SLC全称为Single-LevelCell,单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构,其每一个单元储存一位数据,但是SLC生产成本较高,晶片可重复写入十万次。SLC的特点是成本高、容量小、速度快
MLC 全称为Multi-Level Cell,多层单元闪存,MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较高。MLC的特点是容量大成本低,但是速度相较于SLC更慢。
TLC全称为Triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。现主流的SSD多数都采用最新的3D NAND闪存堆叠技术,基于该技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升。东芝已研发96层3D BiCS FLASH存储单元。
闪存芯片。西安三星半导体闪存芯片产能占全世界芯片产能的比重超过10%。西安三星半导体是全球规模最大、技术水平最高的的闪存芯片制造基地。闪存芯片是一种移动存储产品,可用于存储任何格式数据文件便于随身携带,是大家理想的便携存储工具。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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