如果开关关闭时电容充电,开关导通时会产生瞬时大电流。这个电流会烧毁半导体开关。
本人亲见,0.1uf 电容在千伏电压下烧毁2000安的可控硅。
电容与开关元件并按必须串联电阻!
首先, 电容的决定式为:C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。
我们将你说的空气等效视为真空, 一半的空间置换为半导体, 实际改变的只有 d .
所以d减小为原来的1/2, 电容容值增大到原来的2倍。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
如果开关关闭时电容充电,开关导通时会产生瞬时大电流。这个电流会烧毁半导体开关。
本人亲见,0.1uf 电容在千伏电压下烧毁2000安的可控硅。
电容与开关元件并按必须串联电阻!
首先, 电容的决定式为:C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。
我们将你说的空气等效视为真空, 一半的空间置换为半导体, 实际改变的只有 d .
所以d减小为原来的1/2, 电容容值增大到原来的2倍。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)