从加工精度来讲,主要是指套刻精度(最小间距);最小线宽是引线孔尺寸。
因为并无统一的看法,仅供参考。
MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸,在设计时,常指的是MOSFET的栅极的长度L,理论上来说,栅极的长度就是它所控制的沟道长度(即漏极与源极之间的距离),但实际上,由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散,所以L其实是导电沟道的长度,在标准MOS工艺中,往往栅极会把沟道整个盖住,所以栅长是比沟道长度稍大一些的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
从加工精度来讲,主要是指套刻精度(最小间距);最小线宽是引线孔尺寸。
因为并无统一的看法,仅供参考。
MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸,在设计时,常指的是MOSFET的栅极的长度L,理论上来说,栅极的长度就是它所控制的沟道长度(即漏极与源极之间的距离),但实际上,由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散,所以L其实是导电沟道的长度,在标准MOS工艺中,往往栅极会把沟道整个盖住,所以栅长是比沟道长度稍大一些的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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