应用，更难以在手机CPU上应用。
所以说，华为公布的这项双芯叠加专利，有些“远水解不了近渴”，或许在某些方面有一些应用场景，但在华为急需的手机业务芯片方面，暂时不能适用。
第三项，高通取得向华为供货许可证书，开始向华为供货4G芯片。
早在2020年11月份，高通公司发言人就正式宣布，高通已获得向华为供应部分产品的许可证，其中主要包括部分4G产品。而5G产品，高通仍没有取得供货许可，至于什么时候才能拿到许可证，目前还是未知数。在华为鸿蒙OS 2系统发布会上，华为发布的最新平板MatePad pro采用了高通骁龙870处理器，这也进一步证实高通向华为供货许可真实性。
虽然高通公司获得授予华为4G芯片许可证，可以帮助华为走出芯片库存耗尽后，无核可用的极端困境，但5g手机已经进入大规模普及期，而高通公司4G芯片的帮助，只能帮助华为手机恢复部分低端市场的预期份额。而5G芯片产品才是华为所真正需要的，处在5G时代，华为不可能倒退回去大规模发布4G产品，这样不仅没有市场响应，也会逐渐丢失用户。Mei国想抵制的就是国内的5G技术，打ya华为5G，即使M国自己不能在5G领先，但领先的5G技术相关公司都掌握在M国手中，而且是捞钱的摇钱树。
目前，除高通公司外，英特尔、skyworks、AMD等芯片厂商已获得向华为供货许可。但真正具有竞争力的技术仍然是强力限制。在华为芯片的供应商中，最为关键的还是中国台湾的半导体公司——台积电。如今的台湾，是半导体技术的聚集地，台积电是台湾半导体技术公司的领头羊，掌握着最为尖端的半导体先进制程工艺技术。台积电此前也是华为麒麟高端芯片OEM的首选供应商。M国禁令生效后，由于台积电使用了M国技术，且不能打造出不含有mei国技术的半导体技术生产线，因此台积电切断了对华为的供应。
俗话说，恶性打压，伤敌一千自损八百。在强压之下，华为承受了巨大损失，而M国国内也有撑不住的时候。随着全球半导体产业供应链被M国破坏，全球芯片紧缺的问题越发明显，M国先放开了自己国内部分半导体巨头公司的禁令，据外媒报道，M国也放开了台积电向华为供货的许可，但仅限28nm及其以上制程的产品。据悉，华为物联网产品的SOC芯片，如电视、摄像头、机顶盒等，均采用28nm以上的工艺。
目前，具有高端芯片供货渠道的台积电、三星等都被限制向华为供货，M国一边打ya华为，顺带收割台积电、三星等半导体巨头，以逼迫先进半导体技术向M国本土转移，从而对世界先进半导体技术形成 科技 霸权。
对于华为急需的5G芯片，14nm、7nm、5nm等先进制程芯片，目前没有公司能够获得供货许可，华为仅靠手中的一些库存，用一颗少一颗，手机出货量备受限制。所以说， 高通等公司获得许可向华为供货，也只能解决低端手机或平板芯片问题。
第四项，华为在武汉自建首家晶圆厂，预计2022年量产。
早前，华为消费者业务BG“余承东”就表示华为当初仅仅有芯片设计而没有进入芯片制造领域很遗憾。如今终于得偿所愿，华为将在湖北武汉建立首家晶圆厂，预计2022年起分阶段投产，消息人士透露，华为的工厂最初仅用于生产光通信芯片和模块，以实现半导体自给自足。据悉，华为去年率先发布了，业界首款800G可调超高速光收发模块，力争在有限的背景下实现光器件核心芯片的国产化。此外，华为国内光电相关产品的研发主要设在武汉，华为武汉研究所拥有近万名研发人员，主要从事发光通信相关设备、光芯片、 汽车 激光雷达等方面的研究、生产。
为何是在武汉？很简单，武汉是中国光谷所在地，光通信在武汉有产业聚集优势。目前，国内光通信产业聚集地主要有武汉、成都、苏州、深圳等地，“芯屏端网”是武汉最为重要的几大产业，其中“网”指通信，在武汉特别指光通信，武汉聚集了光迅、烽火通信、长飞、华工正源等光通信头部企业。同时，长江存储、武汉新芯等Fab大厂也处在武汉，吸引聚集了大量上下游配套企业。所以 光通信芯片晶圆厂选在武汉有较大产业、地理优势。
但请注意了，这是将用于生产光通信芯片及模块的晶圆厂。目前华为武汉研究所海思部分主要从事光通信相关领域业务，可确定的有光收发模块、 汽车 激光雷达、光通信相关自动化设备（如贴装、耦合等）、芯片封测等业务。目前来看武汉海思还没有光芯片Fab厂区，且光芯片主要包含有源光芯片、无源光芯片两类，与手机CPU芯片工艺制程相差较大。光芯片领域，是国内在半导体芯片中自产率最大的一类芯片，尽管良率暂时没有国外厂商高。有源光芯片主要有激光器LD、LED类芯片，如DFB、VCSEL、FP等类型；无源光芯片主要指无源光器件的芯片，如PLC类型的AWG芯片、滤光片、光学镀膜、MEMS芯片等。
光通信芯片对半导体工艺中光刻机的最小特征尺寸要求并不高，工艺占比较多的反而是沉积、溅射等和镀膜相关工艺，该类型工艺对材料和工艺参数较为敏感，所以说与手机CPU芯片工艺制程相差较大。同时，光芯片对光学性能指标要求更高，对电学指标要求相对少一些，特别是无源光芯片。目前华为已经发布了96线激光雷达产品，主要应用于 汽车 领域，基于MEMS方案，已用于阿尔法极狐等车型。此外，华为光通信中所用的MCS，也已实现自制，需大量应用MEMS芯片。所以华为很有必要自己量产芯片，如MEMS芯片、VCSEL激光器等芯片。
综上来看， 华为在武汉建的晶圆厂，主要用于光通信产品生产能力建设，与手机等cpu芯片技术相差较远，仍是远水解不了近渴，这与媒体报道的以后生产手机芯片是打擦边球。
如今看来，华为依然可以很淡定的做到把自己能做的做到最好，而一些自媒体人却坐不住了，每天在为华为想点子如何突破芯片困境。
国产明年14nm量产、芯片叠加技术、高通获得供货许可证、海思建晶圆厂，华为的这些突破仍摆脱不了台积电的技术，对于华为来说都是“远水解不了近渴”，芯片问题仍棘手！
正如任总所说：星光不问赶路人，发扬“南泥湾”精神，加油奋斗……任总曾说年轻人特别要做好专注，不要把自己的精力分散在多个领域，人的精力是有限的，分散了难以有所建树。不能像我这样，把精力分散在码字、码代码上，这样做科研的时间就变少了，难以有所建树。码字确实不易，请多多点赞支持！
星光不问赶路人，
时光不负有心人。
本是青灯不归客，
却因浊酒留风尘。
美军上将马丁·邓普西说过：“ 要让打胜仗的思想成为一种信仰；没有退路就是胜利之路。 ”华为也一样别无选择，只有前进的义无反顾。
华为芯片取得突破，要靠国内芯片领域整体水平的提升，华为只有依靠现有的芯片存量熬到活下去，消费者业务战略整体转移，关注另一个万亿市场——智能 汽车 ，是一条前途光明的大道。
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FP0.5是一种功率等级，表示最大输出功率为0.5W。它是欧盟和美国实施的一种标准，主要用于检测电子设备的发射功率，以确保其不会对无线电通信系统造成干扰。它是一种低功率的电子设备，如手机、电脑、无线路由器等，可以在此功率范围内运行。欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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