国内有做IGBT DBC动态测试的厂家吗？

据我了解到的，深圳威宇佳就有研发、制造DBC动态测试设备，并已在国内电动汽车IGBT模块产线批量应用。该公司产品包括有动态测试设备（IGBT动态参数测试设备、PIM&单管IGBT专用动态设备）、静态测试设备（IGBT静态参数测试设备）、功率半导体测试平台(功率半导体测试平台、高压安全试验箱、可调空心电感器)以及动静态全自动测试设备（动静态参数全自动测试设备）等。该公司在软件、硬件平台上持续开发，为满足更多新的功率半导体检测及应用技术要求提供了可能性，对IGBT、DBC动态测试这方面 *** 作很在行。

LMH6702 - 1.7 GHz, Ultra Low Distortion, Wideband Op Amp

Datasheet Packaging Samples &Pricing Reliability Design Tools Models Application Notes Knowledge Base

Features

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VS = ±5V, TA = 25°C, AV = +2V/V, RL = 100, VOUT = 2VPP, Typical unless Noted:

2nd/3rd Harmonics (5MHz, SOT23-5)

-100/-96dBc

-3dB Bandwidth (VOUT = 0.5 VPP)

1.7 GHz

Low noise

1.83nV/

Fast settling to 0.1%

13.4ns

Fast slew rate

3100V/µs

Supply current

12.5mA

Output current

80mA

Low Intermodulation Distortion (75MHz)

-67dBc

Improved Replacement for CLC409 and CLC449

General Description

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The LMH6702 is a very wideband, DC coupled monolithic operational amplifier designed specifically for wide dynamic range systems requiring exceptional signal fidelity. More...

Applications

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• Flash A/D driver

• D/A transimpedance buffer

• Wide dynamic range IF amp

• Radar/communication receivers

• Line driver

• High resolution video

Typical Application

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See Datasheet for Application Information

Parametric Table expand

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Parametric Tablecollapse

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Voltage Noise 1.83 nV/√Hz

Max Input Bias Current 34000 nA

Offset Voltage 4.5 mV

Max Input Bias Current 34000 nA

Channels 1 Channels

Voltage Noise 1.83 nV/√Hz

Max Input Bias Current 34000 nA

Offset Voltage 4.5 mV

SupplyCurrent Per Channel 12.5 mA

Gain Bandwidth 720 MHz

Slew Rate 3100 Volts/usec

Input OutputType Not Rail to Rail

Supply Min 10 Volt

Supply Max 12 Volt

Max Input Bias Current 34000 nA

Output Current 80 mA

Shut down No

Temperature Min -40 deg C

Av+1 BW 720 MHz

Function Op Amp

Av+5 BW 280 MHz

HD 2nd -100 dB

HD 3rd -95 dB

Diff Gain 0.024 dB

Diff Phase 0.004 %

Settling Time 13 ns

Tsettling Conditions to 0.01%

Function Op Amp

Temperature Min -40 deg C

Temperature Max 85 deg C

View Using Catalog

Typical Performance

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编辑-Z

MDS50-16整流桥开关模块由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连接后共同封装在PPS（40%玻璃纤维）外壳中。MDS50-16模块主要结构及特点如下：

1）铝基导热底板：其作用是为陶瓷覆铝板（DBC基板）提供联结支撑和导热通道，作为整个MDS50-16模块的结构基础。因此，它必须具有高的导热性和可焊性。因为需要在高温下焊接到DBC基体上，除了使用磷和镁掺杂的铜银合金外，铜基板在焊接前必须用一定的弧度进行预弯曲。这种具有一定弧度的焊接产品可以在模块安装在散热器上时有足够的接触，从而降低了模块的接触热阻，保证了模块的出力。

2）DBC基板：由氧化铝或氮化铝基板与铜箔在高温下直接粘合而成。它具有优良的导热性、绝缘性和可焊性，与硅材料接近的热线膨胀系数，可以直接焊接到硅片上，从而简化模块焊接工艺，降低热阻。同时，DBC基板可以根据功率电路单元的要求蚀刻成各种图案，作为主电路端子和控制端子的焊接支架，铜基板和电力半导体芯片彼此电绝缘，使MDS50-16模块具有有效值绝缘耐压2.5kV以上。

3）电力半导体芯片：MDS50-16的超快恢复二极管和晶闸管芯片的PN结采用玻璃钝化保护，在模块制造过程中涂RTV硅橡胶，灌封d性硅胶和环氧树脂。多层保护使电力半导体器件芯片性能稳定可靠。根据三相整流桥电路共阳极和共阴极的连接特性，MDS50-16芯片采用三片正烧（即芯片正面为阴极，反面为阳极）三片是反烧（即芯片正面为阳极，反面为阴极），并利用DBC基板的蚀刻图案，简化焊接。同时，主电极的引出端子全部焊接在DBC基板上，减少了连线，提高了模块的可靠性。

4）外壳：MDS50-16外壳采用高抗压、抗拉、高绝缘强度和高热变温度的聚苯硫醚（PPS）注塑材料，并加油40%玻璃纤维制成。可以很好的解决铜基板与主电极热胀冷缩的匹配问题，通过环氧树脂浇注固化工艺或环氧树脂板的间隔，实现上下壳的结构连接，达到更高的保护强度和气密密封，并为主电极引出提供支撑。

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