半导体器件的生产,除需要超净的环境外,有些工序还必须在真空中进行。
每一半导体器件都包含着许多层各种各样的材料,如果在这些不同的材料层之间混入气体分子,就会破坏器件的电学或光学性能。
比如,当希望在晶体层上再生长一层晶体时(称为外延),底层晶体表面吸附的气体分子,会阻碍上面的原子按照晶格结构进行有序排列,结果在外延层中引入大量缺陷,严重时,甚至长不出晶体,而只能得到原子排列杂乱无章的多晶或非晶体。
是真空的,半导体主要是镀膜工艺,镀膜工艺需要在真空环境中进行。真空腔体是保持内部为真空状态的容器,真空腔体的制作要考虑容积、材质和形状。真空腔体是为减少了半导体应用中真空腔的个数而研发的一种结构,其晶圆容量几乎不变。真空腔体的内壁表面吸附大量的气体分子或其他有机物,成为影响真空度的放气源。为实现超高真空,要对腔体进行150—250℃的高温烘烤,以促使材料表面和内部的气体尽快放出。烘烤方式有在腔体外壁缠绕加热带、在腔体外壁固定铠装加热丝或直接将腔体置于烘烤帐篷中。
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