面临着一些制造上的突破。
前一段时间闹得很火的事情,美国以及公司为了抑制华为公司的发展,暂停向华为提供芯片的代工服务,这让华为一下失去了芯片的来源。我国的工业发展到今天已经算是很快了。
我国在半导体的设计方面已经实现了突破,有些设计和研发几乎已经达到了先进的水平,而我国在一些半导体芯片的制造上却存在一些不足,我国自己的芯片制造厂商依靠自己的技术实现的芯片制造比世界上最先进的水平相比还差好几个档次。
美国正是看到了我国的这一不足,采取禁止向我国华为公司提供芯片代工的技术,所以遏制了华为的发展。从这一个事件就可以看出,我们的不足不在于设计,不在于研发。我们在基础的制造上有很大的不足。
所以这个就是我们目前面临的很大的问题,在半导体芯片的制造上没有自己的设备,所以这个是我们目前需要亟待解决的问题。
国家看到这个问题之后也是很快出台了自己的措施,扶持半导体行业的发展,可能我们在一些研发上实现了一些突破,但是整体还是需要再次提高,针对我们国家半导体的发展,我们不要急于求成,技术是靠一点点积累起来的,所以我们要静下心来,脚踏实地,专注于我们的研发。
当我们遇到问题也是一件好事,这也让我们看到了我们存在的不足,这个时候我们明白了我们应该做什么,有一个实现的目标,这就是很好的。对未来我国半导体的发展我们始终持积极的态度,任何苦难始终是难不倒自强不息的中国人民的,相信很快,在各种政策的扶持下,我们的半导体行业会很快发展起来。
芯片,也被称为微电路、集成电路,一般是计算机等电子设备的重要组成部分,是现代科技最璀璨的结晶之一。芯片的制造过程十分复杂,它涉及到了几十个不同的行业,几千道复杂的工序。下面我就来仔细讲一下芯片具体的制作流程。
首先我们要知道芯片的原料是硅,具体来讲是高纯度的硅片。所以想要制造芯片要先制作出符合条件的硅片,一般来讲硅片越薄制作成本就会越低,相应的对工艺的要求也就越高。切割好的硅片在芯片行业内被称之为晶圆。得到晶圆之后,我们要在它上面给它涂上一层光阻薄膜,提高它抗氧化和耐高温的能力。
之后便是制作芯片最重要的一个环节——光刻。利用一些特殊的化学物质,使得其经受紫外光照射就会溶解,得到我们需要的形状。然后通过使用蚀刻机在暴露出来的硅上植入离子,形成相应的P、N类半导体,然后重复上面的过程,制作出立体的结构。
现在芯片的雏形已经形成了,我们开始对芯片进行晶圆测试,对芯片上的每一个晶粒进行电气特性检测。检测通过之后,我们需要对芯片进行封装,将晶圆固定好然后绑定相应的引脚。即使是同一种芯片,它的封装形式都有可能不一样,一般有DIP、QFP、PLCC、QFN 等等形式。
中国芯片发展十分艰难,我国的芯片技术和国外对比相差了两个时代,我们现在已经可以量产14nm的芯片了,而国外早就已经可以生存7nm的芯片,甚至是5nm的芯片。虽然我国在许多领域都取得了令世界瞩目的成就,但是在芯片领域中国还是落后太多太多了,而且还是全方位的落后。不过最近几年中国芯片行业发展十分迅速,相信要不了多久就能够达到世界水平。
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