氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势,这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时,开关损耗发生在开关状态的转换过程中。在给定的击穿电压下,GaN提供比硅更小的电阻和随后的开关和传导损耗,因此GaN适配器可以达到95%的效率。
由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度,因此,电源的整体尺寸可能显著减小,可以减少对热管理组件的需求,如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件,以及增加的开关频率,使得电源不仅更轻,而且更紧凑。
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氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势,这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时,开关损耗发生在开关状态的转换过程中。在给定的击穿电压下,GaN提供比硅更小的电阻和随后的开关和传导损耗,因此GaN适配器可以达到95%的效率。
由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度,因此,电源的整体尺寸可能显著减小,可以减少对热管理组件的需求,如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件,以及增加的开关频率,使得电源不仅更轻,而且更紧凑。
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