集成块的命名法是什么?

集成电路的命名 目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的 困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。 （只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕 AD：A/D技术'>转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕； LP：线性低功耗电路。 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。 A：组合元件； B：双极型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。 例：uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路。 例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。 部分集成电路制造公司名称及型号前缀 先进微器件公司 〔美国〕 AM 模拟器件公司 〔美国〕 AD 仙童半导体公司 〔美国〕 F、uA 富士通公司 〔日本〕 MB、MBM 日立公司 〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 〔美国〕 I 英特西尔公司 〔美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司 〔日本? AN 史普拉格电气公司 〔美国〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 〔日本〕 M 摩托罗拉半导体公司 〔美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司 〔美国〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 〔日本〕 NJM 冲电气工业公司 〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司 〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 〔韩国〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 〔日本〕 STR 三洋电气有限公司 〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司 〔德国〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 〔美国〕 NE、SE、ULN 索尼公司 〔日本〕 BX、CX 东芝公司 〔日本〕 TA、TC、TD、TM 2 一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管技术'>晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

采纳哦

半导体分立器件自从20世纪50年代问世以来，曾为电子产品的发展发挥了重要的作用。现在，虽然集成电路已经广泛应用，并在不少场合取代了晶体管，但是应该相信，晶体管到任何时候都不会被全部废弃。因为晶体管有其自身的特点，还会在电子产品中发挥其他元器件所不能取代的作用，所以晶体管不仅不会被淘汰，而且还将有所发展。

1　半导体分立器件的命名

按照国家规定，国内半导体分立器件的命名由五部分组成，如表3-9所示。例如2AP9，“2”表示二极管，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“9”表示序号。又如3DG6，“3”表示三极管，“D”表示NPN硅材料，“G”表示高频小功率管，“6”是序号。

有些小功率晶体三极管是以四位数字来表示型号的，具体特性参数如表3-10所示。

近年来，国内生产半导体器件的各厂家纷纷引进外国的先进生产技术，购入原材料、生产工艺及全套工艺标准，或者直接购入器件管芯进行封装。因此，市场上多见的是按照国外产品型号命名的半导体器件，符合国家标准命名的器件反而买不到。在选用进口半导体器件时，应该仔细查阅有关资料，比较性能指标。

2　二极管

按照结构工艺不同，半导体二极管可以分为点接触型和面接触型。点接触型二极管PN结的接触面积小，结电容小，适用于高频电路，但允许通过的电流和承受的反向电压也比较小，所以适合在检波、变频等电路中工作；面接触型二极管PN结的接触面积较大，结电容比较大，不适合在高频电路中使用，但它可以通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。

表3-9　国产半导体分立器件的命名

注：fa为工作频率，Pc为工作功率。

表3-10　通用型小功率三极管

注：fT为工作频率。

半导体二极管可以用锗材料或硅材料制造。锗二极管的正向电阻很小，正向导通电压约为0.15～0.35V，但反向漏电流大，温度稳定性较差；硅二极管的反向漏电流比锗二极管小得多，缺点是需要较高的正向电压（0.5～0.7V）才能导通，只适用于信号较强的电路。

二极管应该按照极性接入电路，大部分情况下，应该使二极管的正极（或称阳极）接电路的高电位端，而稳压管的负极（或称阴极）要接电源的正极，其正极接电源的负极。

1）常用二极管的外形和符号

常用二极管的外形和符号如图3-16所示。

图3-16　常用二极管的符号

2）常用二极管的特性

常用的二极管的特性及用途在表3-11中列出。

表3-11　常用的二极管的特性及用途

3）二极管的识别与检测

二极管有多种封装形式，目前比较常用的有塑料封装和玻璃壳封装。老式的大功率、大电流的整流二极管仍采用金属封装，并且有装散热片的螺栓。玻璃封装的二极管可能是普通二极管或稳压二极管，在目测没有把握辨别的情况下，要依靠万用表或者专用设备来区分。因为玻璃封装的稳压二极管和普通二极管外形一样，不同的二极管在电路中起的作用是不同的，特别是稳压二极管，它的最大特点就是工作在反向连接状态。

（1）从标记识别。

①外壳上有二极管的符号，箭头的方向就是电流流动的方向，故箭头指的方向为负极。如图3-17所示，为二极管的单向导电性。

②封装成圆球形的，一般用色点表示的，色点处为阴极。封装成柱状的，靠近色环（通常为白色）的引线为负极。

（2）数字万用表检测。

用数字式万用表可以很方便地判断出二极管的极性，如图3-18所示，方法是：将数字万用表拨到二极管挡，将红表笔插入万用表的V/?插孔，黑表笔插入COM插孔，然后分别用两表笔接触二极管的两个电极，正反向交换表笔各测一次，在其中的一次测量中显示屏上具有600～750之间（硅管）或200～400之间（锗管）的读数，这时红表笔所接触的电极就是二极管的正极（即PN结的P端），黑表笔接触的电极就是负极（即PN结的N端）。

图3-17　二极管的单向导电性

图3-18　二极管的测量

发光二极管的测量与一般二极管测量类似，只是其正向电压在1.5～3V之间，工作电流在1mA左右。发光二极管工作时一定要接上限流电阻。

3　三极管

晶体三极管又称为双极型三极管（因有两种载流子同时参与导电而得名）。它是一种电流控制电流的半导体器件，可用来对微弱的信号进行放大和做无触点开关。

1）三极管的分类

（1）按材料分：三极管按材料不同可分为锗三极管（Ge管）和硅三极管（Si管）。

（2）按导电类型分：三极管按导电类型不同可分为PNP型和NPN型，分别用不同的符号表示电压极性与电流流动方向。锗管多为PNP型，硅管多为NPN型。

（3）按用途分：依工作频率不同分为高频（fT>3MHz）、低频（fT<3MHz）和开关三极管。依工作功率不同又可分为大功率（Pc>1W）、中功率（Pc在0.5～1W）、小功率（Pc<0.5W）三极管。

2）三极管的电路符号

常用三极管的电路符号如图3-19所示。

图3-19　常用三极管的电路符号

3）三极管的检测方法

（1）判断基极用数字万用表判断三极管基极的方法是：首先将数字万用表的转换开关置于二极管挡。红、黑表笔按正确的方法插到相应插孔（红表笔插V/Ω，黑表笔插COM）。记住：数字万用表的红表笔接内部电池的正极。然后用表笔分别触三极管的三个电极，总能找到其中一个电极对另外两个电极读数为0.5～0.8V（硅管）或0.15～0.35V（锗管），该电极就是基极。

（2）E、C极的判断。

一般万用表都具备测放大倍数的功能，先将万用表的功能开关选在hFE挡，将三极管按极性（PNP、NPN）插入测试孔中，这时可从表头刻度盘上直接读放大倍数值。然后将E极、C极对调一下，看表针偏转较大的那一次，插脚就是正确的，从万用表插孔旁标记即可判别出是发射极还是集电极。另外在测量基极时，也可以得到D、E的读数大于B、C的读数，虽然很接近，但总是有微小差别的。

数字式万用表测量三极管的方法，在第五节常用仪器仪表简介中“万用表的使用”一部分进行介绍。

4　集成电路

集成电路是继电子管、晶体管之后发展起来的又一类电子器件。它是利用半导体工艺或厚膜、薄膜工艺（或这些工艺的结合），将电阻、电容、二极管、三极管等元器件，按照设计电路的要求，共同制作在一块硅或绝缘基体上，成为具有特定功能的电路，然后封装而成。集成电路是最能体现电子工业日新月异、飞速发展的一类电子器件。集成电路种类繁多，要想熟悉各种集成电路几乎是不可能的，实际上也没必要，但要了解一些基本的集成电路。

1）集成电路的分类

集成电路按其结构和工艺方法的不同，可分为半导体集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路和混合集成电路。其中发展最快、品种最多、应用最广的是半导体集成电路。

用平面工艺（氧化、光刻、扩散、外延工艺）在半导体晶片上制成的电路称为半导体集成电路（也称为单片集成电路）。

用厚膜工艺（真空蒸发、溅射）或薄膜工艺（丝网印刷、烧结）将电阻、电容等无源元件连接制作在同一片绝缘衬底上，再焊接上晶体管管芯，使其具有特定的功能，称作厚膜或薄膜集成电路。如果再装上单片集成电路，则成为混合集成电路。

2）集成电路的封装

集成电路的封装可分为：金属外壳、陶瓷外壳和塑料外壳三类。其中较常见的是用陶瓷和塑料封装的单列直插式和双列直插式两种。

金属封装的散热性能好，可靠性高，但安装使用不够方便，成本较高。这种封装形式常见于高精度集成电路或大功率器件。陶瓷封装的散热性差，体积小，成本低。塑料封装的最大特点是工艺简单、成本低，因而被广泛使用。

随着集成电路品种规格的增加和集成度的提高，电路的封装已经成为一个专业性很强的工艺技术领域。现在，国内外的集成电路封装名称逐渐趋于一致，不论是陶瓷材料的还是塑料材料的，均按照集成电路的引脚布置形式来区分，常见集成电路的封装形式如图3-20所示。

3）引脚

集成电路引脚排列顺序的标志一般有色点、凹槽、管键及封装时压出的圆形标志。对于双列直插集成块，引脚的识别方法是：将集成电路水平放置，引脚向下，标志在左边，左下角第一个引脚为1脚，然后逆时针方向数，依次为2，3，…，如图3-20所示。

图3-20　常见集成电路的封装

对于单列直插式集成电路也让引出脚朝下，标志朝左边，从左下角第一个引出脚到最后一个引出脚依次为1，2，3，…。

4）集成电路的使用常识

集成电路是一种结构复杂、功能多、体积小、价格贵、安装与拆卸麻烦的电气器件，在选购、检测和使用中应十分小心。

（1）使用前要搞清楚集成电路的功能、引脚功能、外形封装等。

（2）安装集成电路要注意方向，不同型号之间的互换应更加注意。

（3）对功率型集成电路要有足够的散热器，并尽量远离热源。

（4）切忌带电拔插集成电路。

（5）在手工焊接电子产品时，一般应该最后装配焊接集成电路，不得使用大于45W的电烙铁，每次焊接时间不得超过10s。

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