相对考研而言，考博会更容易吗？我想考中科院半导体所的博士，有了解的吗？统考的名额多吗？

一般来说是的，

考博主要看导师，导师如果想收你了，那你一定能考上，如果导师名下同时报了很多人，而导师的名额又有限，那就看要竞争和你是不是导师最满意的学生了。众多因素中，考试成绩占的重要性相较其它低多了。

半导体物理与器件(第三版)——国外电子与通信教材系列

目录：

绪论 半导体和集成电路

历史

集成电路（IC）

制造

参考文献

第1章 固体晶格结构

1.1 半导体材料

1.2 固体类型

1.3 空间晶格

1.4 原子价键

*1.5 固体中的缺陷和杂质

*1.6 半导体材料的生长

1.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第2章 量子力学初步

2.1 量子力学的基本原理

2.2 薛定谔波动方程

2.3 薛定谔波动方程的应用

*2.4 原子波动理论的延伸

2.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第3章 固体量子理论初步

3.1 允带与禁带

3.2 固体中电的传导

3.3 三维扩展

3.4 状态密度函数

3.5 统计力学

3.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第4章 平衡半导体

4.1 半导体中的载流子

4.2 掺杂原子与能级

4.3 非本征半导体

4.4 施主和受主的统计学分布

4.5 电中性状态

4.6 费米能级的位置

4.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第5章 载流子输运现象

5.1 载流子的漂移运动

5.2 载流子扩散

5.3 杂质梯度分布

*5.4 霍尔效应

5.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第6章 半导体中的非平衡过剩载流子

6.1 载流子的产生与复合

6.2 过剩载流子的性质

6.3 双极输运

6.4 准费米能级

*6.5 过剩载流子的寿命

*6.6 表面效应

6.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第7章 pn结

7.1 pn结的基本结构

7.2 零偏

7.3 反偏

*7.4 非均匀掺杂pn结

7.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第8章 pn结二极管

8.1 pn结电流

8.2 pn结的小信号模型

8.3 产生复合电流

8.4 结击穿

*8.5 电荷存储与二极管瞬态

*8.6 隧道二极管

8.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第9章 金属半导体和半导体异质结

9.1 肖特基势垒二极管

9.2 金属半导体的欧姆接触

9.3 异质结

9.4 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第10章 双极晶体管

10.1 双极晶体管的工作原理

10.2 少子的分布

10.3 低频共基极电流增益

10.4 非理想效应

10.5 等效电路模型

10.6 频率上限

10.7 大信号开关

*10.8 其他的双极晶体管结构

10.9 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础

11.1 双端MOS结构

11.2 电容电压特性

11.3 MOSFET基本工作原理

11.4 频率限制特性

*11.5 CMOS技术

11.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第12章 金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入

12.1 非理想效应

12.2 MOSFET按比例缩小理论

12.3 阈值电压的修正

12.4 附加电学特性

*12.5 辐射和热电子效应

12.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第13章 结型场效应晶体管

13.1 JFET概念

13.2 器件的特性

*13.3 非理想因素

*13.4 等效电路和频率限制

*13.5 高电子迁移率晶体管

13.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第14章 光器件

14.1 光学吸收

14.2 太阳能电池

14.3 光电探测器

14.4 光致发光和电致发光

14.5 光电二极管

14.6 激光二极管

14.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第15章 半导体功率器件

15.1 功率双极晶体管

15.2 功率MOSFET

15.3 散热片和结温

15.4 半导体闸流管

15.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

附录A 部分参数符号列表

附录B 单位制、单位换算和通用常数

附录C 元素周期表

附录D 误差函数

附录E 薛定谔波动方程的推导

附录F 能量单位——电子伏特

附录G 部分习题参考答案

索引

中科院半导体所博士3年毕业，因为博士研究生基本学习年限为3年，硕、博连读生和提前攻博生为5年。 对于确因客观原因等不能在学制规定时间内按期毕业的博士研究生，根据学习和论文工作完成情况，需要在应毕业的当年4月30日前填写“延期毕业申请表”，经导师同意、所在实验室批准后，报研究生部递交主管所领导审批，可延长三个月、半年至一年的论文工作时间，申请材料由研究生部存档备案。

延期一年仍不能毕业的博士研究生，需要在当年4月30日前向研究生部提交“延期毕业研究生论文工作情况检查表” ；研究生部组织考核小组进行考核，考核结果上报学科小组签署意见后报告给所学位评定委员会。如果研究生的学位论文工作经考评被认为不适合继续进行或研究生本人无能力完成，应按照研究生肄业办理终止学籍手续。

提前完成学业，德、智、体全面合格者，按有关规定可提前毕业，但一般情况下，最多只能提前半年。

　 延期申请获得批准后，在延长期内学生的所有费用由导师承担，助学金是否发放以及发放标准由导师确定。

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