青岛半导体研究所的背景

近年来，青岛半导体研究所加快了生产能力的建设，经过“九五”以来的技术改造，共引进研制生产、试验仪器设备350余台（套），建成了具备国际先进水平的厚膜混合集成电路研制生产线，微电路模块（SMT）研制生产线，电力电子产品生产线，厚膜DC/DC电源生产线，半导体器件封装测试线，同时具备了薄膜混合集成电路研制生产条件，科研生产能力得到了快速发展。

第四代半导体材料：以氧化镓(Ga2O3)为代表

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。

第四代半导体的发展背景

随着量子信息、人工智能等高新技术的发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在更新迭代。虽然前三代半导体技术持续发展，但也已经逐渐呈现出无法满足新需求的问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的要求。

此背景下，人们将目光开始转向拥有小体积、低功耗等优势的第四代半导体。第四代半导体具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能，在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。

目前具有发展潜力成为第四代半导体技术的主要材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体；超宽带隙的氧化物材料；其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。

硅、氮化镓。第一代就是我们说的硅，是比较成熟的；第二代主要是以氮化镓和InP，我之前也从事了很多年砷化镓和银铃的工作；第三代主要是基于大功率应用、高压、高射频应用的，比如像氮化镓和碳化硅的产品。通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物，它们的成分化学比都是1：1。

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