驰芯半导体完成近亿元Pre-A+轮融资，这对该公司未来的发展有何帮助？

驰半导体在超宽带芯片设计领域有着深厚的技术积累。首款超宽带芯片产品CX300已完成流芯片的量产，是国内第一家完成超宽带芯片商业量产的公司。得到了市场顶级客户的认可和支持。驰信半导体获得了知名投资机构和产业资本的认可和支持，更有利于公司进一步加强汽车级芯片的研发，持续引进专业人才，加快产品迭代演进和产品销售。

驰半导体将继续聚焦汽车电子、消费电子、物联网等超宽带应用领域，加快布局，为行业提供更多可靠、高效的超宽带产品，为超宽带整个生态的发展做出重要贡献。该公司设计的首款超宽带芯片CX300已完成流芯片的量产。该芯片符合IEEE802.15.4a/z标准，FIRA/CCC标准技术，可与Apple U1等现有UWB芯片实现互联。该芯片可广泛应用于汽车、手机、物联网、工业等场景。

驰芯半导体完成近亿元PreA+轮融资，由华英资本领投，硅港资本和海南亿和跟投。新派资本作为本次融资的独家财务顾问，融资资金将主要用于芯片研发和3D传感模块产品的量产。CSC融合的VDPU智能处理SoC芯片已经迭代到第二代，采用40nm工艺生产，上一代只支持自己的成像算法，目前具有向下兼容能力。未来还可以支持其他类型的3D成像算法，覆盖更多的应用场景。注册资本从200亿元增加到300亿元，骏达股份的高效太阳能电池项目签约成功。该项目总投资约130亿元，计划年产能26GW。                               

每年年末都会对当年度全球半导体产业情况作出回顾，同时对下一年的产业走势作出预测。在市场需求持续疲弱的底色下，叠加了中美战略博弈对抗升级，以及国内疫情防控等超预期因素冲击，毫无疑问2022年的全球半导体行业是极其艰难的一年。

面对2023年，WSTS、ICinsights、Gartner等知名分析机构都给出了悲观预测，甚至认为全球半导体行业正走向自2000年互联网泡沫后的最大衰退。

在对2023年全球半导体产业发展悲观预期如此一致的情况下，最大的不确定性可能就在于国内半导体行业将会如何发展？尤其是在政治因素正在最大限度的干扰半导体行业自身规律的情况下，有必要对2023年及以后的全球及国内半导体产业发展趋势作出分析和预判，也欢迎各位一起讨论。

全球经济向中低速增长回归，半导体行业缺乏基础驱动力。新冠疫情爆发以来的3年，全球GDP平均增长速度下降接近50%，除此之外，俄乌冲突、通胀攀升和央行货币政策紧缩等也引发世界性的全面经济衰退，预计2023年及未来一段时间全球经济将向GDP增速低于3%的中低速增长回归。半导体行业作为充分反映全球经济的风向标，未来有可能将长期陷入缺乏宏观经济基本面支撑的困局，2023年全球半导体行业将可能迎来5%-10%的负增长，而以后2-3年也将维持在低于8%的低速区间徘徊运行。

市场创新出现断层危机，引发技术创新投入边际报酬递减。2023年全球半导体产业仍然面临“需求创新困境”持续低迷，基于PC、手机、消费电子等市场的渐进式创新已经进入衰退期，增量空间显著收窄，如同手机、PC等可以支撑半导体技术快速迭代升级的下一代现象级市场尚未成熟和全面爆发，市场端的创新需求出现“断层”。而当前结构性的技术变化依然主要停留在工程层面，并未发生能够在短期内扩张总体经济空间的重大基础技术革命，因此同业竞争会更趋近于零和博弈，技术创新投入遵循边际报酬递减规律，部分国家对先进技术的高成本投入将逐步趋缓。

中美战略对抗日益升级，“科技脱钩”引发供应链低效率。2023年中美半导体领域的博弈有望迎来短时间的战略缓冲期，但随着美国2024年大选临近，美国仍会间歇性的联合其盟友以国家安全理由对中国半导体产业进行升级压制与围堵。除半导体关键设备、基础工业材料及零部件等供应链环节外，还可能涉及到新能源汽车、数字新基建等更广泛领域，短期内中国半导体产业高端化升级面临的“卡脖子”困境更加严重。而行政繁冗的内政环境可能会影响美国芯片政策的落实进程，联邦与各州对半导体产业设置的繁杂法律限制短期内很难出现根本性改变[1]，全球供应链也由此进入2-3年的低效率调整期，资本支出大幅缩减。

产业格局“西进东出”，半导体人才等资源面临全球紧缺。2023年全球集成电路产业链布局的成本与效率导向势必要让位于安全原则和韧性偏好，出现了区域化与短链化同步、产业格局“西进东出”的趋势，以中国大陆为中心的东亚半导体产业链与布局可能面临更大不确定性，不少跨国半导体企业将重新思考既往布局与未来规划问题，由此引发了半导体人才等资源的全球短缺和风险偏好明显弱化。美国及其盟国将进一步升级半导体“人才隔离”的措施，中国有可能面临高水平半导体人才加速流失的极大困境，东南亚及欧洲、日韩等地区则由此受益。

国内市场呈现复苏潜力，防疫政策变化或在年底引发反d。2023年上半年国内半导体市场会有较大压力，除受到全球经济衰退影响以外，防疫政策约束下的消费不振、美国打压政策的延续性影响会持续发酵，影响产业信心和动力。随着两会后防疫政策调整逐步见效，短期内产业驱动力依然受到疫情升温的抑制，但部分产品领域需求环境可能会在3-6个月后有所改善，芯片库存压力会在2023年下半年以后逐步释放。2023年底国内有望受益于疫情影响力度大幅减弱、消费信心阶段性恢复以及去库存完成等影响，迎来小规模反d，芯片设计及封装测试等产业链环节、手机、消费电子、工业半导体、数据中心等应用领域的行情逐步恢复向好。

产业链高端替代是主线，前沿创新和基础突破关注度倍增。2023年产业链高附加值环节的国产替代依然是主线，基本替代逻辑从前些年的资本驱动转由内循环市场驱动，更多国内新基建、新能源、数字经济、信息消费场景的整机系统厂商将加速推进国产芯片的验证和采购，泛信创市场覆盖范围进一步扩大到金融、电力、轨道交通、运营商等领域。半导体设备、材料及零部件等供应链环节以及存储器等高端通用芯片受到美国管制新规影响，国产化进度进入到动态调整期，制造、设备企业对国内基础材料和零部件企业的支持力度明显提升，验证进度加快。同时，对Chiplet/先进封装、PIC光子集成电路、MRAM/RRAM新兴存储器、RISC-V计算架构、氧化镓等前沿创新和基础领域的关注度将大幅增加。

部分企业面临生存困境，“内卷”领域加速启动并购整合。2023年半导体行业过剩的投机资本将对这个赛道不再感兴趣，Pre-IPO项目、美籍高管为主项目、已出现头部企业或者多家上市公司的赛道项目中部分将面临融资困境，部分优质项目可能会因估值受影响而主动关闭融资窗口，进一步压低资本的投资偏好。产业中涌现出更多的潜在并购整合机会，上市公司和相关联的产业基金成为主要推手。在MCU、蓝牙/WIFI、射频前端、显示驱动、电源管理芯片等创企数量众多、中低端替代已经实现、头部企业优势明显的产品领域有望出现以上市公司推动的并购整合。而在估值、企业经营成本、技术门槛都高的一些大芯片领域，有可能出现由基金推动的并购整合。

打好“市场”“体制”牌，新一轮产业政策周期酝酿待发。2000年的“18号文”，2011年的“新4号文”，2014年的《纲要》以及2020年的“新8号文”共同构成了我国半导体产业政策体系的关键节点，并不断推动产业可持续发展。产业政策的重要性不仅在于解决特定领域关键技术有无问题，更要解决相应创新体制和生态的塑造问题。在中美战略博弈升级、半导体供应链形势不确定性显著增强、国内市场需求不振等多方面因素影响下，2023年国内新一轮半导体产业政策周期有望酝酿开启。

这篇文章我写的异常艰难，一是因为当前形势下很多内容和观点不方便书写，二是因为对2023年的悲观预期已成共识，似乎也没什么好写。但我总认为，无论是行业周期、疫情政策还是美国遏制如何影响，都还是要对我国半导体产业保持相对乐观的态度，要尝试在碎玻璃渣子里找糖吃，在苦日子里寻得一抹阳光。

要想中国半导体成功突破低端锁定，既不可能通过速战速决抄近路的战略，也无法通过继续依附于美国主导的全球半导体供应链体系获得，只能以坚定的战略意志，借由建设涵盖体制-技术-市场多重创新的内循环体系来实现，这势必是个“持久战”。

无论是中国还是美国，始终还是要回到全球化的轨道上，这是半导体产业的基本规律。那时的全球化将会赋予中国全然不同的角色，给予中国企业更多公平竞技的机会，进入更广阔的新兴市场；同时，中国也可以将更广大的世界纳入我们自己搭建的创新和产业共同体，实现真正的国际国内双循环。

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化学分析英文缩写列表

AAS 原子吸收光谱法

AES 原子发射光谱法

AFS 原子荧光光谱法

ASV 阳极溶出伏安法

ATR 衰减全反射法

AUES 俄歇电子能谱法

C

CEP 毛细管电泳法

CGC 毛细管气相色谱法

CIMS 化学电离质谱法

CIP 毛细管等速电泳法

CLC 毛细管液相色谱法

CSFC 毛细管超临界流体色谱法

CSFE 毛细管超临界流体萃取法

CSV 阴极溶出伏安法

CZEP 毛细管区带电泳法

D

DDTA 导数差热分析法

DIA 注入量焓测定法

DPASV 差示脉冲阳极溶出伏安法

DPCSV 差示脉冲阴极溶出伏安法

DPP 差示脉冲极谱法

DPSV 差示脉冲溶出伏安法

DPVA 差示脉冲伏安法

DSC 差示扫描量热法

DTA 差热分析法

DTG 差热重量分析法

E

EAAS 电热或石墨炉原子吸收光谱法

ETA 酶免疫测定法

EIMS 电子碰撞质谱法

ELISA 酶标记免疫吸附测定法

EMAP 电子显微放射自显影法

EMIT 酶发大免疫测定法

EPMA 电子探针X射线微量分析法

ESCA 化学分析用电子能谱学法

ESP 萃取分光光度法

F

FAAS 火焰原子吸收光谱法

FABMS 快速原子轰击质谱法

FAES 火焰原子发射光谱法

FDMS 场解析质谱法

FIA 流动注射分析法

FIMS 场电离质谱法

FNAA 快中心活化分析法

FT-IR 傅里叶变换红外光谱法

FT-NMR 傅里叶变换核磁共振谱法

FT-MS 傅里叶变换质谱法

GC 气相色谱法

GC-IR 气相色谱-红外光谱法

GC-MS 气相色谱-质谱法

GD-AAS 辉光放电原子吸收光谱法

GD-AES 辉光放电原子发射光谱法

GD-MS 辉光放电质谱法

GFC 凝胶过滤色谱法

GLC 气相色谱法

GLC-MS 气相色谱-质谱法

H

HAAS 氢化物发生原子吸收光谱法

HAES 氢化物发生原子发射光谱法

HPLC 高效液相色谱法

HPTLC 高效薄层色谱法

I

IBSCA 离子束光谱化学分析法

IC 离子色谱法

ICP 电感耦合等离子体

ICP-AAS 电感耦合等离子体原子吸收光谱法

ICP-AES 电感耦合等离子体原子发射光谱法

ICP-MS 电感耦合等离子体质谱法

IDA 同位素稀释分析法

IDMS 同位素稀释质谱法

IEC 离子交换色谱法

INAA 仪器中子活化分析法

IPC 离子对色谱法

IR 红外光谱法

ISE 离子选择电极法

ISFET 离子选择场效应晶体管

L

LAMMA 激光微探针质谱分析法

LC 液相色谱法

LC-MS 液相色谱-质谱法

M

MECC 胶束动电毛细管色谱法

MEKC 胶束动电色谱法

MIP-AAS 微波感应等离子体原子吸收光谱法

MIP-AES 微波感应等离子体原子发射光谱法

MS 质谱法

N

NAA 中子活化法

NIRS 近红外光谱法

NMR 核磁共振波谱法

P

PAS 光声光谱法

PC 纸色谱法

PCE 纸色谱电泳法

PE 纸电泳法

PGC 热解气相色谱法

PIGE 粒子激发Gamma射线发射光谱法

PIXE 粒子激发X射线发射光谱法

R

RHPLC 反相高效液相色谱法

RHPTLC 反相液相薄层色谱法

RIA 发射免疫分析法

RPLC 反相液相色谱法

S

SEM 扫描电子显微镜法

SFC 超临界流体色谱法

SFE 超临界流体萃取法

SIMS 次级离子质谱法

SIQMS 次级离子四极质谱法

SP 分光光度法

SP(M)E 固相(微)萃取法

STM 扫描隧道电子显微镜法

STEM 扫描投射电子显微镜法

SV 溶出伏安法

T

TEM 投射电子显微镜法

TGA 热重量分析法

TGC 薄层凝胶色谱法

TLC 薄层色谱法

U

UPS 紫外光电子光谱法

UVF 紫外荧光光谱法

UVS 紫外光谱法

X

XES X射线发射光谱法

XPS X射线光电子光谱法

XRD X射线衍射光谱法

XRF X射线荧光光谱法

VIP = very improtant person重要人物

IMP (import)进口

EXP (export)出口

MAX (maximum)最大的、的最大限度的

MIN (minimum)最小的，最低限度

DOC (document)文件、的单据

INT (international)国际的

EMS (express mail special)特快传递

IRC（International Red Cross）国际红十字会

UNESCO（the United Nations Educational,Scientific and Cultural Organization）联合国教科文组织

W.C（water closet）

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FBI(feberal bureau of investigation)美国联邦调查局

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