半导体的光刻层一般有多少

5nm工艺将euv光罩提升到14—15层。

5纳米将使用第五代FinFET电晶体技术，EUV极紫外光刻技术也提升到10多个光刻层，整体电晶体密度提升84%。

换句话说，以7纳米是每平方公厘9，627万个电晶体计算，则5纳米就将是每平方公里有1.771亿个电晶体。

光刻机刻制芯片，根据芯片的设计需求，可以刻制少到几层，多到几十层甚至上百层。通常情况下，28nm的IC最多可使用50层光罩，14nm/10nm的IC使用60层光罩，7nm有80层光罩，5nm则达到100层光罩。台积电在7nm芯片上中的12层使用EUV，68层都使用DUV。在5nm节点，台积电将EUV 用于其中22层，其余78 层则是DUV。

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。

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