偏置温度不稳定性的改进

金属氧化物半导体(mos)结构——例如场效应晶体管(fet)和电容器——例如用于标准cmos(互补金属氧化物半导体)技术中的那些，其电学特性表现出不令人满意的偏置温度不稳定性(bti)。这可归因于在介质堆叠中存在电活性缺陷，这可捕获/解除捕获沟道载流子，并且影响装置静电学和沟道中的载流子运输，从而引起性能劣化。例如，已知空穴阱的存在在天然sio2中引起了nbti(负bti)；天然sio2在互补高k金属栅极(hkmg)技术中也用作界面层。在商业技术中，通过下式方式来最大程度地减小空穴密度：(1)在高温下形成层(例如，在900+℃下迅速热氧化)，或者(2)将sio2层暴露于1000+℃时的源极/漏极掺杂活化退火，或者(3)在介质堆叠沉积后，在称为“可靠性退火”中应用迅速热退火(例如》800℃持续1-2s)，即使是在替换金属栅极(rmg)工艺流程中。相较之下，franco等人(2018)已经证明，省略可靠性退火导致rmg hkmg堆叠具有极差的nbti可靠性(图1再现了结果)和pbti(正bti)可靠性[franco,j.,等人，bti reliability improvement strategies in low thermal budget gate stacks for 3d sequential integration(用于3d循序集成的低热预算栅极堆叠的bti可靠性改进策略)，2018ieee international electron devices meeting(国际电子设备会议，iedm).ieee,2018.第34.2.1-34.2.4.页]；由此证明栅极堆叠可靠性对制造温度的极端敏感性。

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然而，先进技术中的热预算限制阻碍了使用高温制造步骤。例如，已经证明，在3d循序集成流程中堆叠多个半导体装置层是不断增加每芯片面积的cmos功能性的具有前途的方法。然而，为了维持较低层的功能性，可用减小的热预算来形成较高层。因此，在这种情况下，需要不同的方法来改进bti。

CPK是指工序在一定时间里，处于控制状态(稳定状态)下的实际加工能力。它是工序固有的能力，或者说它是工序保证质量的能力。 

CPK在信息安全领域是“Combined Public Key”的缩写，其中文名为组合公钥，是一种加密算法，以很小的资源，生成大规模密钥，为认证系统的芯片化、代理化创造了条件。

扩展资料

1、CPK是“Combined Public Key”的缩写，即中文名为组合公钥，是一种加密算法，以很小的资源，生成大规模密钥。

2、过程能力指数（Process capability index）表示过程能力满足技术标准（例如规格、公差）的程度，一般记为CPK。

3、 CPK（肌酸磷酸激酶）一般指肌酸磷酸激酶。肌酸磷酸激酶，催化肌酸与三磷酸腺苷生成磷酸肌酸与二磷酸腺苷之间可逆反应的一种氧化酶。

参考资料：百度百科——CPK    百度百科——肌酸磷酸激酶   百度百科——过程能力指数

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