手机都5nm了，为什么GPU频率还是不如PC 的GPU？

半导体芯片的功耗和频率是息息相关的，在同样的工艺下更高频率就意味着极速下降的能耗比（也就是功耗急速上升），在手机这个寸土寸金的空间里，散热和电池的限制十分大。为了保证手机的续航和使用体验，正常情况下GPU的频率都不能做太高。

比如以Anandtech的数据来看，很多手机芯片在过热降频后，虽然性能下降不少，但功耗下降得更多，能耗比大幅提升，这就是低频的威力。GPU是一个十分讲究持续输出的东西，所以其设定的频率必然要和散热能力匹配，即便是现在GPU可以在短时间的跑分上达到一个比较高的频率（例如高通骁龙888），最终到了实际 游戏 ，依然要被打回原形，只能低频跑。

所以说，只要当前的技术没有发生质的变化，旗舰手机的GPU是不太可能突破1G的。但相反的，如果看中低端的GPU，那么频率突破1G也不是不可能。 GPU频率高能耗比低功耗高，但是也可以在相同的性能输出下堆更少的料，成本更低。 所以一些中低端的SoC（比如其他人提到的Exynos 7872），可以用小规模的GPU来个高频率，虽然能效比不佳，但是因为规模小，总体发热量还是可控的，这时候做超过1G+没太大压力。

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世界上最小的芯片是7纳米。这款芯片由AMD设计，台积电实现制造，是目前全球规格最小的集成电路产品，工艺首次超过英特尔。后者是目前全球最大的芯片公司，正准备推出10纳米芯片。

拓展资料：

一般而言，制程精度越高的芯片拥有越高的计算能力、越小的延时、越低的能耗，单位成本也会更低。摩尔定律说的就是这个东西。相较于目前市面主流的14纳米芯片，AMD声称，其7纳米芯片可以实现同等能效下1.25倍的计算效率提升、同等性能表现下50%的能耗节省。

芯片是电子学中一种将电路小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。

这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了，单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。

半导体制冷时的电能消耗更大。半导体制冷的效率是比较低的， 制冷的同时，还会产生大量的热量在散热器端。反之，制热时，相对制冷时比较省电了。

若将电源反接，则接点处的温度相反变化。纯金属的热电效应很小，若用一个N型半导体和一个P型半导体代替金属，效应就大得多。接通电源后，上接点附近产生电子空穴对，内能减小，温度降低，向外界吸热。

扩展资料：

一对半导体热电元件所产生的温差和冷量都很小，实用的半导体制冷器是由很多对热电元件经并联、串联组合而成，单级热电堆可得到大约60℃的温差，即冷端温度可达-10～-20℃。增加热电堆级数即可使两端的温差加大。但级数不宜过多，一般为2～3级。

当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的热电偶对中有电流通过时，两端之间就会产生热量转移，热量就会从一端转移到另一端，从而产生温差形成冷热端。

但是半导体自身存在电阻当电流经过半导体时就会产生热量，从而会影响热传递。而且两个极板之间的热量也会通过空气和半导体材料自身进行逆向热传递。

参考资料来源：百度百科--半导体制冷片

参考资料来源：百度百科--半导体制冷

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