为什么掺杂会是金属性变为半导体

掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大,主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率.只有在重掺杂时才会是迁移率下降,不过载流子浓度增加的更多一些,总体使电导率升高.

温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降,影响电导率.（但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响）

光照激发则是产生光生非平衡载流子,改变载流子浓度产生附加电导.（但其迁移率基本不变）

半导体与金属一半一半的混合,混合物的金属棵粒会相互接触，就成为导体了。但半导体棵粒的导电性质不会变。另外半导体没有单向导电性质，其导电性没有方向性，你把半导体与半导体二极管混淆了。P型或N型半导体是在不改变半导体晶体晶格的情况下，掺入微量的“杂质”形成的，它只增强了其导电性。一个物体宏观上存中性，不对外显电性。但它的微观内部，可以有电偶极子（也就是极性分子），这偶极子对外就会显电性。但它们在自然状态是无序排列的，所以物体宏观不显电性。内部也没有固定的磁场，当然也导不出电流来。会不会同时有两个方向相反的两个电偶极子作用在由P型和N型半导体混合而成的二极管的P极上，使P极内的空穴不受外面电极距的影响？看来你的概念还是有点不清楚，电偶极子是极性分子，半导体是原子晶体，其内部是不会有其他分子的，怎会有电偶极子。在半导体中存在的是载流子。另外半导体与其他物质如金属混合，会不会改变原来P型和N型半导体的性质？若是掺入少量金属，由金属会产生自由电子，则会变成多数载流子是电子的N型半导体。若是掺入少量硼等或其他能强烈吸收电子的物体，则会变成多数载流子为空穴的P型半导体。改变了导电性，成了导体，并且电流流经半导体？？？与引出电极是不是半导体有关么？所有的引出电极都是导体，没有半导体的电极。

金属应变片是通过变形改变丝栅的几何尺寸，而它的电阻率一般不变，半导体应变片是基于压阻效应而工作的，就是说沿半导体晶轴的应变，使它的电阻率有很大的变化，从而产生电阻变化，这是不同。

金属应变片的优点：

1、结构简单频率特性好。

2、价格低廉品种多样。

3、可在高(低)温、高速、高压、强烈振动、强磁场及核辐射和化学腐蚀等恶劣条件下正常工作。

缺点：具有非线性，输出信号微弱，抗干扰能力较差，因此信号线需要采取屏蔽措施；只能测量一点或应变栅范围内的平均应变，不能显示应力场中应力梯度的变化等；不能用于过高温度场合下的测量。

扩展资料：

电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。

半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率发生变化的现象。

应变片是由敏感栅等构成用于测量应变的元件，使用时将其牢固地粘贴在构件的测点上，构件受力后由于测点发生应变，敏感栅也随之变形而使其电阻发生变化，再由专用仪器测得其电阻变化大小，并转换为测点的应变值。

金属电阻应变片品种繁多，形式多样，常见的有丝式电阻应变片和箔式电阻 应变片。

参考资料来源：百度百科-应变片

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