7nm和10nm的主要区别:
1、栅长不一样。CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度,也被称为栅长。7nm制程可使CPU与GPU内部集成更多的晶体管,使处理器具有更多的功能及更高性能。
2、功耗不同。7nm的技术和10nm的技术,在塞下同等数量晶体管的情况下,7nm的体积会更小。而体积大的10nm,就会因为工艺的问题,导致原件的电容比较大,需要的电压相较于7nm就更高,从而导致整体功耗变得更高。
性能方面:
芯片是由晶体管组成的,制程越小,同样面积的芯片里,晶体管就越多,自然性能就越强。7nm的性能自然是比10nm强的。
以华为麒麟980为麒麟970为例,其中麒麟980是7nm工艺的芯片,麒麟970是10nm工艺的芯片。
先看晶体管数量,麒麟980为69亿个晶体管,麒麟970为55亿个晶体管,提升了25.5%左右。而体现在性能上,则远不是25.5%这么简单了,因为这不仅涉及到了晶体管的多少,更是涉及到了CPU、GPU、NPU等IP核的升级。
而在具体的数值上,像CPU的跑分,麒麟980大约高了50%左右,而在GPU部分则高了1倍,至于NPU的跑分,更是高了1倍多。
扩展资料:
集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术,作为一个单位印刷,而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。2006年,芯片面积从几平方毫米到350 mm,每mm可以达到一百万个晶体管。
量子点一般是半导体,具有量子限域效应,而纳米材料比较广泛,尺寸在纳米级的材料都可以。量子点是纳米材料的一种,一般指半导体小于波尔激子半径以下时,有量子尺寸效应纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1-100nm)或由它们作为基本单元构成的材料,这大约相当于10~100个原子紧密排列在一起的尺度。因此,颗粒尺寸在1~100纳米的微粒称为超微粒材料,也是一种纳米材料。只有其尺寸小于材料的波尔激子半径时,才能称为量子点,量子点具有量子限域效应,所以其能带可调,进而吸收波长具有蓝移特性。区别与联系:纳米材料包括量子点,这是从范畴上的理解。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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