相比于传统的半导体材料，氮化镓有什么优势？利亚德产品是否包含这种材料？

氮化镓（GaN）为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时，GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类，传导损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源功率损耗的主要原因。为了阻止这些损耗，GaN晶体管（取代旧的硅技术）的发展一直受到电力电子行业的关注。

氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势，这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时，开关损耗发生在开关状态的转换过程中。在给定的击穿电压下，GaN提供比硅更小的电阻和随后的开关和传导损耗，因此GaN适配器可以达到95%的效率。

由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，使得电源不仅更轻，而且更紧凑。

半导体制冷时的电能消耗更大。半导体制冷的效率是比较低的， 制冷的同时，还会产生大量的热量在散热器端。反之，制热时，相对制冷时比较省电了。

若将电源反接，则接点处的温度相反变化。纯金属的热电效应很小，若用一个N型半导体和一个P型半导体代替金属，效应就大得多。接通电源后，上接点附近产生电子空穴对，内能减小，温度降低，向外界吸热。

扩展资料：

一对半导体热电元件所产生的温差和冷量都很小，实用的半导体制冷器是由很多对热电元件经并联、串联组合而成，单级热电堆可得到大约60℃的温差，即冷端温度可达-10～-20℃。增加热电堆级数即可使两端的温差加大。但级数不宜过多，一般为2～3级。

当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的热电偶对中有电流通过时，两端之间就会产生热量转移，热量就会从一端转移到另一端，从而产生温差形成冷热端。

但是半导体自身存在电阻当电流经过半导体时就会产生热量，从而会影响热传递。而且两个极板之间的热量也会通过空气和半导体材料自身进行逆向热传递。

参考资料来源：百度百科--半导体制冷片

参考资料来源：百度百科--半导体制冷

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