大陆最大IDM芯片厂商，新建12寸晶圆厂，年产40万片

众所周知，在芯片领域，有IDM、Foundry、Fabless这三种模式。IDM是指从设计到研发全部自己搞定的厂商，综合实力最强，比如intel。

Foundry则是指芯片代工厂，只生产芯片不设计芯片，如台积电、中芯国际。而Fabless则是指只设计芯片，不生产芯片，比如华为、高通、联发科、苹果。

目前中国大陆很少有IDM厂商，甚至Foundry类厂商都少，而Fabless厂商最多，因为这三种模式中，Fabless相对而言门槛最低。

不过在前年，国内手机ODM厂商闻泰上演了一场大收购，把安世半导体收购了，而安世是 汽车 领域的IDM芯片巨头，是全球功率半导体龙头，在所以闻泰可以说是当前大陆最牛的IDM芯片厂商了，自己能够搞定设计、制造芯片的所有环节。

而在2020年下半年开始的 汽车 芯片紧缺潮之下，闻泰也有了大动作，那就是积极的扩产，想要在 汽车 芯片紧缺的情况下，大赚一笔。

毕竟在二极管和晶体管上排名全球第一，逻辑器件排名全球第二（仅次于德州仪器），ESD 保护器件排名全球第二，小信号 MOSFET 排名全球第二， 汽车 功率 MOSFETs排名全球第二，安世半导体只要产能跟上来，芯片自然不愁卖的。

而近日，安世表示，在上海临港投资120亿元建的一座12寸（300mm）晶圆厂，将于2022年开始运营，年产能大约是40万片，主产功率半导体。

可能很多人对于这40万片的12寸晶圆到底产能是多大不太清楚，要知道一块12寸的晶圆，可生产华为麒麟9000这样的芯片大约在400片左右。

40万片12寸晶圆的产能，相当于一年能够生产16000万片麒麟9000这样的芯片的产能，已经算是相当的不错了。

可以预料到的是，随着这个厂房投产，中国芯的产能，特别是在 汽车 芯片上面的产能将大大提高，对国外芯片的依赖度将会越来越低。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

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