半导体自旋注入困难的原因是什么

目前自旋极化电子的注入与检测的研究不是很成熟,无论是在理论还 是在实验方面,存在许多问题有待于解决.影响注入效率的因素很多,包 括界面质量,缺陷和杂质密度.以及能带结构等,因此寻找好的自旋极化 电子来源的材料,研究出好的注入与检测方法,提高注入效率,提高居里 (下转第31 方案优势与特点:性能稳定可靠,空间利用率高通过简单的横向扩展堆叠,组成性能与容量同步扩展的"存储池"接入成本低,采用以太网卡和IPSAN 交换机的接入成本远低于FC 入成本后期运维投入较小,总体拥有成本(TCO)降低轻松实现统一管理,统一维护. 整体方案优势(上接第37 温度等方面是目前半导体电子学研究的重点和难点.综上所述,半导体自旋电子学是自旋电子学的热点领域之一,虽然发 展很快,但是对半导体自旋电子学的研究在理论与应用方面还处于刚刚发 展阶段,特别是对于自旋极化的控制与输运的认识还处在一个非常肤浅的 阶段,而且对出现的各种新效应的理解基本上还是一种"拼凑式"的半经 典唯象理论,自旋极化电子的注入与输运控制被认为是自旋电子学发展的 瓶颈.

自旋电子学是一门新兴的学科，利用它制造的自旋电子器件，与传统的半导体器件相比，有着非易失性，提高数据处理速度，降低能量消耗和增加集成密度等优点，从而给现有的电子业带来革命性的变化，有效的自旋注入是自旋电子学面临的重大挑战之一，

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