关于半导体的制冷原理

关于半导体的制冷原理,第1张

半导体的制冷和制热,都是应用温差电效应的结果。当有电流通过半导体制冷片时,就会在一端发热、另一端降温——产生温差,即一端制热、另一端制冷。冰箱和空调都是利用这种效应。

因为在通过半导体制冷片的电流等条件一定时,在一端发热、另一端降温所造成的温度差是一定的,所以当降低热端温度时,相应地冷端的温度也将要降低,从而能够达到更好的在冷端制冷。

相反,若在半导体制冷片的两端人为地造成温度差,就会在两端之间产生电压和电流——温差生电。两端的温差越大,产生的电压和电流也就越大。

总之,这里关键的问题是温度差,而不是一端温度本身的高低。

其实无论降温和升温都是在发生能量作用,暗能量使物质保持不低于绝对0度的同时也物质温度降下来,原因是因为空间的各种电磁波使物质原子升温,但是这种力无法在原子中存留,是因为在与物质转化弦时只能在原子膜上增加电子层使物质质量体积增大,但是这种力无法与原子各种弦纠缠,使的暗能量会将温度弦排斥开,再度转化成辐射出去,因为电磁辐射会在原子表面停下来,而所有电磁波不与暗能量作用是因为暗能量和电磁波一样是开弦汤三维状态,而暗能量是光速宇宙澎胀开的,使电磁波不与之作用,而暗能量会使停止的电磁波力弦排斥开,使电磁波以光速在原子表面离开,如果没有暗能量催化,电磁波会停留在原子表面,产生冷凝聚态。所以这个原因使物质降温。而半导体通电降温原理,使用的是电磁力降温,原理是这一侧电磁力与另一侧电磁力产生纠缠反应,而这个纠缠反应产生电子,使得降温一侧的热辐射力被转化成电子,而产生的电子在另一侧升温的原子上电子碰撞,使半导体一侧降温。也就是说降温的一侧热力被转化电子消失了。而液态氮低温使物质降温原理,氮原子在地球上是以空气存在,是低温或压缩使氮原子为低温液态,而这个过程须要能量与物质作用,跟半导体材料相似,而液态氮能使其他物质降温原因是它会吸引其他物质辐射,只要物质有接触液态氮,氮原子会使物体最外辐射电层慢慢转化吸引到氮原子电子层,因为这有关一个新理论,所有正弦力的正能量都具有凝聚力同时,原子在绝对0对以上,都是原子外来能量造成的,而物质间对于这种能量是会相互转化,特别是两种相同物质或不同原子物质温度不同时,相遇时两原子的电磁热力造成相互转化,因为原子热辐射电磁层会被另一个低温原子冷凝聚力转化,这便是有关一个冷凝聚能物理学。目前冷凝聚态物理解释认为,物质无法收缩成冷聚变受到暗能量原子振荡作用,因为原子是无数电子磁单极粒子凝聚态,而组合成原子是圆球形8形磁极原子,而暗能量会受到8形力状态的空间降维,使原子各弦力与暗力弦暗能量产生能量作用,而这个作用是唯一种将暗能量转化成能量方法。使物质无法低于绝对0度。但是温度是会相互影响相互平恒一个关系,所以降温增温都是冷凝聚热扩散相互转化一个结果,说白了冷凝聚会接受能量吸引,降温是冷凝聚将热扩散吸引了。


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