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作者：李言荣 林媛 陶伯万

出版社：清华大学出版社 图书详细信息：ISBN：9787302306856定价：48元印次：1-1装帧：平装印刷日期：2013-1-23 　图书简介：内 容 简 介本书较为全面地介绍了电子信息技术和产业中涉及的电子材料的制备方法、结构特征，电、磁、光等方面的性质，电子元件设计、开发应用所需的材料基础知识。对电子材料的基本理论进行了叙述，介绍了电子材料的性能、应用和发展趋势。本书共13章，包括电子材料概述、材料的分析与表征、薄膜、厚膜，以及陶瓷等基本工艺、超导、导电、半导体、电阻材料、介质材料、磁性材料、光电材料、敏感材料与封装材料等内容。本书可作为微电子与固体电子、材料科学与工程、半导体、光电子等专业的基础课教材，也可供冶金、物理、化学、化工等相关学科的大学生、研究生、教师及工程技术人员参考使用。本书封面贴有清华大学出版社防伪标签，无标签者不得销售。

第1章 电子材料概论11.1 电子材料的分类与特点11.1.1 电子材料在国民经济中的地位11.1.2 电子材料的分类11.1.3 电子材料的环境要求21.1.4 电子材料与元器件41.2 无机电子材料51.2.1 晶体的特征51.2.2 同构晶体和多晶型转变91.2.3 固溶体111.2.4 金属间化合物131.3 实际晶体、非晶体和准晶141.3.1 实际晶体141.3.2 非晶态材料161.3.3 准晶体简介181.4 电子材料的表面与界面201.4.1 表面的定义和种类201.4.2 清洁表面的原子排布211.4.3 实际表面的特征231.4.4 晶粒间界261.4.5 相界和分界面281.5 电子材料的应用与发展291.5.1 现代社会对电子材料的要求291.5.2 电子材料的选用原则301.5.3 纳米材料311.5.4 复合材料与梯度功能材料311.5.5 超常材料341.5.6 电子材料的发展动态35复习思考题36参考文献36电 子 材 料目 录第2章 电子材料的分析和表征382.1 电子材料化学成分分析方法382.2 电子材料结构分析方法--X射线衍射分析法392.3 电子材料的显微分析法412.4 电子材料表面界面分析技术442.5 扫描探针技术462.6 光谱分析技术492.7 热分析技术54复习思考题57参考文献57第3章 薄膜工艺593.1 真空技术概述603.1.1 真空603.1.2 真空的获得603.1.3 真空的测量643.2 真空蒸发镀膜工艺643.2.1 真空蒸发原理643.2.2 热蒸发653.2.3 脉冲激光蒸发663.2.4 分子束外延673.2.5 其他蒸发镀膜方法简介673.3 溅射镀膜工艺683.3.1 直流二极溅射及其原理683.3.2 射频溅射693.3.3 磁控溅射703.3.4 反应溅射713.3.5 离子束沉积723.3.6 溅射沉积技术的特点723.4 化学气相沉积工艺733.4.1 化学气相沉积过程733.4.2 热CVD743.4.3 等离子体CVD753.4.4 光CVD753.4.5 有机金属CVD(MOCVD)763.4.6 表面氧化工艺77复习思考题77参考文献78第4章 厚膜工艺794.1 厚膜浆料794.1.1 厚膜浆料的特性和制备794.1.2 导体浆料814.1.3 电阻浆料834.1.4 介质浆料844.1.5 电感及铁氧体磁性浆料854.2 厚膜图案形成技术854.2.1 丝网印刷864.2.2 其他图案形成技术884.3 厚膜的干燥和烧成904.3.1 干燥904.3.2 烧成90复习思考题92参考文献92第5章 陶瓷工艺935.1 概述935.2 粉体的表征945.3 粉体的混合与粉碎965.4 粉体的化学制备995.5 成型技术1025.5.1 粘合剂1025.5.2 造粒1035.5.3 成型方法及工艺1035.6 烧结原理和种类1085.6.1 烧结过程1085.6.2 烧结中的有关现象1095.6.3 烧结过程控制1095.6.4 烧结种类111复习思考题114参考文献114第6章 导电材料和电阻材料1156.1 导电材料的性质与分类1156.2 金属导电材料1166.2.1 金属导电材料的标准1166.2.2 铜1176.2.3 铜合金1176.2.4 铝1196.3 电极及电刷材料1206.3.1 电容器电极材料1206.3.2 引出线1226.3.3 电刷与d性材料1226.4 厚膜导电材料1236.4.1 厚膜导电材料的要求1246.4.2 贵金属厚膜导电材料1256.4.3 贱金属厚膜导电材料1276.4.4 导电胶1286.5 薄膜导电材料1306.5.1 铝薄膜1316.5.2 铬-金薄膜和镍铬-金薄膜1316.5.3 钛-金薄膜1326.5.4 多层导电薄膜1326.5.5 透明导电薄膜1346.6 电阻材料概述1376.6.1 电阻材料的主要性能1376.6.2 电阻材料的分类1396.7 线绕电阻材料1406.7.1 贱金属电阻合金线1406.7.2 贵金属电阻合金线1426.8 厚膜电阻材料1436.9 薄膜电阻材料1456.10 精密金属膜电阻材料1496.10.1 镍铬合金系电阻薄膜1496.10.2 铬-硅电阻薄膜1506.10.3 钽基电阻薄膜1526.10.4 金属-陶瓷电阻薄膜154复习思考题155参考文献156第7章 超导材料1577.1 超导的发现历程1577.2 超导材料的基本性质和应用1607.2.1 超导材料的主要特性1607.2.2 临界磁场与临界电流1627.2.3 超导材料的应用1657.3 低温超导材料1667.4 高温超导材料1697.5 新型超导材料173复习思考题176参考文献176第8章 半导体材料1778.1 半导体材料的一般性能1778.1.1 半导体材料的分类1778.1.2 半导体中的电子状态1788.1.3 半导体的电学性质1828.1.4 半导体的光电性质1868.1.5 半导体的磁学性质1898.1.6 半导体的热电性质1908.2 三代半导体材料概述1918.3 锗、硅材料1938.3.1 锗、硅的物理和化学性质1938.3.2 锗、硅的晶体结构与能带结构1948.3.3 锗、硅中的杂质和缺陷1958.3.4 非晶硅材料1968.3.5 锗硅合金1968.4 III-V族化合物半导体1978.4.1 III-V族化合物半导体的一般性质1978.4.2 III-V族化合物半导体的晶体结构1998.4.3 砷化镓2008.4.4 GaN材料系列2008.5 II-VI族化合物2028.6 碳化硅2038.7 其他半导体材料204复习思考题210参考文献210第9章 电介质材料2119.1 电介质材料的一般性质2119.1.1 极化与介电常数2119.1.2 绝缘电阻与漏电流2149.1.3 介质损耗与复介电常数2159.1.4 电介质的击穿2169.2 压电、热释电和铁电介质材料2179.2.1 材料的压电性、热释电性与铁电性2179.2.2 压电参数与压电材料2219.2.3 热释电介质材料及应用2259.2.4 铁电陶瓷介质材料及应用2269.3 装置陶瓷2299.3.1 氧化铝陶瓷2299.3.2 高热导率陶瓷2309.3.3 低温共烧陶瓷基板2339.4 电容器介质材料2369.4.1 电容器介质材料的分类2369.4.2 高介电容器瓷2379.4.3 半导体陶瓷介质及其电容器2409.4.4 多层陶瓷电容器介质材料2419.5 微波介质材料2449.5.1 微波陶瓷的应用与要求2449.5.2 微波陶瓷的分类2459.5.3 低温共烧微波陶瓷2479.6 玻璃电介质材料2479.6.1 玻璃的结构与组成2489.6.2 玻璃电介质2519.6.3 微晶玻璃2529.7 透明陶瓷和远红外陶瓷材料2549.7.1 透明陶瓷材料2549.7.2 远红外陶瓷材料257复习思考题258参考文献259第10章 磁性材料26010.1 概述26010.1.1 物质的磁性26010.1.2 磁性材料的技术磁性参量26310.1.3 磁性材料的分类和特点26310.1.4 磁性材料的磁化26410.2 软磁材料26510.2.1 软磁材料的特性26510.2.2 铁氧体软磁材料26710.2.3 金属软磁材料26910.2.4 非晶及纳米晶软磁材料271 10.3 永磁材料27310.3.1 永磁材料的特性27310.3.2 金属永磁材料27510.3.3 铁氧体永磁材料27610.3.4 稀土永磁材料27810.3.5 永磁薄膜28110.4 旋磁材料与磁记录材料28110.4.1 旋磁性和旋磁材料28110.4.2 石榴石型旋磁材料28210.4.3 其他旋磁材料28410.5 磁记录材料28610.5.1 磁记录原理28610.5.2 磁记录的特点28610.5.3 磁头及磁头材料28710.5.4 磁记录介质及材料28810.6 其他磁功能材料29010.6.1 磁制冷材料29010.6.2 磁光材料29110.6.3 超磁致伸缩材料29310.6.4 磁电阻材料29510.6.5 磁性液体296复习思考题298参考文献298第11章 光电材料与热电材料30011.1 发光材料30011.1.1 材料的发光机理30011.1.2 电致发光材料30111.1.3 光致发光材料30311.2 激光材料30911.2.1 激光的特点及发光原理30911.2.2 激光晶体31011.2.3 激光玻璃31111.2.4 透明激光陶瓷31311.3 光电转换材料31411.3.1 太阳能电池概述31411.3.2 单晶和多晶光电池材料31511.3.3 薄膜光电池材料315 11.4 光电探测材料31811.4.1 光电探测器概述31811.4.2 红外探测器的类型31811.4.3 光电型探测器材料32111.4.4 热释电探测器材料32111.4.5 紫外探测材料32211.5 光电显示材料32411.5.1 阴极射线管用显示材料32411.5.2 液晶显示32511.5.3 场致发光材料32511.5.4 微胶囊电泳显示及材料32611.6 非线性光学材料、电光材料和闪烁材料32711.6.1 非线性光学材料32711.6.2 电光材料33111.6.3 闪烁体材料33311.7 热电材料33611.7.1 热电效应和热电优值33611.7.2 主要的热电材料33711.7.3 提高热电材料性能的主要方法339复习思考题340参考文献341第12章 敏感材料与吸波材料34212.1 敏感材料的分类34212.2 力敏材料34512.3 热(温)敏材料34912.3.1 热电偶材料34912.3.2 氧化物半导体热敏电阻材料35112.4 磁敏材料36012.5 气敏材料36312.6 湿敏材料37012.7 离子敏材料37612.8 电压敏感材料37712.9 吸波材料概述38012.10 重要的吸波材料38312.10.1 磁性吸波材料38312.10.2 导电型吸波材料38512.10.3 电介质型吸波材料38612.10.4 其他吸波材料388复习思考题389参考文献390第13章 电子封装材料39113.1 封装技术简介39113.2 框架材料与互连材料39413.2.1 框架材料39413.2.2 引线材料39813.2.3 焊锡材料39913.2.4 导电胶40213.3 密封材料40313.4 基板材料40713.4.1 金属基板40713.4.2 陶瓷基板41013.4.3 有机基板41413.5 散热材料41713.5.1 热沉材料41713.5.2 热界面材料420复习思考题422参考文献423 基本信息

作者:陈鸣

出版社:北京邮电大学出版社

出版年:2006-5

页数:322

定价:36.00元

装帧:简装本

ISBN:9787563512478

内容简介

全书共由下述8章组成：绪论；电介质理论基础；无机介电材料；压电与铁电材料；半导体材料；导电材料；磁性材料；其他电子材料。主要介绍电子元件常用材料的基础理论知识、基本性能特点与参数、基本组成和制作原理以及应用概况。

本教材为高等职业教育电子元件与材料专业或微电子技术专业教学用书，也可供从事电子元件与材料生产、科研方面的专业技术人员参考。

陶瓷是陶器和瓷器的总称。陶瓷材料大多是氧化物、氮化物、硼化物和碳化物等。电子陶瓷按特性可分为高频和超高频绝缘陶瓷、高频高介陶瓷、铁电和反铁电陶瓷、压电陶瓷、半导体陶瓷、光电陶瓷、电阻陶瓷等。按应用范围可分为固定用陶瓷、电真空陶瓷、电容器陶瓷和电阻陶瓷。按微观结构可分多晶、单晶、多晶与玻璃相、单晶与玻璃相（无玻璃相陶瓷属于固相烧结，有玻璃相陶瓷属于波相烧结）。

许多陶瓷都具有半导体性质，是所谓半导体陶瓷。电阻随温度而变化的性质，可用于非线性电阻（NTC）。铁系金属的氧化物陶瓷，电阻的温度系数为负，具有化学的和热的稳定性，可用于非线性电阻，在很宽的范围控制温度。与此相反，称为正温度系数热敏电阻（PTC热敏电阻）的元件，用的是半导体化的BaTiO3陶瓷。这种陶瓷因为在相变温度下电阻急剧增大，如果作为电阻加热元件而应用，则可在相变温度附近方便地自动控温。

半导体陶瓷除了氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等由一种化合物构成的单相陶瓷以外，还有由两种或两种以上的化合物构成的复合陶瓷。例如，由氧化铝和氧化镁结合而成的镁铝尖晶石陶瓷，由氮化硅和氧化铝结合而成的氧氮化硅铝陶瓷，由氧化铬、氧化镧和氧化钙结合而成的铬酸镧钙陶瓷，由氧化锆、氧化钛、氧化铅、氧化镧结合而成的锆钛酸铅镧（PLZT）陶瓷等等。

发展动向可参见http://baike.baidu.com/view/283565.html?tp=6_01

1.模拟CMOS集成电路设计(影印版) [平装]

~ 罗扎 (作者)

2.模拟电子技术/国外电子与通信教材系列

【作者】：(美) 博伊尔斯塔德

【出版社】： 电子工业出版社

【出版日期】：2008-06-01

3.模拟电子技术(英文版)/国外电子与通信教材系列

【作者】：(美) 博伊斯坦

【出版社】： 电子工业出版社

【出版日期】：2007-09-01

4.电路基础

作者: Charles K.Alexander.Matthew N.O.Sadiku

出版社: 清华大学出版社

出版年: 2000-12

5. Semiconductor physics :an introduction/半导体物理简介/Karlheinz Seeger./8th ed.Springer/c2002.这是本书的第八版，是一本重点介绍半导体“物理”的教材。主要面向实验固体物理学领域的学生，读者应具备数学方面的基本知识。教师可将本书作为半导体物理和物理电子学领域的研究生课程教材使用，并可免费获取本书问题的答案手册。

6. Electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures/半导体结构的电学和光电性质/Jasprit Singh.Cambridge University Press/c2003.本书利用精选的例题阐述重要的概念，并包含250幅图表和200道练习题。全书贯穿了很多应用实例，来加强物理原理和实际器件之间的联系。适合工程和物理类学生和专业人员阅读。教师可获得答案手册和用于讲稿的视图。

7.High-speed heterostructure devices :from device concepts to circuit modeling/高速异质结构器件：从器件概念到电路建模/Patrick Roblin and Hans Rohdin.Cambridge University Press/c2002.本书最初为俄亥俄州立大学研究生课程的讲义，后来增加了配套的练习。现作为高速半导体器件方面的一本教科书，适合相关专业的研究生及工程师阅读使用。读者应先修过半导体器件方面的课程，课程深度与Streetman的《Solid State Electronic devices》相当，但并不要求对量子力学、热力学、能带结构、声子等知识有深入的了解。

8.Fundamentals of III-V devices :HBTs, MESFETs, and HEMTs/三五族器件基础：HBTs，MESFETs，和HEMTs/William LiuWiley/c1999

本书以简单易懂、系统连贯的方式全面介绍三五族的半导体器件，书中包括55个实例，说明给定应用中的器件设计根据。每章末的练习题，便于学生理解器件概念和设计根据。附录列出了不同材料和器件的参数。

9.《模拟和数字电子电路基础》 作者Anant Agarwal

本书通过介绍如何从麦克斯韦方程利用一系列简化假设直接得到集总电路抽象，在电气工程和物理间建立了清晰的联系。 本书中始终使用抽象的概念，以统一在模拟和数字设计中所进行的工程简化。 本书更为强调数字领域。但我们对数字系统的处理却强调其模拟方面。从开关、电源、电阻器和MOSFET开始，介绍KCL、KVL应用等内容。本书表明，数字特性和模拟特性可通过关注元件特性的不同区域而获得。

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